公开(公告)号：DE10245152B4

公开(公告)日：2013-10-10

申请号：DE10245152

申请日：2002-09-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GLASOW ALEXANDER VON ,  FISCHER ARMIN DR

IPC: G01R31/28 ,  G01R31/26 ,  H01L23/34 ,  H01L23/544

Abstract: Integrierte Test-Schaltungsanordnung (10), mit integrierten Teststrukturen (80 bis 86), und mit mindestens einem der folgenden Elemente oder Einheiten: einer integrierten Erfassungseinheit (102, 42), die für die Teststrukturen (80 bis 86) jeweils mindestens eine physikalische Eigenschaft erfasst, wobei die Erfassungseinheit mindestens eine Multiplexereinheit (102) enthält, deren Eingänge mit jeweils einer Teststruktur (80 bis 86) elektrisch verbunden sind, und/oder einer integrierten Versorgungseinheit, die die Teststrukturen unabhängig voneinander schaltbar versorgt und jeweils unabhängig voneinander mit einem Strom oder einer Spannung speist.

公开(公告)号：DE10254756B4

公开(公告)日：2011-07-07

申请号：DE10254756

申请日：2002-11-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GLASOW ALEXANDER VON ,  FISCHER ARMIN DR ,  HAGEN JOCHEN VON

IPC: H01L21/66 ,  G01R31/316 ,  H01L23/528 ,  H01L23/544

Abstract: Vorrichtung zur Erfassung von Spannungsmigrations-Eigenschaften eines Halbleiter-Bausteins (IC) auf Grund von mechanischen Spannungen mit einer Spannungsmigrations-Teststruktur (SMT), die im Halbleiter-Baustein (IC) zum Erfassen der Spannungsmigrations-Eigenschaften ausgebildet ist, wobei der Halbleiter-Baustein (IC) auf einem Bausteinträger (T) in einem produktrelevanten Gehäuse (G) endmontiert ist, gekennzeichnet durch eine integrierte Heizvorrichtung (IH), die innerhalb oder in unmittelbarer Nähe der Spannungsmigrations-Teststruktur (SMT) im Halbleiter-Baustein (IC) zum lokalen Erwärmen der Spannungsmigrations-Teststruktur (SMT) ausgebildet ist.

公开(公告)号：DE10227829A1

公开(公告)日：2004-01-15

申请号：DE10227829

申请日：2002-06-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GLASOW ALEXANDER VON ,  FISCHER ARMIN

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522