公开(公告)号：DE10349749B3

公开(公告)日：2005-05-25

申请号：DE10349749

申请日：2003-10-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FISCHER ARMIN ,  GLASOW ALEXANDER VON

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/525 ,  H01L21/768

公开(公告)号：DE102008054320A1

公开(公告)日：2009-06-04

申请号：DE102008054320

申请日：2008-11-03

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BARTH HANS-JOACHIM ,  BAUMGARTNER PETER ,  BENETIK THOMAS ,  KALTALIOGLU ERDEM ,  RIESS PHILIPP ,  RUDERER ERWIN ,  TEWS HELMUT ,  GLASOW ALEXANDER VON

IPC: H01L27/08 ,  H01L21/822

Abstract: Semiconductor devices and methods of manufacture thereof are disclosed. In one embodiment, a capacitor plate includes a plurality of first parallel conductive members, and a plurality of second parallel conductive members disposed over the plurality of first parallel conductive members. A first base member is coupled to an end of the plurality of first parallel conductive members, and a second base member is coupled to an end of the plurality of second parallel conductive members. A connecting member is disposed between the plurality of first parallel conductive members and the plurality of second parallel conductive members, wherein the connecting member includes at least one elongated via.

公开(公告)号：DE102008046864A1

公开(公告)日：2009-04-02

申请号：DE102008046864

申请日：2008-09-12

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BARTH HANS-JOACHIM ,  JETTEN HANS-GERD ,  TEWS HELMUT ,  GLASOW ALEXANDER VON

IPC: H01L27/08 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52

Abstract: The semiconductor structure (130) has a semiconductor chip (200) that is partially embedded within a support. An inductor (520) is electrically coupled to the semiconductor chip and portion of the inductor overlies in a magnetic region (300) which is outside the boundary of the semiconductor chip. An independent claim is included for manufacturing method of semiconductor structure.

公开(公告)号：DE102015101883A1

公开(公告)日：2015-08-13

申请号：DE102015101883

申请日：2015-02-10

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FISCHER ARMIN ,  LEHMANN GUNTHER ,  SIEGLER SASCHA ,  UNGAR FRANZ ,  GLASOW ALEXANDER VON

IPC: H01L23/525

Abstract: Eine Fuse (500) kann bereitgestellt werden, die aufweisen kann: eine erste Fuse-Verbindung (502-1), eine mit der ersten Fuse-Verbindung (502-1) in Reihe gekoppelte zweite Fuse-Verbindung (502-2), und ein Verbindungselement (902), das zwischen der ersten und der zweiten Fuse-Verbindung (502-2) gekoppelt und in derselben Ebene wie die erste und die zweite Fuse-Verbindung (502-2) angeordnet ist.

公开(公告)号：DE10254756A1

公开(公告)日：2004-06-09

申请号：DE10254756

申请日：2002-11-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GLASOW ALEXANDER VON ,  FISCHER ARMIN ,  HAGEN JOCHEN VON

IPC: G01R31/316 ,  H01L21/66 ,  H01L23/528 ,  H01L23/544

公开(公告)号：DE10218530B4

公开(公告)日：2005-02-24

申请号：DE10218530

申请日：2002-04-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WALTER WOLFGANG ,  HELNEDER JOHANN ,  SCHWERD MARKUS ,  KOERNER HEINRICH ,  GLASOW ALEXANDER VON ,  FISCHER ARMIN

IPC: H01L27/08 ,  H01L23/522

Abstract: Metallic structures serve as thermal shielding and as devices for transferring heat to a substrate and have first metallic crosspieces (16a-f) in a first metallized layer that stretch crosswise across strip resistors (10a-c), parallel to which and beneath which run second cross pieces (18a-i). The first crosspieces link to the substrate via metallic ridges (20a-d) to produce heat.

公开(公告)号：DE10245152A1

公开(公告)日：2004-04-08

申请号：DE10245152

申请日：2002-09-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GLASOW ALEXANDER VON ,  FISCHER ARMIN

IPC: G01R31/26 ,  G01R31/28 ,  H01L23/34 ,  H01L23/544

公开(公告)号：DE10241154A1

公开(公告)日：2004-03-11

申请号：DE10241154

申请日：2002-09-05

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GLASOW ALEXANDER VON ,  FISCHER ARMIN

IPC: G06F17/50 ,  H01L21/768 ,  H01L21/82 ,  H01L23/522

Abstract: Integrated switching arrangement (10) comprises a metallization layer (16) containing electrically conducting pathways (14), a conducting pathway dielectric (18) between the conducting pathways, an electrically conducting pathway intermediate material (20) arranged on a side surface (40) of a conducting pathway and dielectric, electrically conducting connecting sections (12), a connecting dielectric (24) between the connecting sections, and connecting section intermediate material (28) arranged between a connecting section and the dielectric and/or between a connecting section and a conducting pathway. Independent claims are also included for the following: (1) Process for the production of design data for the manufacture of the integrated switching arrangement; (2) Program used in the design production process; and (3) Device, especially a data processing device, for producing design data.

公开(公告)号：DE10218530A1

公开(公告)日：2003-11-20

申请号：DE10218530

申请日：2002-04-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WALTER WOLFGANG ,  HELNEDER JOHANN ,  SCHWERD MARKUS ,  KOERNER HEINRICH ,  GLASOW ALEXANDER VON ,  FISCHER ARMIN

IPC: H01L27/08 ,  H01L23/522

Abstract: Metallic structures serve as thermal shielding and as devices for transferring heat to a substrate and have first metallic crosspieces (16a-f) in a first metallized layer that stretch crosswise across strip resistors (10a-c), parallel to which and beneath which run second cross pieces (18a-i). The first crosspieces link to the substrate via metallic ridges (20a-d) to produce heat.

公开(公告)号：DE102008054320B4

公开(公告)日：2015-03-05

申请号：DE102008054320

申请日：2008-11-03

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BARTH HANS-JOACHIM DR ,  BAUMGARTNER PETER ,  BENETIK THOMAS ,  KALTALIOGLU ERDEM ,  RIESS PHILIPP ,  RUDERER ERWIN ,  TEWS HELMUT ,  GLASOW ALEXANDER VON

IPC: H01L21/822 ,  H01L27/08

Abstract: Verfahren zum Herstellen eines Kondensators (360), wobei das Verfahren folgendes aufweist: Ausbilden einer ersten Platte (310a) und einer zweiten Platte (310b) über einem Werkstück; und Ausbilden eines Kondensatordielektrikums (324a, 324b, 324c) zwischen der ersten Platte (310a) und der zweiten Platte (310b), wobei das Ausbilden der ersten Platte (310a) und der zweiten Platte (310b) jeweils folgendes aufweisen: Bilden mehrerer erster in horizontaler Richtung verlaufender paralleler leitender Elemente (312); Ausbilden mehrerer zweiter in horizontaler Richtung verlaufender paralleler leitender Elemente (314) über den mehreren ersten parallelen leitenden Elementen (312); Koppeln eines ersten Basiselements (316) an ein Ende mindestens einiger der mehreren ersten parallelen leitenden Elemente (312); Koppeln eines zweiten Basiselements (318) an ein Ende von mindestens einigen der mehreren zweiten parallelen leitenden Elemente (314); und Ausbilden mindestens eines verbindenden Elements (320) zwischen den mehreren ersten parallelen leitenden Elementen (312) und den mehreren zweiten parallelen leitenden Elementen (314), wobei das Ausbilden des mindestens einen verbindenden Elements (320) das Ausbilden mindestens eines in horizontaler Richtung länglichen Vias (322) aufweist und wobei das Ausbilden der ersten Platte (310a) und der zweiten Platte (310b) das Verschachteln der mehreren ersten parallelen leitenden Elemente (312) der ersten Platte (310a) mit den mehreren ersten parallelen leitenden Elementen (312) der zweiten Platte (310b) und das Verschachteln der mehreren zweiten parallelen leitenden Elemente (314) der ersten Platte (310a) mit den mehreren zweiten parallelen leitenden Elementen (314) der zweiten Platte (310b) aufweist, wobei die mehreren ersten parallelen leitenden Elemente (312) und die ersten Basiselemente (316) in einem ersten Isoliermaterial (324a) ausgebildet werden, wobei das Ausbilden der verbindenden Elemente (320) und der zweiten parallelen leitenden Elemente (314) das Ausbilden eines zweiten Isoliermaterials (324b, 324c) mit einem unteren Abschnitt und einem oberen Abschnitt über dem ersten Isoliermaterial ...