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公开(公告)号：DE102014208526B4
公开(公告)日：2020-01-30
申请号：DE102014208526
申请日：2014-05-07
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： SCHULZ MARTIN
Abstract: Elektronikbaugruppe mit:einem dielektrischen Keramikkörper (5), der eine Oberseite (5t) und eine der Oberseite (5t) entgegengesetzte Unterseite (5b) aufweist;einer ersten Metallisierungsschicht (1), die auf der Oberseite (5t) angeordnet ist;einer zweiten Metallisierungsschicht (2), die zwischen der Oberseite (5t) und der Unterseite (5b) angeordnet und in den Keramikkörper (5) eingebettet ist;einem Halbleiterbauelement (6), das auf der ersten Metallisierungsschicht (1) angeordnet ist; undeinem elektronischen Bauelement (8, 9), das zwischen der Oberseite (5t) und der Unterseite (5b) angeordnet und in den Keramikkörper (5) eingebettet ist; wobeider Keramikkörper (5) eine Anzahl von Vorsprüngen (51) aufweist, die- an der der ersten Metallisierungsschicht (1) entgegengesetzten Seite (5b) des Keramikkörpers (5) ausgebildet sind; und- als Kühlrippen oder Kühlpins ausgebildet sind.
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公开(公告)号：DE102011083645A1
公开(公告)日：2013-03-28
申请号：DE102011083645
申请日：2011-09-28
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： SCHULZ MARTIN
Abstract: Ladevorrichtung für wiederaufladbare Batterien mit einem Matrix-Umrichter (6), der aus einem ihm zugeführten Dreiphasenwechselstrom einen demgegenüber in Amplitude und Frequenz veränderten zweiten Dreiphasenwechselstrom generiert, einem dem Matrix-Umrichter (6) nachgeschalteten Drehstromtransformator (42), der einen von dem zweiten Dreiphasenwechselstrom galvanisch getrennten dritten Dreiphasenwechselstrom bereitstellt, wobei der zweite Dreiphasenwechselstrom, mit dem der Drehstromtransformator (42) gespeist wird, eine Frequenz von mehr als 200 Hz aufweist, und einem dem Drehstromtransformator (42) nachgeschalteten Dreiphasengleichrichter (23), der den dritten Dreiphasenwechselstrom in einen einzelnen Gleichstrom zur Ladung der Batterie umwandelt.
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公开(公告)号：DE102020100584A1
公开(公告)日：2021-03-11
申请号：DE102020100584
申请日：2020-01-13
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： SCHULZ MARTIN , KONAKANCHI AJAY KUMAR TEJASWI , KLOCKENKAEMPER STEFAN
IPC: H01L23/473 , H01L23/10
Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung umfasst das Bereitstellen eines Trägers, der dazu ausgebildet ist, zumindest einen Halbleiterchip auf einer ersten Seite zu tragen und das Dispensieren eines Polymers auf eine der ersten Seite gegenüberliegende zweite Seite zum Erzeugen eines Dichtungsrings, wobei das Polymer derart dispensiert wird, dass der erzeugte Dichtungsring entlang seines Umfangs unterschiedliche Höhen senkrecht zur zweiten Seite aufweist.
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公开(公告)号：DE102008054923B4
公开(公告)日：2018-04-26
申请号：DE102008054923
申请日：2008-12-18
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： SCHULZ MARTIN
IPC: H01L25/18 , H01L23/043 , H01L23/06 , H01L23/373 , H01L23/492 , H01L29/92
Abstract: Leistungshalbleitermodul mitwenigstens einem Schaltungsträger (2), auf dem zumindest ein Leistungshalbleiterchip (1) angeordnet ist;einem Gehäuse, in dem der zumindest eine Leistungshalbleiterchip (1) angeordnet ist;einem Kondensator (C1, C2) mit einem Korpus (90), der in eine Wand (25, 26, 27, 5) des Gehäuses integriert ist, wobei der Kondensator (C1, C2) eine Kapazität von wenigstens 470 µF sowie ein Dielektrikum (90c) mit Bariumtitanat aufweist.
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公开(公告)号：DE102008052029A1
公开(公告)日：2009-06-18
申请号：DE102008052029
申请日：2008-10-16
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： JANSEN UWE , SCHULZ MARTIN
Abstract: A semiconductor module comprises at least one semiconductor chip having at least one semiconductor switch. The at least one semiconductor chip is arranged on a carrier substrate. At least one driver component drives the at least one semiconductor switch. The at least one driver component is arranged on a circuit board. The at least one driver component has at least one input for receiving a control signal. The circuit board has a galvanic isolation in a signal path between the at least one driver component and the at least one semiconductor chip.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：DE102016009665A1
公开(公告)日：2018-02-15
申请号：DE102016009665
申请日：2016-08-09
Applicant: DAIMLER AG , INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： RANDOLL RICHARD , SCHULZ MARTIN
Abstract: Die Erfindung betrifft eine Verbindungseinrichtung (16) für ein Kraftfahrzeug (10) zum elektrischen Verbinden einer fahrzeugexternen, einen Wechselstrom bereitstellenden Ladevorrichtung (14) mit einem kraftfahrzeugseitigen Energiespeicher (12), wobei die Verbindungseinrichtung (16) einen luftgekühlten Matrixumrichter (22) aufweist, welcher dazu ausgelegt ist, den von der Ladevorrichtung (14) bereitgestellten Wechselstrom in einen Gleichstrom zum Laden des kraftfahrzeugseitigen Energiespeichers (12) umzuwandeln. Die Erfindung betrifft außerdem ein Verfahren zum Laden eines kraftfahrzeugseitigen Energiespeichers (12).
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公开(公告)号：DE102011083224A1
公开(公告)日：2013-03-28
申请号：DE102011083224
申请日：2011-09-22
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： SCHULZ MARTIN
IPC: H01L23/373 , C09K5/08 , G01K11/12
Abstract: Die Erfindung betrifft eine Wärmeleitpaste (5) mit thermochromen Eigenschaften, die durch thermochrome Farbbestandteile in der Wärmeleitpaste (5) erreicht werden. Je nach Art der thermochromen Farbbestandteile verändert sich die Farbe der Wärmeleitpaste (5) bei einer Temperaturänderung reversibel oder irreversibel. Hierdurch können die Temperatur und die Wärmeverteilung in der Wärmeleitpaste (5) mit Hilfe der Farbe bzw. der Farbverteilung ermittelt werden. Durch die Verwendung von Farbbestandteilen, die irreversibel thermochrome Eigenschaften aufweisen, lassen sich so außerdem Aussagen über die bei einem vorangehenden Betrieb erreichten Temperaturen einer mit der Wärmeleitpaste (5) versehenen Anordnung (100) treffen.
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公开(公告)号：DE102014208526A1
公开(公告)日：2015-12-03
申请号：DE102014208526
申请日：2014-05-07
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： SCHULZ MARTIN
Abstract: Die Erfindung betrifft eine Elektronikbaugruppe mit einem dielektrischen Keramikkörper (5), der eine Oberseite (5t) und eine der Oberseite (5t) entgegengesetzte Unterseite (5b) aufweist, sowie mit einer ersten Metallisierungsschicht (1), die auf der Oberseite (5t) angeordnet ist und einer zweiten Metallisierungsschicht (2), die zwischen der Oberseite (5t) und der Unterseite (5b) angeordnet und in den Keramikkörper (5) eingebettet ist. Auf der ersten Metallisierungsschicht (1) ist ein Halbleiterbauelement (6) angeordnet, und ein elektronisches Bauelement (8, 9) ist zwischen der Oberseite (5t) und der Unterseite (5b) angeordnet und in den Keramikkörper (5) eingebettet.
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公开(公告)号：DE102009029044B3
公开(公告)日：2010-11-18
申请号：DE102009029044
申请日：2009-08-31
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： SCHULZ MARTIN
Abstract: Es wird ein Leistungshalbleitermodul offenbart, das Folgendes aufweist: ein Substrat, eine auf dem Substrat angeordnete strukturierte Metallisierungsschicht und eine Gleichrichter-Brückenschaltung, die zwei Gleichstrom-Ausgangsanschlüsse und zwei oder mehrere Wechselstrom-Eingangsanschlüsse aufweist, wobei die Brückenschaltung zumindest einen, in einem ersten Halbleiterchip integrierten, steuerbaren elektronischen Schalter umfasst, der auf der Metallisierungsschicht angeordnet und zwischen einen Wechselstrom-Eingangsanschluss und einen Gleichstrom-Ausgangsanschluss geschaltet ist. Das Modul umfasst des Weiteren Anschlüsse für eine Zwischenkreiskondensator-Anordnung, die zwischen die Gleichstrom-Ausgangsanschlüsse geschaltet ist, und eine Zwischenkreiskondensator-Ladeschaltung, die zumindest eine, dem steuerbaren elektronischen Schalter parallel geschaltete Serienschaltung aus einem Widerg ist dabei vollständig in einem oder mehreren Halbleiter-Chips integriert.
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公开(公告)号：DE102008059130A1
公开(公告)日：2009-07-16
申请号：DE102008059130
申请日：2008-11-26
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： KANSCHAT PETER , SCHULZ MARTIN
Abstract: The invention relates to an arrangement comprising a shunt resistor with at least an electrically conductive first connecting leg and an electrically conductive second connecting leg. A resistance area of the shunt resistor is electrically connected to the first connecting leg and to the second connecting leg. The arrangement further comprises a circuit carrier with a first metallization and a second metallization. The first connecting leg is directly joined to the first metallization and the second connecting leg is directly joined to the second metallization. The resistance area of the shunt resistor is in thermal contact with the thermally conductive substrate by use of a thermal filler arranged between the resistance area and the substrate, and/or by directly contacting the resistance area with the substrate. The invention further relates to a method for producing an arrangement with a shunt resistor and a circuit carrier.
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