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公开(公告)号：JP2016122684A
公开(公告)日：2016-07-07
申请号：JP2014260280
申请日：2014-12-24
Applicant: HOYA株式会社
IPC: G03F1/24 , H01L21/027
Abstract: 【課題】 位相シフト膜パターンのエッジ部で高いコントラストを得ることのできる反射型マスクブランクを得る。 【解決手段】 基板上に多層反射膜と、EUV光の位相をシフトさせる位相シフト膜とがこの順に形成された反射型マスクブランクであって、前記位相シフト膜表面における1μm×1μm領域において、原子間力顕微鏡で測定して得られる二乗平均平方根粗さ(Rms)が0.50nm以下であり、かつ空間周波数10〜100μm −1 のパワースペクトル密度が17nm 4 以下であることを特徴とする反射型マスクブランクである。 【選択図】 図5
Abstract translation: 要解决的问题：获得能够在相移膜图案的边缘部分获得高对比度的反射掩模坯料。解决方案：在反射掩模坯料中，多层反射膜和用于使EUV相位移动的相移膜 光依次形成在基板上。 反射掩模板的特征在于，在相移膜的表面的1×1μm的区域中，用原子力显微镜测定得到的均方根粗糙度（Rms）为0.50nm以下， 在10-100μm的空间频率下的功率谱密度为17nm或更小。选择图：图5
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14.发明专利レジスト付き基体の製造方法、レジストパターン付き基体の製造方法、パターン付き基体の製造方法及びレジスト処理方法 有权用于制造涂覆有抗蚀剂的衬底的方法，用于制造图案化的基板的制造方法的抗蚀剂过程和抗蚀剂图案化的衬底的处理方法
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15.发明专利導電膜付き基板、多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク及び反射型マスク、並びに半導体装置の製造方法 审中-公开具有导电膜的基板，具有多层反射涂层的基板，反射型掩模挡板，反射型掩模和生产半导体器件的方法
公开(公告)号：JP2015156034A
公开(公告)日：2015-08-27
申请号：JP2015076651
申请日：2015-04-03
Applicant: HOYA株式会社
IPC: G03F1/24
CPC classification number: G03F1/24 , B32B7/02 , G03F1/38 , G03F7/20 , B32B2307/416 , B32B2551/00
Abstract: 【課題】反射型マスクブランク及び多層反射膜付き基板の欠陥を欠陥検査装置及び座標計測機等によって検査・計測する際に、欠陥検査装置による検出欠陥の位置精度を向上する導電膜付き基板を提供する。 【解決手段】導電膜23表面における1μm×1μmの領域を、原子間力顕微鏡で測定して得られるベアリングエリア(%)とベアリング深さ(nm)との関係において、導電膜23表面が、(BA 70 −BA 30 )/(BD 70 −BD 30 )が15以上260以下(%/nm)の関係式を満たし、かつ最大高さ(Rmax)が1.3nm以上15nm以下であることを特徴とする。 【選択図】図2
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP2015133514A
公开(公告)日：2015-07-23
申请号：JP2015052132
申请日：2015-03-16
Applicant: HOYA株式会社
IPC: G03F1/24 , H01L21/027
CPC classification number: G03F1/24 , G03F7/2004
Abstract: 【課題】高感度の欠陥検査において、基板や膜の表面粗さに起因する疑似欠陥検出を抑制し、異物や傷などの致命欠陥の発見を容易にする反射型マスクブランクを提供する。 【解決手段】マスクブランク用基板10の主表面の上に、高屈折率層と低屈折率層とを交互に積層した多層反射膜26及び吸収体膜24を含む多層膜26を有し、マスクブランク表面における3μm×3μmの領域において、原子間力顕微鏡で測定して得られる二乗平均平方根粗さ(Rms)が0.5nm以下であり、且つ、空間周波数1〜10μm −1 のパワースペクトル密度が50nm 4 以下である。 【選択図】図5
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种反射性掩模坯料，其可以在高灵敏度缺陷检查期间检测由基材或膜的表面粗糙度引起的假缺陷的检测，并且可以将诸如异物，划痕和 可以容易地发现。解决方案：反光掩模坯料在掩模坯料基板10的主表面上具有交替层叠高折射率层和低折射率层的多层反射膜26 以及包括吸收体膜24的多层膜26.在掩模坯料的表面上的3μm×3μm的面积中，使用原子力显微镜的测定得到的均方根粗糙度（Rms）为0.5nm或 在1-10μm的空间频率下的功率谱密度为50nm以下。
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公开(公告)号：JPWO2020095959A1
公开(公告)日：2021-10-07
申请号：JP2019043546
申请日：2019-11-06
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 多層反射膜上の欠陥を検出する欠陥検査装置の座標系から、それ以外の装置の座標系への変換精度を向上させる。 多層反射膜付き基板は、手順(1)〜(7)によって予め求められた個数の基準マークを備えている。(1)欠陥検査装置によって、別の多層反射膜付き基板における欠陥の第1の欠陥座標、及び、基準マークの第1の基準マーク座標を取得する。(2)座標計測器によって、別の多層反射膜付き基板における欠陥の第2の欠陥座標、及び、基準マークの第2の基準マーク座標を取得する。(3)第1の基準マーク座標及び第2の基準マーク座標に基づいて、欠陥検査装置の座標系から、座標計測器の座標系へ座標を変換するための変換係数を算出する。(4)(3)で算出された変換係数を用いて、第1の欠陥座標を、第3の欠陥座標へ変換する。(5)第2の欠陥座標と、第3の欠陥座標との間の差について、3σの値を求める。(6)基準マークの個数と3σとの対応関係を取得する。(7)3σの値が、50nm未満となる基準マークの個数を決定する。
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公开(公告)号：JP2021128197A
公开(公告)日：2021-09-02
申请号：JP2020021112
申请日：2020-02-12
Applicant: HOYA株式会社
Inventor： 浜本 和宏
Abstract: 【課題】 シャドーイング効果がより低減された反射型マスクを製造するための反射型マスクブランクであるだけでなく、耐薬性がより向上した吸収体膜を備える反射型マスクブランクを提供することを目的とする。 【解決手段】 この反射型マスクブランクは、基板の主表面上に、多層反射膜およびパターン形成用の薄膜をこの順に備える反射型マスクブランクであって、薄膜は、スズ、タンタル、ニオブおよび酸素を含有し、薄膜の酸素欠損率は、0.15以上0.28以下であることを特徴とする。 【選択図】 図1
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