公开(公告)号：DE102008054923A1

公开(公告)日：2010-07-01

申请号：DE102008054923

申请日：2008-12-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZ MARTIN

IPC: H01L25/18 ,  H01L23/043 ,  H01L23/06 ,  H01L23/373 ,  H01L23/492 ,  H01L29/92

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Leistungshalbleitermodul mit wenigstens einem Schaltungsträger (2), auf dem zumindest ein Leistungshalbleiterchip (1) angeordnet ist. Außerdem ist ein Gehäuse vorgesehen, in dem der zumindest eine Leistungshalbleiterchip (1) angeordnet ist. In eine Wand (25, 26) des Gehäuses ist ein Korpus (90) eines Kondensatos (C1, C2) integriert.

公开(公告)号：DE102008048005B3

公开(公告)日：2010-04-08

申请号：DE102008048005

申请日：2008-09-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZ MARTIN

IPC: H01L23/373 ,  H01L23/367 ,  H01L23/48

Abstract: A power semiconductor module assembly is disclosed including a power semiconductor module comprising a load terminal electrically conductively joined to a contact conductor. Part of the heat materializing during operation of the power semiconductor module in the load terminal is dissipated by using a heat dissipating element.