公开(公告)号：WO2006045632A1

公开(公告)日：2006-05-04

申请号：PCT/EP2005/011656

申请日：2005-10-26

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V. ,  ERBERT, Götz ,  FRICKE, Jörg ,  WENZEL, Hans ,  JOHN, Wilfried ,  GÜTHER, Reiner

Inventor： ERBERT, Götz ,  FRICKE, Jörg ,  WENZEL, Hans ,  JOHN, Wilfried ,  GÜTHER, Reiner

IPC: G02B6/124 ,  G02B6/136 ,  H01S5/125

CPC classification number: G02B6/136 ,  G02B6/124 ,  H01S5/1203 ,  H01S5/125 ,  H01S5/22

Abstract: Die Erfindung betrifft ein optisches Element mit einer planaren vertikalen Wellenleiterstruktur (1), auf deren Oberfläche ein Braggsches Gitter (5) und ein Rippenwellenleiter (6) angeordnet sind sowie ein Verfahren zu dessen Herstellung. Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein optisches Element mit einem Braggschen Gitter (5) mit Rippenwellenleiter (6) anzugeben, welches bei vorgegebenen optischen Anforderungen kostengünstiger und schneller als nach dem Stand der Technik hergestellt werden kann. Dazu wird eine Fotolackschichtstruktur (3) auf einer im Wesentlichen ebenen planaren vertikalen Wellenleiterstruktur (1) ausgebildet, wobei die Fotolackschichtstruktur (3) im Wesentlichen der Struktur des Braggschen Gitters (5) und des Rippenwellenleiters (6) entspricht und im Bereich des Braggschen Gitters (5) im Wesentlichen linienförmig mit einer Stegbreite ausgebildet wird, die mindestens 70 % des Abstandes zweier benachbarter Linien entspricht, nachfolgend die planare vertikale Wellenleiterstruktur (1) mit darauf angeordneter Fotolackschichtstruktur (3) geätzt und die Fotolackschichtstruktur (3) von der planaren vertikalen Wellenleiterstruktur (1) abgelöst.

Abstract translation: 本发明涉及一种具有平面垂直波导结构的光学元件（1），其表面的布拉格光栅（5）和一个脊形波导（6）被布置，以及用于其生产的方法上。 这是本发明的一个目的，具有布拉格光栅的光学元件（5）肋形波导（6），其可以制造更便宜，比在预定的光学要求在现有技术中更快提供。 为了这个目的，一个光致抗蚀剂层结构（3）（1）上形成有大致平坦的平面垂直波导结构中，光致抗蚀剂层结构（3）基本上对应于布喇格光栅（5）和肋状波导（6）和结构（在布喇格光栅的区域 在与web宽度是两条相邻线之间的距离的至少70％的基本上线性的方式形成5），随后被蚀刻，平面垂直波导结构（1）具有设置在其上的光致抗蚀剂层的结构（3）和所述光致抗蚀剂层结构（3）从平面垂直波导结构（ 1）分离。

公开(公告)号：WO2018138209A1

公开(公告)日：2018-08-02

申请号：PCT/EP2018/051856

申请日：2018-01-25

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V.

Inventor： KAUL, Thorben ,  ERBERT, Götz ,  CRUMP, Paul

IPC: H01S5/20 ,  H01S5/32

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft eine Laserdiode mit verbessertem Modenprofil. Insbesondere betrifft die vorliegende Erfindung einen Breitstreifen-Halbleiterlaser basierend auf einer Extrem Doppel-Asymmetrischen Struktur (EDAS), wobei durch ein optimiertes Modenprofil mit einem verbesserten Modeneinschluss die Leckstromraten und der Serienwiderstand gesenkt,sowie die Ladungsträgerdichte innerhalb des lichtführenden Wellenleiters und der aktiven Zone reduziert werden kann. Der erfindungsgemäße Diodenlaser umfasst eine n-leitend ausgebildete erste Mantelschicht (14), eine n-leitend ausgebildete erste Wellenleiterschicht (12), die auf der ersten Mantelschicht (14) angeordnet ist, eine aktive Schicht (10), die zur Strahlungserzeugung geeignet ist und die auf der ersten Wellenleiterschicht (12) angeordnet ist, eine p-leitend ausgebildete zweite Wellenleiterschicht (16), die auf der aktiven Schicht (10) angeordnet ist, eine p-leitend ausgebildete zweite Mantelschicht(18), die auf der zweiten Wellenleiterschicht (16) angeordnet ist, wobei zwischen der ersten Wellenleiterschicht (12) und der aktiven Schicht (10) eine n-leitend ausgebildete erste Zwischenschicht (11) als Übergangsbereich ausgebildet ist, und zwischen der zweiten Wellenleiterschicht (16) und der aktiven Schicht (10) eine p-leitend ausgebildete zweite Zwischenschicht (15) als Übergangsbereich ausgebildet ist. Dabei ist der erfindungsgemäße Diodenlaser dadurch gekennzeichnet, dass das Asymmetrie-Verhältnisaus der Dicke der ersten Zwischenschicht (11) zur Summe aus der Dicke der ersten Zwischenschicht (11) und der Dicke der zweiten Zwischenschicht (15) kleiner oder größer als 0,5 ist.

公开(公告)号：WO2012097947A1

公开(公告)日：2012-07-26

申请号：PCT/EP2011/074133

申请日：2011-12-28

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V. ,  ERBERT, Götz ,  WENZEL, Hans ,  CRUMP, Paul

Inventor： ERBERT, Götz ,  WENZEL, Hans ,  CRUMP, Paul

IPC: H01S5/20 ,  H01S5/32

CPC classification number: H01S5/2018 ,  H01S5/2031 ,  H01S5/3213 ,  H01S2301/166 ,  H01S2301/18

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft eine Laserdiode mit hoher Effizienz. Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Laserdiode mit hohem Wirkungsgrad, geringem optischen Verlust und geringem ohmschen Widerstand anzugeben. Darüber hinaus soll die erfindungsgemäße Laserdiode preiswert herstellbar sein. Die erfindungsgemäße Laserdiode weist eine erste n-leitend ausgebildete Mantelschicht (14), eine erste n-leitend ausgebildete Wellenleiterschicht (12), die auf der ersten Mantelschicht (14) angeordnet ist, eine aktive Schicht (10), die zur Strahlungserzeugung geeignet ist und die auf der ersten Wellenleiterschicht (12) angeordnet ist, eine zweite p-leitend ausgebildete Wellenleiterschicht (16), die auf der aktiven Schicht (10) angeordnet ist, und eine zweite p-leitend ausgebildete Mantelschicht (18), die auf der zweiten Wellenleiterschicht (16) angeordnet ist, auf, wobei erfindungsgemäß die Summe der Schichtdicke der ersten Wellenleiterschicht (12), der Schichtdicke der aktiven Schicht (10) und der Schichtdicke der zweiten Wellenleiterschicht (16) größer als 1 μm ist und die Schichtdicke der zweiten Wellenleiterschicht (16) kleiner als 150 nm ist, wobei die aktive Schicht (10), die erste Mantelschicht (14), die zweite Mantelschicht (18), die erste Wellenleiterschicht (12) und die zweite Wellenleiterschicht (16) derart ausgebildet sind, dass die maximale Modenintensität der Grundmode (24) in einem Bereich außerhalb der aktiven Schicht (10) liegt, und wobei die Differenz der Brechzahl der ersten Wellenleiterschicht (12) und der Brechzahl der ersten Mantelschicht (14) zwischen 0,04 und 0,01 beträgt.

Abstract translation: 本发明涉及一种具有高效率的激光二极管。 本发明提供具有高效率，低光学损耗和低欧姆电阻的激光二极管的一个目的。 另外，本发明的激光二极管被廉价地制造。 根据本发明的激光二极管包括：第一n型导电性形成鞘（14），（12），设置在所述第一n型导电性形成波导层的第一包层（14），有源层（10），其适合于产生辐射，并且 与第一波导层（12）被布置在，形成在所述有源层上的p型导电性形成第二波导层（16）（10）被设置，并形成了p型导电性的第二覆盖层（18）形成在所述第二波导层上 （16）设置在，其特征在于，根据本发明的大于1微米并且所述第二波导层的（层厚度的第一波导层（12），有源层（10）的层的厚度和所述第二波导层（16）的层厚度的厚度的总和 16）小于150纳米，其中所述活性层（10），所述第一包层（14），第二包层（18），所述第一波导层（12）和二 È第二波导层（16）被形成为使得所述基模的最大模强度（24）位于的区域中的有源层（10）的外部，并且其中，在所述第一波导层（12）和所述第一包层的折射率的折射率的差（ 14）为0.04〜0.01。

公开(公告)号：WO2008025746A1

公开(公告)日：2008-03-06

申请号：PCT/EP2007/058885

申请日：2007-08-27

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V. ,  TRÄNKLE, Günther ,  ERBERT, Götz ,  KLEHR, Andreas ,  HOFMANN, Martin

Inventor： TRÄNKLE, Günther ,  ERBERT, Götz ,  KLEHR, Andreas ,  HOFMANN, Martin

IPC: H01S1/02

CPC classification number: H01S5/0265 ,  H01S1/02 ,  H01S5/026 ,  H01S5/1021 ,  H01S5/1092 ,  H01S5/30

Abstract: Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung und ein Verfahren zur Erzeugung von Laserstrahlung im THz-Bereich. Dazu wird eine Halbleiter- Laserstruktur vorgesehen, wobei ein Substrat (1) in einem ersten Bereich (7) entlang einer Längsachse von Wellenleiterschichten aus einem ersten, semiisolierenden Substratmaterial mit einer geringen Dämpfung für elektromagnetische Strahlung im Bereich von 0.1 THz bis 10 THz und in einem zweiten Bereich (8) entlang dieser Längsachse aus einem zweiten Substratmaterial mit einer geringen Dämpfung für elektromagnetische Strahlung im Bereich von 0.1 THz bis 10 THz besteht, wobei auf der zweiten Mantelschicht (6) im zweiten Bereich des Substrats eine Schicht (10) aus einem dritten Material mit einer geringen Dämpfung für elektromagnetische Strahlung im Bereich von 0.1 THz bis 10 THz angeordnet ist und sowohl die der zweiten Mantelschicht abgewandte Seite der Schicht aus dem dritten Material als auch die der ersten Mantelschicht (2) abgewandte Seite des zweiten Substratmaterials eine reflektierende Schicht (11) aufweist.

Abstract translation: 本发明涉及一种装置和用于在太赫兹范围内的激光辐射的产生的方法。 为了这个目的，提供了一种半导体激光器结构，其中在第一区域（7）沿着由第一半绝缘性基板的材料具有10赫兹和在一个在0.1太赫兹范围内的电磁辐射损耗小的波导层的纵向轴线的基底（1） 沿着从具有在0.1赫兹至10赫兹的范围内的电磁辐射损耗小的第二基底材料该纵向轴线的第二区域（8），其特征在于，在所述的衬底的所述第二区域的第二包层（6），第三层（10） 材料被布置成与在0.1赫兹至10赫兹的范围内的小的损失为电磁辐射，并且两个所述第二包层侧背离第三材料的层，以及在第一覆盖层（2）在第二基底材料的远程侧，反射层（远 11）。

公开(公告)号：WO2003058685A3

公开(公告)日：2003-07-17

申请号：PCT/DE2003/000072

申请日：2003-01-08

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V. ,  BRAUN, Matthias ,  ERBERT, Götz ,  WENZEL, Hans

Inventor： BRAUN, Matthias ,  ERBERT, Götz ,  WENZEL, Hans

IPC: H01S5/12

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Braggschen Gitters in einer Halbleiterschichtenfolge eines Halbleiterkörpers mit den zugehörigen Schichtdicken und Brechungsindices mittels Ätzen. Die Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren und ein Bauelement zu entwickeln, mit dem Braggsche Gitter mit Tastverhältnissen, die deutlich von 1/2 verschieden sind, mit holografischer Belichtung hergestellt werden können, und mit dem eine genaue Einstellung und Kontrolle des Tastverhältnisses des Braggschen Gitters ohne die Maskierungsschicht im gleichen Tastverhältnis zu strukturieren und ohne die Verwendung bzw. Veränderung einer Elektronenstrahlbelichtung gewährleistet wird, wird dadurch gelöst, dass Schichtdicken und Brechungsindices einer Halbleiterschichtenfolge, in die das Braggsche Gitter geätzt wird, so gewählt werden, ein definiertes Tastverhältnis und eine definierte Differenz der effektiven Brechzahlen eingestellt wird.

公开(公告)号：EP3501069A1

公开(公告)日：2019-06-26

申请号：EP17758120.4

申请日：2017-08-21

Applicant: Forschungsverbund Berlin E.V.

Inventor： ERBERT, Götz ,  FRICKE, Jörg ,  MÜLLER, Andre ,  WENZEL, Hans ,  SUMPF, Bernd ,  PASCHKE, Katrin

IPC: H01S5/10 ,  H01S5/125 ,  G02B6/124 ,  G02B6/122

公开(公告)号：EP1464098B1

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：EP03729213.3

申请日：2003-01-08

Applicant: Forschungsverbund Berlin e.V.

Inventor： BRAUN, Matthias ,  ERBERT, Götz ,  WENZEL, Hans

IPC: H01S5/12 ,  G02B5/18

CPC classification number: H01S5/12 ,  G02B5/1857 ,  H01S5/1228 ,  H01S5/1231

Abstract: The invention relates to a method for the production of a Bragg lattice in a semiconductor layer sequence having corresponding layer thicknesses and refraction indices by means of etching. The aim of the invention is to develop a method and a component enabling the production of Bragg lattices with pulse duty factors which are significantly different from â by means of holographic exposure, whereby the pulse duty factor of the Bragg lattice can be precisely adjusted and controlled without structuring the masking layer for the same duty factor and without using or modifying electron beam exposure. This is achieved by selecting the layer thicknesses and refraction indices of a semiconductor sequence into which the Bragg lattice is etched in such a way that a defined pulse duty factor and a defined difference in the effective index of refraction can be obtained.

公开(公告)号：EP3317931A1

公开(公告)日：2018-05-09

申请号：EP16708698.2

申请日：2016-03-09

Applicant: Forschungsverbund Berlin E.V.

Inventor： FRICKE, Jörg ,  ERBERT, Götz ,  CRUMP, Paul ,  DECKER, Jonathan

IPC: H01S5/12 ,  H01S5/20

CPC classification number: H01S5/1225 ,  H01S5/026 ,  H01S5/1221 ,  H01S5/1231 ,  H01S5/2086

Abstract: The invention relates to a laser diode (100) comprising: an active layer (10); a wave guiding region (12) which surrounds the active layer (10) at least in part; a rear facet (14); a front facet (16) designed for decoupling laser radiation, wherein the active layer (10) extends, at least in part, along a first axis (X) between the rear facet (14) and the front facet (16); and a grid (18) which is operatively connected to the wave-guiding region (12), wherein the grid (18) comprises a plurality of webs (22) and trenches (24), characterized in that the plurality of trenches (24) is designed such that an average rise of a coupling parameter
P is not equal to zero for the plurality of trenches (24) along the grid (18), wherein the coupling parameter
P of a trench (24) is defined by the formula (I), wherein d
res is a distance of the trench (24) to the active layer (10),
w is a width of the trench (24) and Δ
n is the refractive index difference between a refractive index of the trench (24) and a refractive index of a material surrounding the trench (24). The invention in particular relates to a laser diode in which a distributed feedback occurs over a surface grid of high order while radiation is decoupled on one side and in which the coupling strength of the grid is matched to the power density of the wave guided in the laser diode.

公开(公告)号：EP1805538A1

公开(公告)日：2007-07-11

申请号：EP05811064.4

申请日：2005-10-26

Applicant: Forschungsverbund Berlin e.V.

Inventor： ERBERT, Götz ,  FRICKE, Jörg ,  WENZEL, Hans ,  JOHN, Wilfried ,  GÜTHER, Reiner

IPC: G02B6/124 ,  G02B6/136 ,  H01S5/125

CPC classification number: G02B6/136 ,  G02B6/124 ,  H01S5/1203 ,  H01S5/125 ,  H01S5/22

Abstract: An optical element is disclosed having a planar vertical waveguide structure (1) on the surface of which are arranged a Bragg grating (5) and a rib waveguide (6), as well as a process for producing the same. The object of the present invention is to provide an optical element having a Bragg grating (5) and a rib waveguide (6) which can be produced faster and more economically than in the prior art, while continuing to satisfy predetermined optical requirements. For that purpose, a photoresist layer structure (3) which substantially corresponds to the structure of the Bragg grating (5) and rib waveguide (6) is formed on the substantially planar and even vertical waveguide structure (1), the photoresist layer structure (3) extending linearly in the region of the Bragg grating (5) with a width which corresponds to at least 70 % of the distance between two adjacent lines. The planar vertical waveguide structure (1) with the overlying photoresist layer structure (3) is then etched and the photoresist layer structure (3) is removed from the planar vertical waveguide structure (1).

公开(公告)号：EP1464098A2

公开(公告)日：2004-10-06

申请号：EP03729213.3

申请日：2003-01-08

Applicant: Forschungsverbund Berlin e.V.

Inventor： BRAUN, Matthias ,  ERBERT, Götz ,  WENZEL, Hans

IPC: H01S5/12

CPC classification number: H01S5/12 ,  G02B5/1857 ,  H01S5/1228 ,  H01S5/1231

Abstract: The invention relates to a method for the production of a Bragg lattice in a semiconductor layer sequence having corresponding layer thicknesses and refraction indices by means of etching. The aim of the invention is to develop a method and a component enabling the production of Bragg lattices with pulse duty factors which are significantly different from ½ by means of holographic exposure, whereby the pulse duty factor of the Bragg lattice can be precisely adjusted and controlled without structuring the masking layer for the same duty factor and without using or modifying electron beam exposure. This is achieved by selecting the layer thicknesses and refraction indices of a semiconductor sequence into which the Bragg lattice is etched in such a way that a defined pulse duty factor and a defined difference in the effective index of refraction can be obtained.