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公开(公告)号：DE102018113146B4
公开(公告)日：2020-02-06
申请号：DE102018113146
申请日：2018-06-01
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： PIDUTTI ALBINO , GADLER DAMIANO , PACHNIS IOANNIS
Abstract: Hierin wird eine Gleichrichtereinrichtung beschrieben. Gemäß eine Ausgestaltung enthält die Gleichrichtereinrichtung einen Halbleiterkörper, der mit Dotierstoffen eines ersten Dotierungstyps dotiert ist, und ein oder mehr Wannengebiete, die in dem Halbleiterkörper angeordnet und mit Dotierstoffen eines zweiten Dotierungstyps dotiert sind. Dabei bilden ein oder mehr Wannengebiet und der umgebende Halbleiterkörper einen pn-Übergang. Die Gleichrichtereinrichtung enthält weiterhin einen Anodenanschluss und einen Kathodenanschluss, die durch einen Laststrompfad eines ersten MOS-Transistors und eine zu dem Laststrompfad parallele Diode verbunden sind. Während des Betriebs der Gleichrichtereinrichtung wird eine Eingangswechselspannung zwischen den Anodenanschluss und den Kathodenanschluss angelegt. Die Gleichrichtereinrichtung enthält eine Steuerschaltung, die dazu ausgebildet ist, den ersten MOS-Transistor für eine Einschaltdauer (engl.: „on-time periode“), während der die Diode in Vorwärtsrichtung vorgespannt ist, einzuschalten, wobei der erste MOS-Transistor und die Diode in den Halbleiterkörper integriert sind und die Steuerschaltung zumindest teilweise in dem einen oder den mehr Wannengebieten angeordnet ist. Weiterhin enthält die Gleichrichtereinrichtung eine Schalt-Schaltung (engl.: „switching circuit“), die dazu ausgebildet ist, ein erstes Wannengebiet des einen oder der mehr Wannengebiete mit dem Anodenanschluss elektrisch zu verbinden, solange sich die Eingangswechselspannung über einem Schwellenwert befindet, und die Spannung des ersten Wannengebietes zu der Eingangswechselspannung hin zu ziehen, solange sich die Eingangswechselspannung auf oder unter dem Schwellenwert befindet.
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公开(公告)号：DE102018110292B4
公开(公告)日：2019-12-19
申请号：DE102018110292
申请日：2018-04-27
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： PIDUTTI ALBINO , GADLER DAMIANO , PACHNIS IOANNIS
Abstract: Hierin wird eine Gleichrichtereinrichtung beschrieben. Gemäß einer Ausgestaltung enthält die Gleichrichtereinrichtung einen ersten Transistor mit einem Laststrompfad und eine Diode, die zwischen einem Anodenanschluss und einem Kathodenanschluss zu dem Laststrompfad parallel geschaltet ist. Im Betrieb wird zwischen den Anodenanschluss und den Kathodenanschluss eine Eingangswechselspannung angelegt. Die Gleichrichtereinrichtung enthält weiterhin eine Steuerschaltung, die mit einem Gateanschluss des ersten Transistors gekoppelt und dazu ausgebildet ist, den ersten Transistor für eine Einschaltdauer, während der die Diode in Vorwärtsrichtung vorgespannt ist, einzuschalten. Eine Klemmschaltung ist mit dem Gateanschluss des ersten Transistors gekoppelt und dazu ausgebildet, den ersten Transistor, während die Diode in Rückwärtsrichtung vorgespannt ist und wenn der Pegel der Eingangswechselspannung eine Klemmspannung erreicht, zumindest teilweise einzuschalten. Die Klemmschaltung enthält eine Schaltung, die zwischen den Kathodenanschluss und den Gateanschluss gekoppelt und dazu ausgebildet ist, eine Spannung abhängig von einem durch den Strompfad des ersten Transistors fließenden Laststrom bereitzustellen.
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公开(公告)号：DE102018107601A1
公开(公告)日：2018-10-04
申请号：DE102018107601
申请日：2018-03-29
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： PIDUTTI ALBINO , GADLER DAMIANO
Abstract: Eine Gleichrichtervorrichtung beinhaltet ein Halbleitersubstrat, einen Anodenanschluss und einen Kathodenanschluss, die durch einen Laststrompfad eines ersten MOS-Transistors und eine Diode, die mit dem Laststrompfad parallel verbunden ist, verbunden sind. Im Betrieb wird eine Wechseleingangsspannung zwischen dem Anodenanschluss und dem Kathodenanschluss angelegt. Ferner ist ein Steuerschaltkreis mit einer Gate-Elektrode des ersten MOS-Transistors gekoppelt und dazu konfiguriert, den ersten MOS-Transistor für eine Ein-Zeitperiode einzuschalten, während der die Diode in Durchlassrichtung vorgespannt ist. Ein Gate-Treiberschaltkreis ist in dem Steuerschaltkreis enthalten und beinhaltet einen Pufferkondensator und eine Kaskade aus zwei oder mehr Transistorstufen, die zwischen den Pufferkondensator und die Gate-Elektrode des ersten MOS-Transistors gekoppelt sind.
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公开(公告)号：DE102017126868A1
公开(公告)日：2018-06-14
申请号：DE102017126868
申请日：2017-11-15
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： PIDUTTI ALBINO , GADLER DAMIANO
IPC: H02M7/217
Abstract: Hierin wird ein Gleichrichter beschrieben. Gemäß einem Beispiel enthält der Gleichrichter einen ersten MOS-Transistor, der einen Laststrompfad und eine zu dem Laststrompfad parallel geschaltete Diode aufweist, wobei eine Eingangswechselspannung operabel über den Laststrompfad und die Diode angelegt ist. Die Gleichrichtereinrichtung enthält weiterhin eine Steuerschaltung, die dazu ausgebildet ist, den ersten MOS-Transistor für eine Ein-Zeitperiode, während der die Diode in Vorwärtsrichtung vorgespannt ist, einzuschalten. Eine Stand-by-Detektionsschaltung enthält eine Zyklusdetektionsschaltung, die dazu ausgebildet ist, Zyklen der Eingangswechselspannung zu detektieren, und einen Timer, der mit der Zyklusdetektionsschaltung gekoppelt ist. Der Timer ist dazu ausgebildet, durch die Zyklusdetektionsschaltung auf die Detektion eines Zyklus' der Eingangswechselspannung hin zurückgesetzt zu werden und eine Versorgungsleitung der Steuerschaltung zu unterbrechen, wenn er nicht zurückgesetzt wird, bevor eine maximale Zeitspanne abgelaufen ist.
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