公开(公告)号：WO2013045369A1

公开(公告)日：2013-04-04

申请号：PCT/EP2012/068675

申请日：2012-09-21

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  STREITEL, Reinhard

Inventor： STREITEL, Reinhard

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/83 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/75 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32013 ,  H01L2224/75272 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/8309 ,  H01L2224/83091 ,  H01L2224/83092 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83207 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/83948 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/365 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: Es wird ein Bauelement und ein Verfahren zum Herstellen dieses Bauelementes beschrieben, wobei das Bauelement zumindest einen Bauelemente-Chip (1), eine Interconnect-Schicht (2) und ein Trägersubstrat (3) aufweist. Der mindestens eine Bauelemente-Chip (1) ist über eine Interconnect-Schicht (2) mit dem Trägersubstrat (3) verbunden, wobei die Interconnect-Schicht (2) durch verdichtendes druckloses Sintern von auf dem Trägersubstrat (3) aufgebrachtem Sintermaterial gebildet ist. Der Sinterprozess erfolgt durch gleichzeitiges Einwirken von Wärme (11) und Ultraschall (4) auf das Sintermaterial.

Abstract translation: 它用于制备本组件，设备和一种方法，其中所述部件具有至少一个元件芯片中所述（1）中，互连层（2）和载体衬底（3）。 所述至少一个元件芯片（1）被通过互连层（2）与载体衬底（3），其特征在于，（2）的互连层沉积烧结材料连接是通过在载体衬底（3）上致密的无压烧结形成。 烧结过程通过加热（11）和超声（4）烧结材料同时施加进行。

公开(公告)号：WO2012072519A1

公开(公告)日：2012-06-07

申请号：PCT/EP2011/071074

申请日：2011-11-25

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  STREITEL, Reinhard

Inventor： STREITEL, Reinhard

IPC: H01L31/0203 ,  H01L33/48 ,  H01S5/022 ,  H01L23/29 ,  C09J9/02

CPC classification number: H01L24/29 ,  H01L24/27 ,  H01L24/32 ,  H01L24/743 ,  H01L24/83 ,  H01L31/0203 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/29006 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29298 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/838 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2224/2929

Abstract: Es ist ein optoelektronisches Bauelement (10) angegeben, das einen Halbleiterchip (1), ein Trägersubstrat (2) und eine Verbindungsschicht (3) aufweist. Der Halbleiterchip (1) weist eine zur Strahlungserzeugung geeignete aktive Schicht auf und ist auf dem Trägersubstrat (2) angeordnet. Die Verbindungsschicht (3) verbindet den Halbleiterchip (1) mit dem Trägersubstrat (2) elektrisch leitend und mechanisch. Die Verbindungsschicht (3) umfasst eine erste Schicht (3a) und eine zumindest bereichsweise darauf angeordnete zweite Schicht (3b). Die zweite Schicht (3b) ist korrosionsbeständiger als die erste Schicht (3a). Weiter ist ein Verfahren zum Herstellen eines derartigen Bauelements (10) angegeben.

Abstract translation: 表示包括半导体芯片的光电元件（10）（1）中，载体基板（2）和一个粘接层（3）。 在半导体芯片（1）包括适合于产生辐射活性层和设置在所述载体基片（2）上的设备。 连接层（3）的半导体芯片（1）与载体衬底（2）导电性连接和机械连接。 连接层（3）包括第一层（3a）和一个至少部分地设置在其上的第二层（3b）中。 所述第二层（3b）进行的多种腐蚀比第一层（3a）的抗性。 此外，被指定制造这种装置（10）的方法。