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公开(公告)号：CN113207309A
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202080006107.0
申请日：2020-06-04
Applicant: JX金属株式会社
Inventor： 冈俊介 , 栗田英树 , 铃木健二
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种良好地抑制基板背面的翘曲的磷化铟基板、半导体外延晶片以及磷化铟基板的制造方法。磷化铟基板是具有用于形成外延晶体层的主面和主面的相反侧的背面的磷化铟基板，在使磷化铟基板的背面朝上的状态下测定出的、背面的SORI值为2.5μm以下。
