公开(公告)号：DE102017213170A1

公开(公告)日：2019-01-31

申请号：DE102017213170

申请日：2017-07-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RIEDL EDMUND ,  OTREMBA RALF ,  REISS WERNER ,  HEINRICH ALEXANDER ,  LI WU HU

IPC: H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L23/485

Abstract: Ein Verfahren zum Löten eines Leiters an eine Aluminiummetallisierung beinhaltet Substituieren einer Aluminiumoxidschicht auf der Aluminiummetallisierung durch eine Substitutmetalloxidschicht oder eine Substitutmetalllegierungsoxidschicht. Dann werden Substitutmetalloxide in der Substitutmetalloxidschicht oder der Substitutmetalllegierungsoxidschicht wenigstens teilweise reduziert. Der Leiter wird unter Verwendung eines Lotmaterials an die Aluminiummetallisierung gelötet.

公开(公告)号：DE102017012210A1

公开(公告)日：2019-01-31

申请号：DE102017012210

申请日：2017-07-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RIEDL EDMUND ,  OTREMBA RALF ,  REISS WERNER ,  HEINRICH ALEXANDER ,  LI WU HU

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/58 ,  H01L23/485

Abstract: Ein Verfahren zum Löten eines Leiters (150) an eine Aluminiummetallisierung (110) umfasst das Anwenden eines Halogenids mittels eines Plasmaprozesses auf eine Aluminiumoxidschicht (120) auf der Aluminiummetallisierung (110), um eine halogenierte Aluminiumoxidschicht (540) zu produzieren. Anschließend wird ein Lotmaterial (160) über der halogenierten Aluminiumoxidschicht (540) angeordnet. Der Leiter (150) wird an die Aluminiummetallisierung (110) angelötet.

公开(公告)号：DE102017223561A1

公开(公告)日：2018-06-21

申请号：DE102017223561

申请日：2017-12-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BAHETI ASHUTOSH ,  REISS WERNER ,  TROTTA SAVERIO

IPC: H01L23/66 ,  H01L21/82 ,  H01L23/48

Abstract: Ein Halbleiterbauelement-Package umfasst einen Integrierte-Schaltung-Chip, der ein Hochfrequenzbauelement aufweist. Das Hochfrequenzbauelement umfasst eine aktive Schaltungsanordnung an einer ersten Oberfläche des Integrierte-Schaltung-Chips. Ein Antennensubstrat ist über der ersten Oberfläche des Integrierte-Schaltung-Chips angeordnet. Das Antennensubstrat umfasst eine erste leitfähige Schicht, die über der ersten Oberfläche des Integrierte-Schaltung-Chips angeordnet ist. Die erste leitfähige Schicht umfasst eine erste Übertragungsleitung, die mit dem Integrierte-Schaltung-Chip elektrisch gekoppelt ist. Eine erste Laminatschicht ist über der ersten leitfähigen Schicht angeordnet. Die erste Laminatschicht überlappt einen ersten Teil der ersten Übertragungsleitung. Eine zweite leitfähige Schicht ist über der ersten Laminatschicht angeordnet. Die zweite leitfähige Schicht umfasst eine erste Öffnung, die einen zweiten Teil der ersten Übertragungsleitung überlappt. Eine zweite Laminatschicht ist über der zweiten leitfähigen Schicht angeordnet. Eine erste Antenne ist über der zweiten Laminatschicht angeordnet und überlappt die erste Öffnung, den zweiten Teil der ersten Übertragungsleitung und den Integrierte-Schaltung-Chip.

公开(公告)号：DE102017223561B4

公开(公告)日：2021-07-22

申请号：DE102017223561

申请日：2017-12-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BAHETI ASHUTOSH ,  REISS WERNER ,  TROTTA SAVERIO

IPC: H01L23/66 ,  H01L21/82 ,  H01L23/48

Abstract: Halbleiterbauelement-Package, das folgende Merkmale aufweist:einen Integrierte-Schaltung-Chip (10), der ein Hochfrequenzbauelement aufweist, wobei das Hochfrequenzbauelement eine aktive Schaltungsanordnung an einer ersten Oberfläche des Integrierte-Schaltung-Chips (10) aufweist;ein Antennensubstrat, das über der ersten Oberfläche des Integrierte-Schaltung-Chips (10) angeordnet ist, wobei das Antennensubstrat folgende Merkmale aufweist:eine erste leitfähige Schicht (32), die über der ersten Oberfläche des Integrierte-Schaltung-Chips (10) angeordnet ist, wobei die erste leitfähige Schicht (32) eine erste Übertragungsleitung aufweist, die mit dem Integrierte-Schaltung-Chip (10) elektrisch gekoppelt ist;eine erste Laminatschicht (22), die über der ersten leitfähigen Schicht (32) angeordnet ist, wobei die erste Laminatschicht (22) einen ersten Teil der Übertragungsleitung (32) überlappt;eine zweite leitfähige Schicht (33), die über der ersten Laminatschicht (22) angeordnet ist, wobei die zweite leitfähige Schicht (33) eine erste Öffnung (50) aufweist, die einen zweiten Teil der ersten Übertragungsleitung überlappt;eine zweite Laminatschicht (23), die über der zweiten leitfähigen Schicht (33) angeordnet ist;eine erste Antenne (40), die über der zweiten Laminatschicht (23) angeordnet ist und die erste Öffnung (50), den zweiten Teil der Übertragungsleitung und den Integrierte-Schaltung-Chip (10) überlappt;eine dritte Laminatschicht (29), die über der ersten Antenne (40) angeordnet ist; undeine zweite Antenne (43), die über der dritten Laminatschicht (29) angeordnet ist, wobei sich die zweite Antenne (43) direkt über der ersten Antenne (40) befindet.