公开(公告)号：DE102015112728A1

公开(公告)日：2016-02-25

申请号：DE102015112728

申请日：2015-08-03

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FINNEY ADRIAN ,  DEL CROCE PAOLO ,  PETRUZZI LUCA ,  KRISCHKE NORBERT

IPC: H01L23/58 ,  H01L21/76 ,  H01L21/8248 ,  H01L27/06

Abstract: Gemäß einer Ausführungsform einer Halbleitervorrichtung umfasst die Halbleitervorrichtung eine Leistungsvorrichtungswanne (114) in einem Halbleitersubstrat (106), eine Logikvorrichtungswanne (116) in dem Substrat und durch ein Trennungsgebiet (118) des Substrats von der Leistungsvorrichtungswanne (114) beabstandet, und eine Minoritätsladungsträger-Umwandlungsstruktur (108), die ein erstes dotiertes Gebiet (152) eines ersten Leitfähigkeitstyps in dem Trennungsgebiet (118), ein zweites dotiertes Gebiet (154) eines zweiten Leitfähigkeitstyps in dem Trennungsgebiet (118) und eine leitende Schicht (160), die das erste und das zweite dotierte Gebiet (152, 154) verbindet, umfasst. Das zweite dotierte Gebiet (154) umfasst einen ersten Teil (156), der zwischen das erste dotierte Gebiet (152) und der Leistungsvorrichtungswanne (114) eingefügt ist, und einen zweiten Teil (158), der zwischen das erste dotierte Gebiet (152) und der Logikvorrichtungswanne (116) eingefügt ist.

公开(公告)号：DE102013108572A1

公开(公告)日：2014-02-13

申请号：DE102013108572

申请日：2013-08-08

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FINNEY ADRIAN

IPC: H01L27/082 ,  H01L21/329 ,  H01L21/8249 ,  H01L27/06 ,  H01L29/861

Abstract: Manche Implementierungen stellen eine Bandlückenreferenzspannung unter Benutzung mindestens einer Polysiliziumdiode ohne Siliziumdioden bereit. Die Polysiliziumdiode umfasst drei Abschnitte, einen leicht dotierten Abschnitt flankiert von einem stärker dotierten Abschnitt an jedem Ende.