公开(公告)号：DE112010004154T5

公开(公告)日：2012-09-13

申请号：DE112010004154

申请日：2010-08-24

Applicant: IBM

Inventor： TODOROV TEODOR KRASSIMIROV ,  MITZI DAVID BRIAN

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/368

Abstract: Verfahren zum Aufbringen einer Kesterit-Dünnschicht, die eine Verbindung der Formel: Cu2-xZn1+ySn(S1-zSez)4+q umfasst, wobei 0 ≤ x ≤ 1; 0 ≤ y ≤ 1; 0 ≤ z ≤ 1; –1 ≤ q ≤ 1. Das Verfahren umfasst das in Kontakt bringen von Hydrazin, einer Quelle von Cu und einer Quelle von wenigstens einem von S und Se, um eine Lösung A zu bilden; in Kontakt bringen von Hydrazin, einer Quelle von Sn, einer Quelle von wenigstens einem von S und Se und einer Quelle von Zn, um eine Dispersion B zu bilden; Mischen der Lösung A und der Dispersion B unter Bedingungen, die ausreichen, um eine Dispersion zu bilden, die Zn-enthaltende feste Partikel umfasst; Auftragen der Dispersion auf ein Substrat, um eine dünne Schicht der Dispersion auf dem Substrat zu bilden; und Tempern bei einer Temperatur, bei einem Druck und mit einer Zeitdauer, die ausreichen, um die Kesterit-Dünnschicht zu bilden. Ferner werden eine Temperzusammensetzung und eine photovoltaische Einheit, die die nach dem vorstehend beschriebenen Verfahren hergestellte Kesterit-Dünnschicht umfasst, bereitgestellt.

公开(公告)号：GB2486352A

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：GB201201821

申请日：2010-08-24

Applicant: IBM

Inventor： TODOROV TEODOR KRASSIMIROV ,  MITZI DAVID BRIAN

IPC: H01L21/02

Abstract: A method of depositing a kesterite film which includes a compound of the formula: Cu2-xZn1+ySn(S1-zSez)4+q, wherein O ¤x ¤1; O ¤y ¤1; O ¤z ¤1; -1â ¤qâ ¤1. The method includes contacting hydrazine, a source of Cu, and a source of at least one of S and Se forming solution A; contacting hydrazine, a source of Sn, a source of at least one of S and Se, and a source of Zn forming dispersion B; mixing solution A and dispersion B under conditions sufficient to form a dispersion which includes Zn-containing solid particles; applying the dispersion onto a substrate to form a thin layer of the dispersion on the substrate; and annealing at a temperature, pressure, and length of time sufficient to form the kesterite film. An annealing composition and a photovoltaic device including the kesterite film formed by the above method are also provided.