公开(公告)号：DE112012002231T5

公开(公告)日：2014-03-13

申请号：DE112012002231

申请日：2012-01-24

Applicant: IBM

Inventor： WORLEDGE DANIEL CHRISTOPHER ,  KORENIVSKI VLADISLAV

IPC: H03K17/74 ,  B82Y99/00 ,  H01L29/772

Abstract: Transistoreinheiten mit einem magnetischen Tunnelübergang sowie Verfahren zum Betreiben und Bilden von Transistoreinheiten mit einem magnetischen Tunnelübergang. In einem Aspekt beinhaltet eine Transistoreinheit mit einem magnetischen Tunnelübergang eine erste Source-/Drain-Elektrode, eine zweite Source-/Drain-Elektrode, eine Gate-Elektrode und einen magnetischen Tunnelübergang, der zwischen der Gate-Elektrode und der zweiten Source-/Drain-Elektrode angeordnet ist. Der magnetische Tunnelübergang beinhaltet eine magnetische freie Schicht, die sich der Länge nach zwischen der ersten und der zweiten Source-/Drain-Elektrode erstreckt und von diesen überlagert ist. Die Gate-Elektrode überlagert die magnetische freie Schicht zwischen der ersten und der zweiten Source-/Drain-Elektrode vollständig. Die Transistoreinheit mit einem magnetischen Tunnelübergang polt eine Magnetisierungsorientierung der magnetischen freien Schicht mittels Anlegen einer Gate-Spannung an die Gate-Elektrode um, wodurch ein Widerstand zwischen der ersten und der zweiten Source-/Drain-Elektrode durch die magnetische freie Schicht hindurch geändert wird.

公开(公告)号：DE10342572A1

公开(公告)日：2004-07-22

申请号：DE10342572

申请日：2003-09-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  IBM

Inventor： ABRAHAM DAVID W ,  SCHMID JUERG ,  TROUILLOUD PHILIP ,  WORLEDGE DANIEL CHRISTOPHER

IPC: G01Q70/00 ,  G01R31/26 ,  G01R33/09 ,  H01L43/08 ,  B81C1/00 ,  H01L21/66 ,  H01L27/22

公开(公告)号：DE112012007318B3

公开(公告)日：2022-06-30

申请号：DE112012007318

申请日：2012-01-24

Applicant: IBM

Inventor： KORENIVSKI VLADISLAV ,  WORLEDGE DANIEL CHRISTOPHER

IPC: H03K17/74 ,  B82Y10/00 ,  B82Y99/00 ,  H01L29/68 ,  H01L29/772

Abstract: Eine Transistoreinheit mit einem zweifachen magnetischen Tunnelübergang eine erste Source-/Drain-Elektrode, eine zweite Source-/Drain-Elektrode, eine Gate-Elektrode und einen zweifachen magnetischen Tunnelübergang, der zwischen der Gate-Elektrode und der zweiten Source-/Drain-Elektrode angeordnet ist. Der magnetische zweifache Tunnelübergang beinhaltet eine magnetische freie Schicht, die sich der Länge nach zwischen der ersten und der zweiten Source-/Drain-Elektrode erstreckt und von diesen überlagert ist. Die Gate-Elektrode überlagert die magnetische freie Schicht zwischen der ersten und der zweiten Source-/Drain-Elektrode vollständig. Die Transistoreinheit mit einem magnetischen Tunnelübergang polt eine Magnetisierungsorientierung der magnetischen freien Schicht mittels Anlegen einer Gate-Spannung an die Gate-Elektrode um, wodurch ein Widerstand zwischen der ersten und der zweiten Source-/ Drain-Elektrode durch die magnetische freie Schicht hindurch geändert wird.

公开(公告)号：GB2520429B

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：GB201419724

申请日：2014-11-05

Applicant: IBM ,  CROCUS TECHNOLOGY SA

Inventor： ANNUNZIATA ANTHONY JOSEPH ,  TROUILLOUD PHILIP LOUIS ,  WORLEDGE DANIEL CHRISTOPHER ,  BANDIERA SEBASTIEN ,  LOMBARD LUCIEN ,  PREJBEANU LUCIAN

IPC: G11C11/16 ,  B82Y25/00 ,  H01L27/22 ,  H01L43/08

公开(公告)号：DE102004032468A1

公开(公告)日：2005-02-17

申请号：DE102004032468

申请日：2004-07-05

Applicant: IBM ,  INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BROWN STEPHEN L ,  KLOSTERMANN ULRICH ,  RABERG WOLFGANG ,  WORLEDGE DANIEL CHRISTOPHER

IPC: H01C7/00 ,  H01L21/02 ,  H01L27/08 ,  H01L21/3205

Abstract: An improved scalable, resistive element for use in a semiconductor device that can be produced with a small feature size and precise resistance is provided by the present invention. The resistive element includes a base layer positioned on top of a metal line. A seed layer of is deposited on top of the base layer. A thin barrier layer of Al is deposited on top of the seed layer and oxidized. A non-magnetic metal layer is then deposited on top of the barrier layer. The base layer and the non-magnetic metal layer form electrodes on either side of the barrier layer. The barrier layer is thin enough that a tunneling current can travel between the electrodes. The resulting resistive element may be constructed with a high resistance and a very small feature size.