有机电致发光显示器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN1783488A

    公开(公告)日:2006-06-07

    申请号:CN200510123763.6

    申请日:2005-11-22

    Abstract: 本发明公开一种有机电致发光显示器件,该器件包括第一基板和第二基板;位于第一基板上的阵列元件,所述阵列元件包括位于各子像素中的至少一个薄膜晶体管(TFT);位于第二基板上的第一电极;位于第一电极上包括各子像素边界区域的第一缓冲区和位于包括第一缓冲区台阶部分的区域的第二缓冲区的缓冲层,其中通过第一和第二缓冲区形成底切结构;位于由第二缓冲区划分的各子像素中的有机电致发光层;形成于有机电致发光层上的第二电极;以及用于将TFT电连接到第二电极的导电衬垫料。

    有机电致发光器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN1697578A

    公开(公告)日:2005-11-16

    申请号:CN200510069454.5

    申请日:2005-05-10

    Inventor: 裵晟埈 李在允

    CPC classification number: H01L27/3253 H01L27/3246 H01L2251/5315

    Abstract: 本发明提供了一种有机电致发光器件。在该有机电致发光器件中,第一电极和第二电极彼此相对并以预定间隔互相分开放置,并且包括用于再现图像的子像素。阵列元件形成在第一基板的各子像素中,并且包括至少一个TFT。有机电致发光二极管形成在第二基板的各子像素中。用金属部分覆盖的衬垫料用于电连接第一和第二基板。TFT的漏极和有机电致发光二极管的第一电极(阳极)通过用金属部分覆盖的衬垫料被电连接。

    有机电致发光器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN1694592A

    公开(公告)日:2005-11-09

    申请号:CN200510068264.1

    申请日:2005-04-30

    Inventor: 裵晟埈 李在允

    CPC classification number: H01L27/3248 H01L27/3246 H01L27/326 H01L51/5221

    Abstract: 本发明公开了一种有机电致发光器件。在基板上由栅线和数据线限定的子像素区中形成薄膜晶体管(TFT),在形成有TFT的基板上依次形成钝化层和第一电极,在钝化层和第一电极的预定部分形成接触孔以暴露所述TFT的漏极,电极隔离体和缓冲层偏离所述栅线预定位置,使得对应于子像素的发光区和包括TFT的接触孔的区域分隔开,在由缓冲区限定的区域中形成有机电致发光层,在有机电致发光层上形成第二电极并且通过接触孔连接到TFT的漏极。

    有机电致发光器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN1694585A

    公开(公告)日:2005-11-09

    申请号:CN200510070414.2

    申请日:2005-04-30

    Inventor: 裵晟埈 李在允

    CPC classification number: H01L27/3253 H01L2251/5315

    Abstract: 有机电致发光器件及其制造方法。提供了一种有机电致发光器件。将第一基板和第二基板设置为相互分开预定距离,并在这些基板中限定有多个子像素。阵列元件具有形成在子像素单元中的第一基板的内表面上的至少一个薄膜晶体管(TFT)。导电隔体与阵列元件的驱动TFT电连接。在第二基板的内表面上布置有用于有机电致发光二极管的第一电极。在子像素单元中的第一电极上依次形成有有机电致发光层和用于该有机电致发光二极管的第二电极。使第一基板和第二基板错开预定位置并相互接合,以使得导电隔体与设置在第二电极上的导电隔体接触区相接触。

    有机电致发光显示器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN101097379A

    公开(公告)日:2008-01-02

    申请号:CN200710123486.8

    申请日:2007-06-25

    Inventor: 李在允 李晙硕

    CPC classification number: H01L27/3251 H01L27/3246 H01L51/5212 H01L51/56

    Abstract: 本发明公开了一种显示器件,其包括第一基板、第二基板、衬垫料和连接电极。第一基板包括有机电致发光二极管器件,第二基板面对第一基板并包括薄膜晶体管。连接电极电连接薄膜晶体管和有机电致发光二极管器件。显示器件进一步包括配置为隔离两个相邻的像素区域的第一缓冲图案和叠在第一缓冲图案上并具有预定形状的第二缓冲图案。第一缓冲图案是可蚀刻的以产生在两个相邻像素区域之间的空腔。空腔可放大至保持第二缓图案形状的程度。

    有机薄膜晶体管及其制造方法

    公开(公告)号:CN101013740A

    公开(公告)日:2007-08-08

    申请号:CN200610145257.1

    申请日:2006-11-24

    Inventor: 韩敞昱 李在允

    Abstract: 本发明公开了一种有机薄膜晶体管及其制造方法,其通过降低在有机半导体层和源极/漏极之间的接触面积中产生的接触电阻而提高器件特性。该有机薄膜晶体管包括形成在基板上的栅极;形成在该栅极上的栅绝缘层;与栅极两侧边缘重叠并形成在栅绝缘层上的源极/漏极;形成在包括源极/漏极的栅绝缘层上的有机半导体层;形成在栅绝缘层和源极/漏极之间具有亲水特性的第一粘合层;以及形成在有机半导体层和栅绝缘层之间具有疏水特性的第二粘合层。

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