公开(公告)号：JP2020034666A

公开(公告)日：2020-03-05

申请号：JP2018159970

申请日：2018-08-29

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 片岡 瑞生 ,  池邊 洋平

IPC: G03F1/54 ,  G03F1/24

Abstract: 【課題】反射型マスクのシャドーイング効果を低減するとともに、微細で高精度な吸収体パターンを形成することができる反射型マスクブランクを提供する。 【解決手段】基板上1に、多層反射膜2及び吸収体膜4をこの順で有する反射型マスクブランク100であって、前記吸収体膜4は、コバルト(Co)及びニッケル(Ni)からなる群から選択される少なくとも1つの高吸収係数元素と、ドライエッチング速度を速くする元素とを、前記吸収体膜4の少なくとも一部に含み、前記吸収体膜4が、基板1側の表面を含む下面領域と、基板1とは反対側の表面を含む上面領域とを含み、前記上面領域の前記高吸収係数元素の濃度(原子%)が、前記下面領域の前記高吸収係数元素の濃度(原子%)より高いことを特徴とする反射型マスクブランク100である。 【選択図】図1

公开(公告)号：JPWO2018159785A1

公开(公告)日：2019-12-26

申请号：JP2018007897

申请日：2018-03-01

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 池邊 洋平 ,  堀川 順一 ,  尾上 貴弘 ,  片岡 瑞生

IPC: G03F1/32 ,  G03F1/58 ,  G03F1/60 ,  G03F1/80 ,  G03F7/20 ,  G03F1/24

Abstract: EUVリソグラフィのシャドーイング効果を低減し、微細なパターンを形成することが可能な反射型マスクブランク及び反射型マスクを提供する。このことにより安定して高い転写精度で半導体装置を製造する。 基板上に、多層反射膜及び吸収体膜をこの順で有する反射型マスクブランクであって、前記吸収体膜は、コバルト(Co)及びニッケル(Ni)のうち少なくとも1以上の元素を含有するアモルファス金属を含む材料からなる。