公开(公告)号：DE102017223561A1

公开(公告)日：2018-06-21

申请号：DE102017223561

申请日：2017-12-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BAHETI ASHUTOSH ,  REISS WERNER ,  TROTTA SAVERIO

IPC: H01L23/66 ,  H01L21/82 ,  H01L23/48

Abstract: Ein Halbleiterbauelement-Package umfasst einen Integrierte-Schaltung-Chip, der ein Hochfrequenzbauelement aufweist. Das Hochfrequenzbauelement umfasst eine aktive Schaltungsanordnung an einer ersten Oberfläche des Integrierte-Schaltung-Chips. Ein Antennensubstrat ist über der ersten Oberfläche des Integrierte-Schaltung-Chips angeordnet. Das Antennensubstrat umfasst eine erste leitfähige Schicht, die über der ersten Oberfläche des Integrierte-Schaltung-Chips angeordnet ist. Die erste leitfähige Schicht umfasst eine erste Übertragungsleitung, die mit dem Integrierte-Schaltung-Chip elektrisch gekoppelt ist. Eine erste Laminatschicht ist über der ersten leitfähigen Schicht angeordnet. Die erste Laminatschicht überlappt einen ersten Teil der ersten Übertragungsleitung. Eine zweite leitfähige Schicht ist über der ersten Laminatschicht angeordnet. Die zweite leitfähige Schicht umfasst eine erste Öffnung, die einen zweiten Teil der ersten Übertragungsleitung überlappt. Eine zweite Laminatschicht ist über der zweiten leitfähigen Schicht angeordnet. Eine erste Antenne ist über der zweiten Laminatschicht angeordnet und überlappt die erste Öffnung, den zweiten Teil der ersten Übertragungsleitung und den Integrierte-Schaltung-Chip.