公开(公告)号：DE102009021487A1

公开(公告)日：2010-11-18

申请号：DE102009021487

申请日：2009-05-15

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MODULE ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： KRONHOLZ STEPHAN ,  BOSCHKE ROMAN ,  PAPAGEORGIOU VASSILIOS ,  WIATR MACIEJ

IPC: H01L21/84 ,  H01L27/12

Abstract: Der pn-Übergang einer Substratdiode in einem komplexen SOI-Bauelement wird auf der Grundlage eines eingebetteten in-situ dotierten Halbleitermaterials hergestellt, wodurch bessere Diodeneigenschaften erreicht werden. Beispielsweise wird ein Silizium/Germanium-Halbleitermaterial in einer Aussparung in dem Substratmaterial hergestellt, wobei die Größe und die Form der Aussparung so gewählt werden, dass eine unerwünschte Wechselwirkung mit Metallsilizidmaterial vermieden wird.

公开(公告)号：DE102009010883B4

公开(公告)日：2011-05-26

申请号：DE102009010883

申请日：2009-02-27

Applicant: AMD FAB 36 LLC ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： KRONHOLZ STEPHAN ,  PAPAGEORGIOU VASSILIOS ,  TRENTZSCH MARTIN

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/165

公开(公告)号：DE102009015748A1

公开(公告)日：2010-10-21

申请号：DE102009015748

申请日：2009-03-31

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MODULE ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： KRONHOLZ STEPHAN ,  PAPAGEORGIOU VASSILIOS ,  WIATR MACIEJ

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/105

Abstract: In aufwändigen p-Kanaltransistoren wird eine hohe Germaniumkonzentration in einer Silizium/Germanium-Legierung angewendet, wobei eine zusätzliche Halbleiterdeckschicht für bessere Prozessbedingungen während der Herstellung des Metallsilizids sorgt. Beispielsweise wird eine Siliziumschicht auf der Silizium/Germanium-Legierung hergestellt, wobei diese möglicherweise eine weitere verformungsinduzierende Atomsorte, die sich von Germanium unterscheidet, enthält, um eine hohe Verformungskomponente bereitzustellen, während gleichzeitig für verbesserte Bedingungen während des Silizidierungsprozesses gesorgt ist.