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    SHEET ORGANIC-INORGANIC PEROVSKITE
    2.
    发明专利
    SHEET ORGANIC-INORGANIC PEROVSKITE 失效

    公开(公告)号：JP2001220143A

    公开(公告)日：2001-08-14

    申请号：JP2001029005

    申请日：2001-02-06

    Applicant: IBM

    Inventor： MITZI DAVID BRIAN

    IPC: C07D333/20 ,  C01G29/00 ,  C01G30/00 ,  C07F19/00 ,  C30B29/68 ,  H01L21/316 ,  H01L51/30

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic-inorganic perovskite having alternately stacked layers of inorganic anion layers and organic cation layers. SOLUTION: The inorganic anion layers of the organic-inorganic perovskite have a metal halide framework of trivalent or higher valent metals. The organic cartion layers contain a plurality of organic cations which can form a template from the metal defect type inorganic anion layers in the perovskite structure. The invention also provides the method for the preparation of the organic- inorganic perovskite.

    Electrolytic device based on solution-processed electrolyte
    3.
    发明专利
    Electrolytic device based on solution-processed electrolyte 有权
    基于溶液处理电解质的电解设备

    公开(公告)号：JP2011086950A

    公开(公告)日：2011-04-28

    申请号：JP2010272800

    申请日：2010-12-07

    Applicant: Internatl Business Mach Corp ,  インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションInternational Business Maschines Corporation

    Inventor： GOPALAKRISHNAN KAILASH ,  MITZI DAVID BRIAN ,  SHENOY ROHIT SUDHIR

    IPC: H01L27/105 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00

    CPC classification number: H01L45/142 ,  C23C18/1204 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/141 ,  H01L45/1608

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electrolytic device based on a solution-processed electrolyte.
    SOLUTION: The present disclosure relates to the solid electrolyte device comprising an amorphous chalcogenide solid active electrolytic layer; first and second metallic layers. The amorphous chalcogenide solid active electrolytic layer is located between the first and the second metallic layers. The amorphous chalcogenide solid active electrolytic layer is prepared by obtaining a solution of a hydrazine-based precursor to a metal chalcogenide; applying the solution onto a substrate; and thereafter annealing the precursor to convert the precursor to the amorphous metal chalcogenide. The present disclosure also relates to processes for fabricating the solid electrolyte device.
    COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

    Abstract translation: 要解决的问题：提供一种基于溶液处理电解质的电解装置。 解决方案：本公开内容涉及包含无定型硫族化物固体活性电解质层的固体电解质器件; 第一和第二金属层。 无定形硫族化物固体活性电解质层位于第一和第二金属层之间。 无定形硫族化物固体活性电解质层是通过将金属硫属元素化合物的肼类前体溶液获得的， 将溶液施加到基底上; 然后使前体退火以将前体转化为无定形金属硫族化物。 本公开还涉及制造固体电解质器件的方法。 版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

    ORGANIC-INORGANIC HYBRID MATERIAL
    5.
    发明专利
    ORGANIC-INORGANIC HYBRID MATERIAL 失效

    公开(公告)号：JP2001055568A

    公开(公告)日：2001-02-27

    申请号：JP2000205114

    申请日：2000-07-06

    Applicant: IBM

    Inventor： CHONDROUDIS KONSTANTINOS ,  MITZI DAVID BRIAN

    IPC: H01L51/50 ,  C07D333/18 ,  C07D409/14 ,  C09K11/06 ,  H05B33/14

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a hybrid material which has a high luminescence strength by incorporating an inorganic component and an organic component containing a colorant component mixed with an optically inert component into the same. SOLUTION: Preferably, the organic component contains a colorant component which emits fluorescence in the visible region, preferable colorant components being e.g. tolan, thioxanthone, coumarin, and perylene. This hybrid material contains an inorganic component comprising a metal halide framework. Preferably, the content of the color component in the organic component is higher than 0% and lower than 10%. Examples of the inert material are phenethylamine, butyldiamine, and an alkylamine. The hybrid material has e.g. an organic - inorganic perovskite structure and is represented e.g. by the formula: (RNH3)2(NH3)n-1MnX3n+1 (wherein R is an organic group; M is a divalent metal; X is halogen; and (n) is 1 or higher).

    Deckschichten für verbesserte Kristallisation
    6.
    发明专利
    Deckschichten für verbesserte Kristallisation 未知

    公开(公告)号：DE112012003297T5

    公开(公告)日：2014-05-08

    申请号：DE112012003297

    申请日：2012-07-27

    Applicant: IBM

    Inventor： BARKHOUSE DAVID AARON RANDOLPH ,  MITZI DAVID BRIAN ,  BAG SANTANU ,  TODOROV TEODOR KRASSIMIROV

    IPC: H01L21/477

    Abstract: Es werden Techniken zur Herstellung von Cu-Zn-Sn-(Se,S)-Kesterit-Dünnschichten und verbesserte Photovoltaikeinheiten auf der Grundlage dieser Dünnschichten bereitgestellt. In einer Erscheinungsform wird ein Verfahren zur Herstellung einer Kesterit-Dünnschicht einer Formel Cu2-xZn1+ySn(S1-zSez)4+q bereitgestellt, wobei 0 ≤ x ≤ 1; 0 ≤ y ≤ 1; 0 ≤ z ≤ 1 und –1 ≤ q ≤ 1. Das Verfahren umfasst die folgenden Schritte. Ein Substrat wird bereitgestellt. Auf dem Substrat wird eine Massen-Vorstufenschicht gebildet, welche Cu, Zn, Sn und mindestens eines aus S und Se aufweist. Auf der Massen-Vorstufenschicht wird eine Deckschicht gebildet, welche mindestens eines aus Sn, S und Se aufweist. Die Massen-Vorstufenschicht und die Deckschicht werden unter Bedingungen getempert, die ausreichend sind, um die Kesterit-Dünnschicht mit Werten von x, y, z und q für jeden gegebenen Teil der Dünnschicht herzustellen, welche um weniger als 20 Prozent von über die gesamte Dünnschicht gemittelten Werten von x, y, z und q abweichen.

    Deckschichten für verbesserte Kristallisation
    9.
    发明专利
    Deckschichten für verbesserte Kristallisation 未知

    公开(公告)号：DE112012003297B4

    公开(公告)日：2019-07-18

    申请号：DE112012003297

    申请日：2012-07-27

    Applicant: IBM

    Inventor： BAG SANTANU ,  BARKHOUSE DAVID AARON RANDOLPH ,  MITZI DAVID BRIAN ,  TODOROV TEODOR KRASSIMIROV

    IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0749

    Abstract: Verfahren zur Herstellung einer Kesterit-Dünnschicht (302) einer Formel CuZnSn(SSe), wobei 0 ≤ x ≤ 1; 0 ≤ y ≤ 1; 0 ≤ z ≤ 1 und -1 ≤ q ≤ 1, wobei das Verfahren die Schritte aufweist:Bereitstellen eines Substrats (202);Bilden (102) einer Massen-Vorstufenschicht auf dem Substrat (202), wobei die Massen-Vorstufenschicht Cu und Zn und mindestens eines aus Sn, S und Se aufweist, wobei die Massen-Vorstufenschicht die Quelle für Cu und Zn in der Kesterit-Dünnschicht (302) ist, sodass die Zusammensetzung von Cu und Zn in der Kesterit-Dünnschicht (302) durch die Zusammensetzung von Cu und Zn in der Massen-Vorstufenschicht bestimmt wird,Bilden (106) einer festen Deckschicht auf der Massen-Vorstufenschicht, deren Zusammensetzung und Dicke durch die Zusammensetzung der Massen-Vorstufenschicht bestimmt ist, wobei die Deckschicht Sn und mindestens eines von S und Se aufweist, wobei die Deckschicht so konfiguriert ist, dass sie eine Quelle für zusätzliches elementares Chalkogen an der Oberfläche der Kesterit-Dünnschicht (302) darstellt; undTempern (108) der Massen-Vorstufenschicht und der Deckschicht bei einer Temperatur von 300 °C bis 700 °C für eine Dauer von 1 Sekunde bis 24 Stunden.

    Verfahren zum Herstellen einer Halbleiter-Dünnschicht und einerphotovoltaischen Einheit, welche die Dünnschicht enthält
    10.
    发明专利
    Verfahren zum Herstellen einer Halbleiter-Dünnschicht und einerphotovoltaischen Einheit, welche die Dünnschicht enthält 未知

    公开(公告)号：DE112010004154T9

    公开(公告)日：2012-12-13

    申请号：DE112010004154

    申请日：2010-08-24

    Applicant: IBM

    Inventor： TODOROV TEODOR KRASSIMIROV ,  MITZI DAVID BRIAN

    IPC: H01L21/02 ,  H01L21/368

    Abstract: Verfahren zum Aufbringen einer Kesterit-Dünnschicht, die eine Verbindung der Formel: Cu2-xZn1+ySn(S1-zSez)4+q umfasst, wobei 0 ≤ x ≤ 1; 0 ≤ y ≤ 1; 0 ≤ z ≤ 1; –1 ≤ q ≤ 1. Das Verfahren umfasst das in Kontakt bringen von Hydrazin, einer Quelle von Cu und einer Quelle von wenigstens einem von S und Se, um eine Lösung A zu bilden; in Kontakt bringen von Hydrazin, einer Quelle von Sn, einer Quelle von wenigstens einem von S und Se und einer Quelle von Zn, um eine Dispersion B zu bilden; Mischen der Lösung A und der Dispersion B unter Bedingungen, die ausreichen, um eine Dispersion zu bilden, die Zn-enthaltende feste Partikel umfasst; Auftragen der Dispersion auf ein Substrat, um eine dünne Schicht der Dispersion auf dem Substrat zu bilden; und Tempern bei einer Temperatur, bei einem Druck und mit einer Zeitdauer, die ausreichen, um die Kesterit-Dünnschicht zu bilden. Ferner werden eine Temperzusammensetzung und eine photovoltaische Einheit, die die nach dem vorstehend beschriebenen Verfahren hergestellte Kesterit-Dünnschicht umfasst, bereitgestellt.

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