Element zur oberflächenverstärkten Ramanstreuung

    公开(公告)号:DE112013004006B4

    公开(公告)日:2021-11-18

    申请号:DE112013004006

    申请日:2013-08-09

    Abstract: Element zur oberflächenverstärkten Raman-Streuung umfassend:ein Substrat (4) mit einer Hauptoberfläche (4a);ein Feinstrukturteil (7), der auf der Hauptoberfläche (4a) ausgebildet ist und eine Mehrzahl von Erhebungen (11) aufweist; undeine Leitungsschicht (6), die auf dem Feinstrukturteil (7) ausgebildet ist und einen optischen Funktionsteil (10) zum Erzeugen von oberflächenverstärkter Raman-Streuung bildet;wobei die Leitungsschicht (6) einen Basisteil aufweist, der entlang der Hauptoberfläche (4a) ausgebildet ist, und eine Mehrzahl von Vorsprüngen (62), die von dem Basisteil an jeweiligen den Erhebungen (11) entsprechenden Positionen vorstehen;wobei der Basisteil und die Vorsprünge (62) eine Mehrzahl von Spalten (G) in der Leitungsschicht (6) bilden, wobei jeder der Spalte (G) einen Zwischenraum, der graduell in der Vorsprungsrichtung der Erhebung (11) abnimmt, aufweist; undwobei die Spalte (G) entlang eines Teils der jeweiligen Erhebungen (11) ausgebildet sind und jeder der Spalte (G) den Zwischenraum aufweist, der graduell an beiden Endteilen abnimmt, gesehen in der Vorsprungsrichtung der Erhebungen (11).

    SURFACE-ENHANCED RAMAN SCATTERING ELEMENT
    16.
    发明公开

    公开(公告)号:EP2889607A4

    公开(公告)日:2016-09-28

    申请号:EP13828677

    申请日:2013-08-09

    CPC classification number: G01N21/658 B82Y40/00 G01N21/03 G01N2201/068

    Abstract: A SERS element 3 comprises a substrate 4; a fine structure part 7 formed on a front face 4a of the substrate 4 and having a plurality of pillars 11; and a conductor layer 6 formed on the fine structure part 7 and constituting an optical function part 10 for generating surface-enhanced Raman scattering. The conductor layer 6 has a base part formed along the front face 4a of the substrate 4 and a plurality of protrusions protruding from the base part at respective positions corresponding to the pillars 11. The base part and the protrusions form a plurality of gaps G in the conductor layer 6, each of the gaps G having an interstice gradually decreasing in a direction perpendicular to the projecting direction of the pillar 11.

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