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公开(公告)号：DE102019104691A1
公开(公告)日：2020-08-27
申请号：DE102019104691
申请日：2019-02-25
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： LENZ MICHAEL , GADLER DAMIANO , PACHNIS IOANNIS , PIDUTTI ALBINO
IPC: H03K17/06
Abstract: Im Folgenden wird eine integrierte Schaltung beschrieben. Gemäß einem Ausführungsbeispiel hat die integrierte Schaltung einen ersten Anschluss und einen zweiten Anschluss und weist einen MOS-Transistor mit einer Steuerelektrode und einem Laststrompfad auf, der dazu ausgebildet ist, einen Laststrompfad zwischen dem ersten Anschluss und dem zweiten Anschluss zu aktivieren und zu deaktivieren. Parallel zu dem Laststrompfad des MOS-Transistors ist eine Diode angeordnet. Die integrierte Schaltung weist weiter eine Detektorschaltung auf, die dazu ausgebildet ist, abhängig von einer Spannung zwischen dem ersten Anschluss und dem zweiten Anschluss ein Steuersignal zu erzeugen. Die integrierte Schaltung weist weiter eine Treiberschaltung mit einem Hauptzweig und einem ersten Feed-Forward-Zweig auf. Der Hauptzweig umfasst Schaltungskomponenten, die dazu ausgebildet sind, nach Maßgabe des Steuersignals eine Steuerspannung für die Steuerelektrode des MOS-Transistors zu erzeugen, und der Feed-Forward-Zweig umfasst Schaltungskomponenten, die dazu ausgebildet sind als Reaktion auf eine Flanke des Steuersignals einen Ladestrom oder, alternativ, einen Entladestrom zu erzeugen, der die Steuerelektrode des MOS-Transistors lädt bzw. entlädt.
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公开(公告)号：DE102018113145B4
公开(公告)日：2020-06-04
申请号：DE102018113145
申请日：2018-06-01
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： PIDUTTI ALBINO , GADLER DAMIANO , PACHNIS IOANNIS
Abstract: Gleichrichtereinrichtung, die aufweist:einen Halbleiterkörper (100), der mit Dotierstoffen eines ersten Dotierungstyps dotiert ist,ein oder mehr Wannengebiete (200, 300), die in dem Halbleiterkörper (100) angeordnet und mit Dotierstoffen eines zweiten Dotierungstyps dotiert sind; wobei das eine oder die mehr Wannengebiete (200, 300) und der umgebende Halbleiterkörper (100) einen pn-Übergang bilden;einen Anodenanschluss (A) und einen Kathodenanschluss (K), die durch einen Laststrompfad eines ersten MOS-Transistors (M) und eine zu dem Laststrompfad parallel geschaltete Diode (D) verbunden sind; wobei im Betrieb eine Eingangswechselspannung (V) zwischen den Anodenanschluss (A) und den Kathodenanschluss (K) angelegt wird;eine Steuerschaltung (11), die dazu ausgebildet ist, den ersten MOS-Transistor (M) für eine Einschaltdauer (T), während der die Diode (D) in Vorwärtsrichtung vorgespannt ist, einzuschalten; wobei der erste MOS-Transistor (M) und die Diode (D) in den Halbleiterkörper (100) integriert sind und die Steuerschaltung (11) zumindest teilweise in dem einen oder den mehr Wannengebieten (200, 300) angeordnet ist; undeine Schaltung (121) mit steuerbarem Widerstand, die elektrisch zwischen den Halbleiterkörper (100) und ein erstes Wannengebiet (200) des einen oder der mehr Wannengebiete geschaltet und dazu ausgebildet ist, einen resistiven Strompfad zwischen dem Halbleiterkörper (100) und dem ersten Wannengebiet (200) bereitzustellen, wobei der Widerstand des Strompfads von dem Momentanpegel der Eingangswechselspannung (V) abhängt.
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公开(公告)号：DE102018115055A1
公开(公告)日：2018-12-27
申请号：DE102018115055
申请日：2018-06-22
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： PIDUTTI ALBINO , GADLER DAMIANO
Abstract: Hierin wird eine Gleichrichtereinrichtung beschrieben. Gemäß einer beispielhaften Ausgestaltung enthält die Gleichrichtereinrichtung ein Halbleitersubstrat, das mit Dotierstoffen eines ersten Dotierungstyps dotiert ist, und zumindest ein Wannengebiet, das in dem Halbleitersubstrat angeordnet und mit Dotierstoffen eines zweiten Dotierungstyps dotiert ist. Dementsprechend bilden das zumindest eine Wannengebiet und das umgebende Halbleitersubstrat einen pn-Übergang. Die Gleichrichtereinrichtung enthält weiterhin ein Anodenterminal und ein Kathodenterminal, die durch einen Laststrompfad eines ersten MOS-Transistors und eine Diode, die zu dem Laststrompfad parallel geschaltet ist, verbunden sind. Eine Eingangswechselspannung ist operabel zwischen das Anodenterminal und das Kathodenterminal angelegt. Die Gleichrichtereinrichtung enthält weiterhin eine Steuerschaltung und eine Vorspannschaltung. Die Steuerschaltung ist dazu ausgebildet, den ersten MOS-Transistor für eine Ein-Zeitperiode, während der die Diode in Vorwärtsrichtung vorgespannt ist, einzuschalten. Der erste MOS-Transistor und die Diode sind in das Halbleitersubstrat integriert und die Steuerschaltung ist zumindest teilweise in dem zumindest einen Wannengebiet angeordnet. Die Vorspannschaltung ist dazu ausgebildet, eine Bias-Spannung zu erzeugen, die an das zumindest eine Wannengebiet angelegt wird, so dass der pn-Übergang in Rückwärtsrichtung vorgespannt wird.
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公开(公告)号：DE102017126875A1
公开(公告)日：2018-06-14
申请号：DE102017126875
申请日：2017-11-15
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： PIDUTTI ALBINO , GADLER DAMIANO , PACHNIS IOANNIS
Abstract: Hierin wird ein Gleichrichter beschrieben. Gemäß einem Beispiel enthält der Gleichrichter ein Halbleitersubstrat, und er enthält weiterhin ein Anodenterminal und ein Kathodenterminal, die durch einen Laststrompfad eines ersten MOS-Transistors und eine Diode, die zu einem Laststrompfad parallel geschaltet ist, verbunden sind. Eine Eingangswechselspannung ist operabel zwischen das Anodenterminal und das Kathodenterminal angelegt. Weiterhin enthält der Gleichrichter eine Steuerschaltung, die dazu ausgebildet ist, den ersten MOS-Transistor für eine Ein-Zeitperiode, während der die Diode in Vorwärtsrichtung vorgespannt ist, einzuschalten. Der erste MOS-Transistor, die Diode und die Steuerschaltung sind in das Halbleitersubstrat integriert.
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公开(公告)号：DE102017126058A1
公开(公告)日：2018-06-14
申请号：DE102017126058
申请日：2017-11-08
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： PIDUTTI ALBINO , GADLER DAMIANO , GIETLER HERBERT , KILIC YAVUZ , LENZ MICHAEL , PACHNIS IOANNIS
Abstract: Hierin wird ein Gleichrichter beschrieben. Gemäß einem Beispiel enthält der Gleichrichter ein Halbleitersubstrat, und er enthält weiterhin ein Anodenterminal und ein Kathodenterminal, die durch einen Laststrompfad eines ersten MOS-Transistors und eine zu einem Laststrompfad parallel geschaltete Diode verbunden sind. Eine Eingangswechselspannung ist operabel zwischen das Anodenterminal und das Kathodenterminal angelegt. Der Gleichrichter enthält weiterhin eine Steuerschaltung, die dazu ausgebildet ist, den ersten MOS-Transistor für eine Ein-Zeitperiode, während der die Diode in Vorwärtsrichtung vorgespannt ist, einzuschalten. Der erste MOS-Transistor, die Diode und die Steuerschaltung sind in das Halbleitersubstrat integriert.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：DE102018113146A1
公开(公告)日：2019-12-05
申请号：DE102018113146
申请日：2018-06-01
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： PIDUTTI ALBINO , GADLER DAMIANO , PACHNIS IOANNIS
Abstract: Hierin wird eine Gleichrichtereinrichtung beschrieben. Gemäß eine Ausgestaltung enthält die Gleichrichtereinrichtung einen Halbleiterkörper, der mit Dotierstoffen eines ersten Dotierungstyps dotiert ist, und ein oder mehr Wannengebiete, die in dem Halbleiterkörper angeordnet und mit Dotierstoffen eines zweiten Dotierungstyps dotiert sind. Dabei bilden ein oder mehr Wannengebiet und der umgebende Halbleiterkörper einen pn-Übergang. Die Gleichrichtereinrichtung enthält weiterhin einen Anodenanschluss und einen Kathodenanschluss, die durch einen Laststrompfad eines ersten MOS-Transistors und eine zu dem Laststrompfad parallele Diode verbunden sind. Während des Betriebs der Gleichrichtereinrichtung wird eine Eingangswechselspannung zwischen den Anodenanschluss und den Kathodenanschluss angelegt. Die Gleichrichtereinrichtung enthält eine Steuerschaltung, die dazu ausgebildet ist, den ersten MOS-Transistor für eine Einschaltdauer (engl.: „on-time periode“), während der die Diode in Vorwärtsrichtung vorgespannt ist, einzuschalten, wobei der erste MOS-Transistor und die Diode in den Halbleiterkörper integriert sind und die Steuerschaltung zumindest teilweise in dem einen oder den mehr Wannengebieten angeordnet ist. Weiterhin enthält die Gleichrichtereinrichtung eine Schalt-Schaltung (engl.: „switching circuit“), die dazu ausgebildet ist, ein erstes Wannengebiet des einen oder der mehr Wannengebiete mit dem Anodenanschluss elektrisch zu verbinden, solange sich die Eingangswechselspannung über einem Schwellenwert befindet, und die Spannung des ersten Wannengebietes zu der Eingangswechselspannung hin zu ziehen, solange sich die Eingangswechselspannung auf oder unter dem Schwellenwert befindet.
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公开(公告)号：DE102018113145A1
公开(公告)日：2019-12-05
申请号：DE102018113145
申请日：2018-06-01
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： PIDUTTI ALBINO , GADLER DAMIANO , PACHNIS IOANNIS
Abstract: Hierin wird eine Gleichrichtereinrichtung beschrieben. Gemäß einer Ausgestaltung enthält die Gleichrichtereinrichtung einen Halbleiterkörper, der mit Dotierstoffen eines ersten Dotierungstyps dotiert ist, und eine oder mehr Wannengebiete, die in dem Halbleiterkörper angeordnet und mit Dotierstoffen eines zweiten Dotierungstyps dotiert sind. Daher bilden das eine oder die mehr Wannengebiete und der umgebende Halbleiterkörper einen pn-Übergang. Die Gleichrichtereinrichtung enthält einen Anodenanschluss und einen Kathodenanschluss, die durch einen Laststrompfad eines ersten MOS-Transistors und eine Diode, die zu dem Laststrompfad parallel geschaltet ist, verbunden sind. Während des Betriebs wird zwischen den Anodenanschluss und den Kathodenanschluss eine Eingangswechselspannung angelegt. Die Gleichrichtereinrichtung enthält eine Steuerschaltung, die dazu ausgebildet ist, den ersten MOS-Transistor für eine Einschaltdauer (engl.: „on-time period“), während der die Diode in Vorwärtsrichtung vorgespannt ist, einzuschalten. Der erste MOS-Transistor und die Diode sind in den Halbleiterkörper integriert, und die Steuerschaltung ist zumindest teilweise in dem einen oder den mehr Wannengebieten angeordnet. Die Gleichrichtereinrichtung enthält weiterhin eine steuerbare Widerstandsschaltung, die elektrisch zwischen den Halbleiterkörper und ein erstes Wannengebiet der einen oder mehr Wannengebiete angeschlossen und dazu ausgebildet ist, einen resistiven Strompfad zwischen dem Halbleiterkörper und dem ersten Wannengebiet bereitzustellen. Der Widerstand des Strompfads hängt von dem Momentanpegel der Eingangswechselspannung ab.
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公开(公告)号：DE102018110292A1
公开(公告)日：2019-10-31
申请号：DE102018110292
申请日：2018-04-27
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： PIDUTTI ALBINO , GADLER DAMIANO , PACHNIS IOANNIS
Abstract: Hierin wird eine Gleichrichtereinrichtung beschrieben. Gemäß einer Ausgestaltung enthält die Gleichrichtereinrichtung einen ersten Transistor mit einem Laststrompfad und eine Diode, die zwischen einem Anodenanschluss und einem Kathodenanschluss zu dem Laststrompfad parallel geschaltet ist. Im Betrieb wird zwischen den Anodenanschluss und den Kathodenanschluss eine Eingangswechselspannung angelegt. Die Gleichrichtereinrichtung enthält weiterhin eine Steuerschaltung, die mit einem Gateanschluss des ersten Transistors gekoppelt und dazu ausgebildet ist, den ersten Transistor für eine Einschaltdauer, während der die Diode in Vorwärtsrichtung vorgespannt ist, einzuschalten. Eine Klemmschaltung ist mit dem Gateanschluss des ersten Transistors gekoppelt und dazu ausgebildet, den ersten Transistor, während die Diode in Rückwärtsrichtung vorgespannt ist und wenn der Pegel der Eingangswechselspannung eine Klemmspannung erreicht, zumindest teilweise einzuschalten. Die Klemmschaltung enthält eine Schaltung, die zwischen den Kathodenanschluss und den Gateanschluss gekoppelt und dazu ausgebildet ist, eine Spannung abhängig von einem durch den Strompfad des ersten Transistors fließenden Laststrom bereitzustellen.
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公开(公告)号：DE102017126871A1
公开(公告)日：2018-06-14
申请号：DE102017126871
申请日：2017-11-15
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： PIDUTTI ALBINO , GADLER DAMIANO , GIETLER HERBERT , LENZ MICHAEL
IPC: H02M7/21
Abstract: Hierin wird eine Gleichrichtereinrichtung beschrieben. Gemäß einem Beispiel enthält die Gleichrichtereinrichtung einen Transistor, der einen Laststrompfad und eine zu dem Laststrompfad parallel geschaltete Diode aufweist. Die Diode und der Laststrompfad sind zwischen ein Anodenterminal und ein Kathodenterminal geschaltet; eine Eingangswechselspannung ist operabel zwischen das Anodenterminal und das Kathodenterminal angelegt. Eine Steuerschaltung ist mit einem Gateterminal des Transistors gekoppelt und dazu ausgebildet, den Halbleiterschalter für eine Ein-Zeitperiode, während der die Diode in Vorwärtsrichtung vorgespannt ist, einzuschalten. Darüber hinaus ist eine Klemmschaltung mit einem Gateterminal des Transistors gekoppelt und dazu ausgebildet, den Transistor zumindest teilweise einzuschalten, während die Diode in Rückwärtsrichtung vorgespannt ist und der Pegel der Eingangswechselspannung eine Klemmspannung erreicht.
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公开(公告)号：DE102019104691B4
公开(公告)日：2022-10-13
申请号：DE102019104691
申请日：2019-02-25
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： LENZ MICHAEL , GADLER DAMIANO , PACHNIS IOANNIS , PIDUTTI ALBINO
IPC: H03K17/06
Abstract: Eine integrierte Schaltung, die folgendes aufweist:einen ersten Anschluss (A) und einen zweiten Anschluss (K);einen MOS-Transistor (TL) mit einer Steuerelektrode und einem Laststrompfad, welcher dazu ausgebildet ist, einen Laststrompfad zwischen dem ersten Anschluss (A) und dem zweiten Anschluss (K) zu aktivieren und zu deaktivieren,eine Diode (DR), die parallel zu dem Laststrompfad des MOS-Transistors (TL) angeordnet ist;eine Detektorschaltung (12), die dazu ausgebildet ist, abhängig von einer Spannung (VK) zwischen dem ersten Anschluss (A) und dem zweiten Anschluss (K) ein Steuersignal (VL) zu erzeugen;eine Treiberschaltung (13) mit einem Hauptzweig und einem ersten Feed-Forward-Zweig,wobei der Hauptzweig das Steuersignal (VL) empfängt und Schaltungskomponenten aufweist, die dazu ausgebildet sind, nach Maßgabe des Steuersignals (VL) eine Steuerspannung (VG) für die Steuerelektrode des MOS-Transistors (TL) zu erzeugen, undwobei der erste Feed-Forward-Zweig Schaltungskomponenten aufweist, die dazu ausgebildet sind als Reaktion auf eine Flanke des Steuersignals (VL) einen Ladestrom (iGC) oder Entladestrom (iGD) zu erzeugen, der die Steuerelektrode des MOS-Transistors (TL) lädt bzw. entlädt.
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