PROCEDE DE POLARISATION D'AU MOINS UNE PAIRE DIFFERENTIELLE DE TRANSISTORS ET CIRCUIT INTEGRE CORRESPONDANT

    公开(公告)号:FR3082017A1

    公开(公告)日:2019-12-06

    申请号:FR1854562

    申请日:2018-05-29

    Abstract: Le circuit intégré comprend au moins une paire différentielle de transistors (MN+, MN-), un générateur de courant de polarisation (IbGEN) configuré pour générer un courant de polarisation (Ib) sur un nœud de polarisation (IBN) couplé à une borne de source de chaque transistor (MN+, MN-) de ladite paire différentielle par un élément résistif respectif (RN1, RN2). Les éléments résistifs (RN1, RN2) sont configurés pour avoir des valeurs résistives variables et commandées par une commande d'hystérésis (ComHyst) soit à un premier couple de valeurs résistives, soit à un deuxième couple de valeurs résistives, les éléments résistifs (RN1, RN2) étant destinés à être configurés par une instruction d'étalonnage (InstEta) fixant les valeurs dudit premier couple de valeurs résistives et dudit deuxième couple de valeurs résistives.

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