公开(公告)号：DE102019135495B3

公开(公告)日：2021-05-12

申请号：DE102019135495

申请日：2019-12-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FINNEY ADRIAN ,  KRISCHKE NORBERT ,  RACKI MATHIAS

IPC: H01L27/07 ,  G01K7/01

Abstract: Eine Halbleiteranordnung ist beschrieben. Die Halbleiteranordnung umfasst: einen Halbleiterkörper (100) und einen in dem Halbleiterkörper (100) integrierten Temperatursensor (TES). Der Temperatursensor (TES) umfasst: ein erstes Halbleitergebiet (11) eines ersten Dotierungstyps, der in einer vertikalen Richtung (z) des Halbleiterkörpers (100) zwischen einem zweiten Halbleitergebiet (21) eines zweiten Dotierungstyps und einem dritten Halbleitergebiet (30) des zweiten Dotierungstyps angeordnet ist, und einen Kontaktstöpsel (4; 41), der das erste Halbleitergebiet (11) und das zweite Halbleitergebiet (21) ohmsch verbindet. Das erste Halbleitergebiet (11) umfasst einen Basisgebietsabschnitt (111), der zu dem Kontaktstöpsel (4; 41) in einer ersten lateralen Richtung (x) des Halbleiterkörpers (100) beabstandet ist, und einen Widerstandsabschnitt (112), der zwischen dem Basisgebietsabschnitt (111) und dem Kontaktstöpsel (4; 41) angeordnet ist, wobei der Widerstandsabschnitt (112) so realisiert ist, dass ein ohmscher Widerstand des Widerstandsabschnitts (112) zwischen dem Basisgebietsabschnitt (111) und dem ersten Halbleitergebiet (21) wenigstens 1 MΩ beträgt.

公开(公告)号：DE102007010884A1

公开(公告)日：2007-09-20

申请号：DE102007010884

申请日：2007-03-06

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ZUNDEL MARKUS ,  HIRLER FRANZ ,  KRISCHKE NORBERT

IPC: H01L21/334 ,  H01L29/78

Abstract: The method involves arranging trenches (11) in a semiconductor body (100), and providing a gate electrode in the trenches. Electrode structures with an electrode are arranged in the trenches. Trenches of a transistor structure and the trenches of the electrode structures are produced by a common procedure. The electrode of the electrode structures and the gate electrode of the transistor structure are produced by the common procedure. An independent claim is also included for a semiconductor component circuit provided with a semiconductor body.

公开(公告)号：DE102004045467A1

公开(公告)日：2006-03-30

申请号：DE102004045467

申请日：2004-09-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ZUNDEL MARKUS ,  KRISCHKE NORBERT ,  MEYER THORSTEN

IPC: H01L29/78 ,  H01L23/62

公开(公告)号：DE102007063728B4

公开(公告)日：2018-12-13

申请号：DE102007063728

申请日：2007-03-06

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ZUNDEL MARKUS DR ,  HIRLER FRANZ DR ,  KRISCHKE NORBERT

IPC: H01L29/423 ,  H01L27/06 ,  H01L29/78

Abstract: Halbleiterbauelementanordnung miteinem Halbleiterkörper (100), der eine erste Seite (101) und eine der ersten Seite (101) gegenüberliegende zweite Seite (102) aufweist,einer in dem Halbleiterkörper (100) integrierten Trench-Transistorstruktur (60), die wenigstens einen Graben und in dem wenigstens einen Graben wenigstens eine Gateelektrode (64) aufweist,einer in wenigstens einem weiteren Graben (11) angeordneten Trench-Leitungsverbindung (21), die wenigstens abschnittsweise eine gleiche geometrische Struktur wie die wenigstens eine Gateelektrode (64) aufweist, undwenigstens zwei in dem Halbleiterkörper (100) oder auf dem Halbleiterkörper (100) angeordneten Anschlusskontakten (41, 42), die jeweils an die wenigstens eine Trench-Leitungsverbindung (21-24) angeschlossen sind und die durch die wenigstens eine Trench-Leitungsverbindung (21-24) elektrisch leitend miteinander verbunden sind,wobei die wenigstens eine Trench-Leitungsverbindung (21-24) mittels einer Isolationsschicht (12) gegenüber dem Halbleiterkörper (100) isoliert ist undwobei die Trench-Leitungsverbindung aus einem dotierten polykristallinen Halbleitermaterial, aus einer Halbleiter-Metall-Verbindung oder aus einem Metall besteht.

公开(公告)号：DE102004063946B4

公开(公告)日：2018-03-22

申请号：DE102004063946

申请日：2004-05-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KRISCHKE NORBERT ,  VANNUCCI NICOLA ,  LANZERSTORFER SVEN DR ,  OSTERMANN THOMAS ,  RACKI MATHIAS ,  ZUNDEL MARKUS DR

IPC: H01L21/762 ,  G11C29/00 ,  H01L23/62 ,  H01L27/085 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

Abstract: Trenchtransistoranordnung, mit einem Halbleiterkörper (30, 40), in dem mehrere nebeneinander angeordnete Trenchtransistoren ausgebildet sind, wobei wenigstens einer dieser Trenchtransistoren ein Zellenfeld mit mehreren Zellenfeldtrenches aufweist und die Trenchtransistoren durch Isolationsstrukturen, die jeweils einen Trennungstrench (50) aufweisen, gegeneinander elektrisch isoliert sind, und die Trennungstrenches (50) in Randbereichen der Trenchtransistoren ausgebildet sind, wobei in jedem Trennungstrench (50) eine mit Substratpotenzial verbundene Elektrode (52) angeordnet ist, und der Trennungstrench (50) tiefer in den Halbleiterkörper (30, 40) eindringt als die dotierten Wannengebiete (31, 44), dadurch gekennzeichnet, dass die Trennungstrenches (50) Randabschlüsse dotierter Wannengebiete (31, 44) bilden und ein an den Trennungstrench (50) angrenzendes p-dotiertes Gebiet (41) zur Unterdrückung eines durch das an der mit dem Substratpotenzial verbundenen Elektrode (52) des Trennungstrenches (50) liegende Potential ermöglichten n-Kanales zum Halbleiterkörper (40) dient.

公开(公告)号：DE102014112823A1

公开(公告)日：2016-03-10

申请号：DE102014112823

申请日：2014-09-05

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KRISCHKE NORBERT ,  ILLING ROBERT ,  AUER BERNHARD

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/8248 ,  H01L23/58

Abstract: Nachstehend wird ein Halbleiterbauelement beschrieben. Gemäß einem anderen Beispiel der Erfindung umfasst das Halbleiterbauelement einen Halbleiterkörper, zumindest eine auf dem Halbleiterkörper angeordnete Verdrahtungsschicht und einen in den Halbleiterkörper integrierten Feldeffekttransistor. Der Feldeffekttransistor hat eine Vielzahl von Gate-Elektroden, die sich in korrespondierenden Trenches befinden, welche in dem Halbleiterkörper ausgebildet sind. Eine erste Schaltung ist in dem Halbleiterkörper benachbart zu dem Feldeffekttransistor integriert, und eine zweite Schaltung ist in dem Halbleiterkörper abseits von der ersten Schaltung integriert. Zumindest ein erster zusätzlicher Trench ist in dem Halbleiterkörper gebildet, wobei der erste zusätzliche Trench zumindest eine Verbindungsleitung beinhaltet, welche die erste Schaltung und die zweite Schaltung elektrisch verbindet. Des Weiteren umfasst das Halbleiterbauelement zumindest ein leitfähiges Pad, das in der zumindest einen Verdrahtungsschicht ausgebildet ist. Das zumindest eine leitfähige Pad ist angeordnet, um den ersten zusätzlichen Trench zumindest teilweise zu bedecken, um eine Schirmung für die Verbindungsleitung(en) zu bilden.

公开(公告)号：DE102004024887B4

公开(公告)日：2012-01-26

申请号：DE102004024887

申请日：2004-05-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KRISCHKE NORBERT ,  VANNUCCI NICOLA ,  LANZERSTORFER SVEN DR ,  KROTSCHECK THOMAS ,  RACKI MATHIAS ,  ZUNDEL MARKUS DR

IPC: H01L23/62 ,  H01L27/02 ,  H01L29/78

Abstract: Transistor, der aufweist: – ein Zellenfeld mit mehreren aktiven Transistorzellen (74) aus jeweils Sourcegebieten (62), Bodygebieten (63), Draingebieten (64) und in Zellenfeld-Trenches (61) vorgesehenen Gates, – einen Temperatursensor (66), der in das Zellenfeld integriert ist oder an dieses angrenzt, und – eine Isolationsstruktur (70, 71, 72, 81), die den Temperatursensor (66) gegenüber dem Zellenfeld elektrisch isoliert, wobei der Abstand zwischen dem Temperatursensor (66) und der dem Temperatursensor (66) nächstgelegenen aktiven Transistorzelle (74) der Schrittweite zwischen den aktiven Transistorzellen (74) innerhalb des Zellenfelds entspricht, wobei – die Isolationsstruktur einen Trennungstrench (70), der zwischen dem Zellenfeld und dem Temperatursensor (66) angeordnet ist, aufweist, und – die Innenwände eines Zellenfeld-Trenches (61) der dem Temperatursensor (66) nächstgelegenen aktiven Transistorzelle (74) sowie die Innenwände des Trennungstrenchs (70) mit Isolationsschichten ausgekleidet sind, wobei wenigstens zwei in horizontaler Richtung aufeinanderfolgende und zueinander benachbarte Isolationsschichten (77, 78), die innerhalb des Trennungstrenchs (70) und...

公开(公告)号：DE102004021393A1

公开(公告)日：2005-12-01

申请号：DE102004021393

申请日：2004-04-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ZUNDEL MARKUS ,  KRISCHKE NORBERT

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/108 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

公开(公告)号：DE10202479A1

公开(公告)日：2003-08-07

申请号：DE10202479

申请日：2002-01-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ROSMEIER LUDWIG ,  KRISCHKE NORBERT ,  WERNER WOLFGANG ,  NELLE PETER

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/761 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L27/108 ,  H01L29/00 ,  H01L29/06

Abstract: An integrated circuit configuration includes a semiconductor body having a first semiconductor zone of a first conductivity type in a region near a rear side and a second semiconductor zone of the first conductivity type adjoining the first semiconductor zone and doped more weakly than the first semiconductor zone in a region near a front side, a first component region in the body having at least one semiconductor zone of a second conductivity type, a second component region in the body having at least one semiconductor zone of the second conductivity type, and a conversion structure having a semiconductor zone of the second conductivity type and a semiconductor zone of the first conductivity type that are short-circuited and disposed at a distance from the first semiconductor zone between the first and second component regions in the second semiconductor zone.

公开(公告)号：DE102004045467B4

公开(公告)日：2020-07-30

申请号：DE102004045467

申请日：2004-09-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ZUNDEL MARKUS DR ,  KRISCHKE NORBERT ,  MEYER THORSTEN DR

IPC: H01L29/78 ,  H01L23/62

Abstract: Feldeffekt-Trenchtransistor mit einer Vielzahl von arrayartig angeordneten Transistorzellen, deren Gateelektroden in einem Halbleiterkörper gebildeten parallel laufenden aktiven Gräben (1) angeordnet sind, wobei wenigstens ein parallel zu den aktiven Gräben (1) laufender inaktiver Graben (2a; 2b) vorgesehen ist, in dem keine Gateelektrode angeordnet ist und wobei in einem oder mehreren der inaktiven Gräben (2a; 2b) eine oder mehrere Polysilizium-Schutzdioden (D1, D2, D3, D4) zum Schutz gegen eine Beschädigung des Gateoxids durch ESD-Pulse integriert ist bzw. sind, und der wenigstens eine inaktive Graben (2a, 2b) im Array der Transistorzellen liegt und die eine oder mehreren Polysilizium-Schutzdioden (D1, D2, D3, D4) in der Längsrichtung des jeweiligen inaktiven Grabens (2a, 2b) zueinander in Reihe geschaltet und an ihrem einen Ende mit einer Sourcemetallisierung (5) und an ihrem anderen Ende mit einer Gatemetallisierung (3a, 3b) kontaktiert sind.