公开(公告)号：WO2007095465A3

公开(公告)日：2008-01-10

申请号：PCT/US2007061916

申请日：2007-02-09

Applicant: QUALCOMM INC ,  CHUN DEXTER TAMIO ,  PATIL AJIT B ,  FITOZ CUNEYT ,  GORDON DWIGHT ,  HUANG YU-HSIANG ,  MICHAELIS OLIVER

Inventor： CHUN DEXTER TAMIO ,  PATIL AJIT B ,  FITOZ CUNEYT ,  GORDON DWIGHT ,  HUANG YU-HSIANG ,  MICHAELIS OLIVER

IPC: G06F21/00

CPC classification number: G06F21/64 ,  G06F21/575

Abstract: Techniques to securely boot up an electronics device (e.g., a cellular phone) from an external storage device are described. Secure data (e.g., a hash digest, a signature, a cryptographic key, and so on) is initially retrieved from a non-writable area of an external memory device (e.g., an one-time programmable (OTP) area of a NAND Flash device). A first program (e.g., a boot program) is retrieved from a writable or main area of the external memory device and authenticated based on the secure data. The first program is enabled for execution if authenticated. A second program may be retrieved from the main area of the external memory device and authenticated based on the secure data. The second program is enabled for execution if authenticated. Additional programs may be retrieved and authenticated. Each program may be authenticated using a secure hash function, a digital signature, and/or some other cryptographic technique.

Abstract translation: 描述了从外部存储设备安全地引导电子设备（例如，蜂窝电话）的技术。 最初从外部存储器件（例如，NAND闪存的一次可编程（OTP））区域的不可写区域检索安全数据（例如，散列摘要，签名，加密密钥等） 设备）。 从外部存储器件的可写或主区域检索第一程序（例如，引导程序），并基于安全数据进行认证。 如果通过验证，第一个程序启用执行。 可以从外部存储设备的主区域检索第二程序，并且基于安全数据进行认证。 如果通过验证，第二个程序启用执行。 可以检索和认证附加程序。 每个程序可以使用安全散列函数，数字签名和/或其他一些密码技术进行认证。

公开(公告)号：WO2015138632A3

公开(公告)日：2015-11-05

申请号：PCT/US2015020006

申请日：2015-03-11

Applicant: QUALCOMM INC

Inventor： KIM JUNG PILL ,  CHUN DEXTER TAMIO ,  SRIRAMAGIRI DEEPTI VIJAYALAKSHMI ,  SAIFUDDIN MOSADDIQ ,  DONG XIANGYU ,  KIM SUNGRYUL ,  LI YANRU ,  SUH JUNGWON

IPC: G11C29/44 ,  G06F11/08 ,  G06F11/30 ,  G11C29/52

CPC classification number: G06F11/2053 ,  G06F11/073 ,  G06F11/0775 ,  G06F11/0793 ,  G06F11/08 ,  G06F11/1048 ,  G06F11/3037 ,  G11C29/4401 ,  G11C29/52 ,  G11C2029/0409

Abstract: Methods and systems for an in-system repair process that repairs or attempts to repair random bit failures in a memory device are provided. In some examples, an in-system repair process may select alternative steps depending on whether the failure is correctable or uncorrectable. In these examples, the process uses communications between a system on chip and the memory to fix the failures during normal operation.

Abstract translation: 提供了修复或尝试修复存​​储器件中的随机位故障的系统内修复过程的方法和系统。 在一些示例中，系统内修复过程可以根据故障是可校正还是不可校正来选择替代步骤。 在这些示例中，该过程使用片上系统与存储器之间的通信来在正常操作期间修复故障。

公开(公告)号：WO2016168602A3

公开(公告)日：2016-12-15

申请号：PCT/US2016027761

申请日：2016-04-15

Applicant: QUALCOMM INC

Inventor： CHUN DEXTER TAMIO ,  KIM JUNG PILL ,  LI YANRU

IPC: G11C11/406 ,  G11C7/10 ,  G11C11/4076 ,  G11C11/4096 ,  G11C29/02 ,  G11C29/50

CPC classification number: G11C11/40626 ,  G11C7/1006 ,  G11C11/4076 ,  G11C11/4096 ,  G11C29/023 ,  G11C29/028 ,  G11C29/36 ,  G11C29/42 ,  G11C29/50016 ,  G11C2207/2245 ,  G11C2211/4062

Abstract: A system and method of refreshing dynamic random access memory (DRAM) are disclosed. A device includes a DRAM, a bus, and a system-on-chip (SOC) coupled via the bus to the DRAM. The SOC is configured to refresh the DRAM at a particular refresh rate based on a temperature of the DRAM and based on calibration data determined based on one or more calibration tests performed while the SOC is coupled to the DRAM.

Abstract translation: 公开了一种刷新动态随机存取存储器（DRAM）的系统和方法。 一种器件包括通过总线耦合到DRAM的DRAM，总线和片上系统（SOC）。 SOC被配置为基于DRAM的温度以基于在SOC耦合到DRAM时执行的一个或多个校准测试确定的校准数据以特定刷新速率刷新DRAM。

公开(公告)号：WO2016048759A3

公开(公告)日：2016-05-12

申请号：PCT/US2015050466

申请日：2015-09-16

Applicant: QUALCOMM INC

Inventor： KIM JUNG PILL ,  CHUN DEXTER TAMIO ,  SRIRAMAGIRI DEEPTI VIJAYALAKSHMI ,  SUH JUNGWON

IPC: G11C29/02 ,  G11C11/406 ,  G11C17/18 ,  G11C29/00

CPC classification number: G11C29/78 ,  G06F11/073 ,  G06F11/0751 ,  G06F11/0793 ,  G11C11/406 ,  G11C11/40603 ,  G11C11/40615 ,  G11C17/16 ,  G11C17/18 ,  G11C29/027 ,  G11C29/783 ,  G11C29/787

Abstract: In a repair of a random access memory (RAM), an error information is received, a fail address of the RAM identified, and a one-time programming applied to a portion of the redundancy circuit while a content of the RAM is valid. The RAM is a dynamic access RAM (DRAM), a refresh burst is applied to the DRAM, followed by a non- refresh interval, and the one-time programming is performed during the non-refresh interval.

Abstract translation: 在随机存取存储器（RAM）的修复中，接收到错误信息，识别出的RAM的故障地址以及在RAM的内容有效时应用于冗余电路的一部分的一次性编程。 RAM是动态访问RAM（DRAM），刷新突发被施加到DRAM，随后是非刷新间隔，并且在非刷新间隔期间执行一次性编程。