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公开(公告)号：CN1892314A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200610087805.X
申请日：2006-06-09
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
Inventor： 蔡基成
IPC: G02F1/133 , G02F1/136 , G02F1/1333 , H01L21/00
CPC classification number: G02F1/1368 , G02F1/136213 , G02F2001/13606 , H01L27/12 , H01L27/1248 , H01L29/42384
Abstract: 提供了一种用于液晶显示器的阵列基板及其制造方法，该阵列基板具有根据位置而不同的电容。用于液晶显示器的阵列基板包括：形成在透明绝缘基板的上方的栅极；栅绝缘层；形成在栅绝缘层上方的半导体层；彼此间隔开地位于半导体层的两侧的源极和漏极；钝化层；以及通过穿透钝化层的接触孔而接触漏极的像素电极。栅绝缘层包含有机绝缘材料。栅绝缘层在其中形成有栅极的区域中的部分比栅绝缘层在其中选通线与数据线彼此交叉的区域中的部分要薄。
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公开(公告)号：CN1388405A
公开(公告)日：2003-01-01
申请号：CN02120490.X
申请日：2002-05-21
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
IPC: G02F1/136
CPC classification number: G02F1/13458 , G02F1/1362 , G02F1/136213
Abstract: 本发明公开了一种液晶显示装置的阵列衬底和该阵列衬底的制造方法。所述阵列衬底包括衬底,在衬底上沿第一方向设置的栅极线,平行于栅极线且与栅极线彼此相隔一定距离的公用线,其中公用线用与栅极线相同的材料制作。所述阵列衬底还包括处于栅极线和公用线上的栅极绝缘层,处于栅极绝缘层上的半导体层,和用透明导电材料制成的象素电极,所述象素电极包括漏极区段。漏极区段与半导体层重叠而且透明材料的源极与漏极区段彼此相隔一定距离。钝化层包括处于象素电极和源极之上的第一接触孔和开口部分,其中第一接触孔暴露源极而开口部分暴露象素电极。在钝化层上沿第二方向设置数据线,数据线通过第一接触孔与源极相连并与栅极线交叉。
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公开(公告)号：CN101290420A
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：CN200710307380.3
申请日：2007-12-29
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
IPC: G02F1/1335 , G02F1/1333 , G03F7/00
CPC classification number: G02F1/133516
Abstract: 本发明涉及液晶显示板及其制造方法，该液晶显示板具有改进的颜色再现性及优异的图像质量。该液晶显示板包括：滤色器阵列基板，其包括设置在基板上的黑底和多个滤色器，其中，每一个滤色器都包括分别产生不同颜色的第一滤色器、第二滤色器和第三滤色器；以及从第四、第五、第六滤色器中选择的至少一个滤色器，所述第四滤色器产生第一滤色器和第二滤色器的混合颜色，所述第五滤色器产生第二滤色器和第三滤色器的混合颜色，所述第六滤色器产生第一滤色器和第三滤色器的混合颜色。
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公开(公告)号：CN101281332A
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200710307381.8
申请日：2007-12-29
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
Inventor： 蔡基成
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1343 , H01L27/12 , G02F1/1333 , H01L21/84
Abstract: 本发明提供液晶显示装置的阵列基板及该阵列基板的制造方法。阵列基板包括：基板；基板上的沿第一方向的选通线；沿第二方向形成并与选通线交叉以限定第一、第二和第三像素区的数据线；在选通线与数据线的交叉点处的薄膜晶体管；分别顺序布置在第一、第二和第三像素区中的红色、绿色和蓝色滤色器图案；分别与第一、第二和第三像素区对应并分别接收第一、第二和第三公共电压的第一、第二和第三公共线，第二公共电压不同于第一和第三公共电压；在红色、绿色和蓝色滤色器图案中的每一个的上方并连接至一个薄膜晶体管的像素电极；和在红色、绿色和蓝色滤色器图案中的每一个的上方，连接至第一、第二和第三公共线中的一个且与像素电极间隔开的公共电极。
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公开(公告)号：CN100385267C
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN200510080118.0
申请日：2005-06-29
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
IPC: G02B5/20 , G03F7/20 , G02F1/1335
Abstract: 滤色片阵列基板的制造方法包括下列步骤：使用第一软模具在基板上形成黑矩阵，分别使用第二、第三和第四软模具在其上形成有黑矩阵的基板上形成红色，绿色，蓝色滤色片，在其上形成有红色，绿色和蓝色滤色片的基板上形成包含白色滤色片的涂覆层，将平板软模具与涂覆层对准，以及使用所述平板软模具将涂覆层平坦化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1991524A
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN200610094342.X
申请日：2006-06-30
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
IPC: G02F1/1337 , G02F1/1333
CPC classification number: G02F1/133711 , B82Y30/00 , G02F1/133719 , G02F2001/133765 , Y10T428/10 , Y10T428/1005 , Y10T428/1014 , Y10T428/1059 , Y10T428/1086
Abstract: 具有有机配向层的液晶显示器件及其制造方法。一种液晶显示器件的配向结构包括：基板；以一间隔设置在基板上的多个区域限定条；以及设置在区域限定条之间的有机配向条。
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公开(公告)号：CN1967384A
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：CN200610087175.6
申请日：2006-06-15
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
IPC: G03F7/14 , G03F7/20 , H01L21/00 , G02F1/1333
CPC classification number: G03F7/0002 , B82Y10/00 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , G02F2001/136295 , G02F2202/36 , G03G13/26 , G03G13/28 , G03G13/283 , G03G13/286 , H01L27/124 , H01L27/1292
Abstract: 本发明提供了一种制造印模、薄膜晶体管和采用该薄膜晶体管的液晶显示器件的方法。该印模具有相对于基板改进的接触性能。使用该印模在基板上形成带电区域，并且涂布或者电镀充有与该带电区域的电荷相反的电荷的纳米材料以形成自组装单层(SAM)。因此，该薄膜晶体管和该液晶显示器件能够具有精确的纳米图案，由此提高该器件的性能。
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公开(公告)号：CN1892376A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200510126149.5
申请日：2005-11-30
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
Inventor： 蔡基成
CPC classification number: H01L27/12 , G02F1/1368 , H01L27/1292 , H01L29/04 , H01L29/78696
Abstract: 本发明公开了一种LCD器件及其制造方法。LCD器件包括具有像素区域的基板。栅极形成在像素区域中。栅绝缘膜形成在包括栅极的基板上。导电层形成在包括栅绝缘膜的基板上。包含纳米半导体材料的半导体层形成在栅极上面的导电层上。源极和漏极重叠在半导体层的相对两侧。钝化层形成在包括源极和漏极的基板上。钝化层中的第一接触孔暴露漏极。像素区域中的像素电极通过第一接触孔连接到漏极。
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公开(公告)号：CN1845341A
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：CN200610073140.7
申请日：2006-04-06
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L27/00 , H01L21/336 , H01L21/82
CPC classification number: H01L27/1222 , B82Y10/00 , H01L27/1214 , H01L27/127 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/41733 , H01L29/4908 , H01L29/66757 , H01L29/775 , H01L29/78696 , Y10S977/762
Abstract: 一种薄膜晶体管包括：基板上的硅纳米线，硅纳米线具有中间部分和中间部分的两侧部分；位于中间部分上的栅极；以及在两侧部分上的源极和与源极分隔开的漏极，其中源极和漏极分别电连接到硅纳米线。
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公开(公告)号：CN1845340A
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：CN200610072572.6
申请日：2006-04-07
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L27/12 , H01L21/336 , H01L21/84
CPC classification number: H01L27/1222 , B82Y10/00 , H01L27/1214 , H01L27/127 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/78696 , Y10S977/70 , Y10S977/732 , Y10S977/742 , Y10S977/762
Abstract: 薄膜晶体管及其制造方法。薄膜晶体管包括：位于基板上的包括多个同轴硅纳米线的多同轴硅纳米线单元，该多同轴硅纳米线单元包括中央部分和该中央部分的端部；位于中央部分上的栅极；以及按电连接到多同轴硅纳米线单元的方式分别位于相应的端部上的源极和漏极。
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