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11.发明专利マスクブランク用基板、多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスク、マスクブランク用基板の製造方法及び多層反射膜付き基板の製造方法並びに半導体装置の製造方法 有权基板的掩模坯件，所述多层反射膜涂覆的基材，反射型掩模基板，反射式掩模，制造方法的制造方法及多层反射膜的基板的制造方法和掩模坯件衬底的半导体器件
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JPWO2018159785A1
公开(公告)日：2019-12-26
申请号：JP2018007897
申请日：2018-03-01
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: EUVリソグラフィのシャドーイング効果を低減し、微細なパターンを形成することが可能な反射型マスクブランク及び反射型マスクを提供する。このことにより安定して高い転写精度で半導体装置を製造する。 基板上に、多層反射膜及び吸収体膜をこの順で有する反射型マスクブランクであって、前記吸収体膜は、コバルト(Co)及びニッケル(Ni)のうち少なくとも1以上の元素を含有するアモルファス金属を含む材料からなる。
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公开(公告)号：JP6397068B2
公开(公告)日：2018-09-26
申请号：JP2017038891
申请日：2017-03-02
Applicant: HOYA株式会社
CPC classification number: G03F1/22 , G03F1/50 , G03F1/60 , G03F7/2004 , H01L21/0332 , H01L21/0334
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公开(公告)号：JP2017120437A
公开(公告)日：2017-07-06
申请号：JP2017038891
申请日：2017-03-02
Applicant: HOYA株式会社
CPC classification number: G03F1/22 , G03F1/50 , G03F1/60 , G03F7/2004 , H01L21/0332 , H01L21/0334
Abstract: 【課題】高感度の欠陥検査装置を用いた欠陥検査において、基板や膜の表面粗さに起因する疑似欠陥検出を抑制し、異物や傷などの致命欠陥の発見を容易にすることが可能なマスクブランク用基板を提供する。 【解決手段】リソグラフィーに使用されるマスクブランク用基板であって、前記基板の転写パターンが形成される側の主表面における1μm×1μmの領域を、原子間力顕微鏡で測定して得られるベアリングエリア(%)とベアリング深さ(nm)との関係において、ベアリングエリア30%をBA 30 、ベアリングエリア70%をBA 70 、ベアリングエリア30%及び70%に対応するベアリング深さをそれぞれBD 30 及びBD 70 と定義したときに、前記基板の主表面が、(BA 70 −BA 30 )/(BD 70 −BD 30 )≧350(%/nm)の関係式を満足し、かつ最大高さ(Rmax)≦1.2nmとした構成としてある。 【選択図】図1
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15.发明专利マスクブランク用基板、多層反射膜付き基板、透過型マスクブランク、反射型マスクブランク、透過型マスク、反射型マスク及び半導体装置の製造方法 有权用于掩蔽空白的基板，具有多层反射膜的基板，透射型掩模层，反射型掩模空白，透射型掩模，反射型掩模和半导体器件的制造方法
公开(公告)号：JP2016048379A
公开(公告)日：2016-04-07
申请号：JP2015202956
申请日：2015-10-14
Applicant: HOYA株式会社
CPC classification number: G03F1/48 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C03C17/3435 , C03C17/3626 , C03C17/3636 , C03C17/3639 , C03C17/3649 , C03C17/3665 , C03C23/0075 , C03C3/06 , G02B5/08 , G02B5/0816 , G02B5/0891 , G03F1/22 , G03F7/16 , G03F7/2002 , G03F7/2004 , G03F7/70733 , H01L21/3081 , H01L21/3085 , C03C2201/42 , C03C2218/33
Abstract: 【課題】高感度の欠陥検査装置を用いた欠陥検査において、基板や膜の表面粗さに起因する疑似欠陥検出を抑制し、異物や傷などの致命欠陥の発見を容易にすることが可能なマスクブランク用基板を提供する。 【解決手段】基板10の転写パターンが形成される側の主表面2は、1μm×1μmの領域を原子間力顕微鏡で測定して得られる二乗平均平方根粗さ(Rms)が0.15nm以下であり、且つ、空間周波数1μm −1 以上のパワースペクトル密度が10nm 4 以下である。 【選択図】図1
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种掩模板的基板，其中使用高灵敏度缺陷检查装置在缺陷检查中抑制由基板或膜的表面粗糙度引起的伪缺陷的检测，并发现诸如 作为异物，缺陷可以变得容易。解决方案：在形成有基板10的转印图案的一侧的主表面2中，通过测量1的区域获得的均方根粗糙度（Rms） 原子力显微镜的μm×1μm为0.15nm以下，空间频率1μm以上的功率谱密度为10nm以下。选择图1
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16.发明专利マスクブランク用基板、多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスク、マスクブランク用基板の製造方法及び多層反射膜付き基板の製造方法並びに半導体装置の製造方法 有权用于掩模空白的基板，具有多层反射膜的基板，反射掩模布，反射掩模，用于制造掩模基板的方法，用于制造具有多层反射膜的基板的方法，以及用于制造半导体器件的方法
公开(公告)号：JP2015148807A
公开(公告)日：2015-08-20
申请号：JP2015045754
申请日：2015-03-09
Applicant: HOYA株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/20 , G03F1/60
Abstract: 【課題】種々の波長の光を使用した高感度欠陥検査機においても疑似欠陥を含む検出数が少ないために致命欠陥を確実に検出することができるマスクブランク用基板等を提供する。 【解決手段】リソグラフィーに使用されるマスクブランク用基板であって、該マスクブランク用基板の転写パターンが形成される側の主表面における0.14mm×0.1mmの領域を、白色干渉計にて、ピクセル数640×480にて検出される空間周波数1×10 −2 μm −1 以上1μm −1 以下におけるパワースペクトル密度が4×10 6 nm 4 以下であり、1μm×1μmの領域で検出される空間周波数1μm −1 以上におけるパワースペクトル密度が10nm 4 以下である。 【選択図】図5
Abstract translation: 要解决的问题：为了提供一种用于掩模坯料等的基板，其中即使在使用各种波长的光的高灵敏度缺陷检查装置检查基板时，几乎没有检测到虚假缺陷，也可以可靠地检测到临界缺陷 解决方案：掩模板的基板用于光刻; 并且在要形成转印图案的基板的主表面上，在0.14mm×0.1mm区域中的空间频率为1×10μm以上且1μm以下的空间频率下的功率谱密度为4×10nm以下，通过使用 具有640×480像素的白色干涉仪，并且在1μm×1μm区域中检测到的空间频率处的功率谱密度为10nm以下。
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