公开(公告)号：FR3113141A1

公开(公告)日：2022-02-04

申请号：FR2008090

申请日：2020-07-30

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： ORTET SEBASTIEN ,  LAUZIER OLIVIER

IPC: G01R19/165

Abstract: Convertisseur de tension La présente description concerne un convertisseur (1) de tension comprenant : un premier transistor (9) connecté entre un premier noeud (11) du convertisseur et un deuxième noeud (3) configuré pour recevoir une tension d'alimentation (Vbat) ; un deuxième transistor (13) connecté entre le premier noeud et un troisième noeud (5) configuré pour recevoir un potentiel de référence (GND) ; un premier circuit (300) configuré pour commander les premier et deuxième transistors ; et un comparateur (306) comprenant des première (307) et deuxième (309) entrées, la première entrée étant configurée pour recevoir, durant une première phase, une première rampe de tension (RP) et, durant une deuxième phase, une tension de consigne (Vref), et la deuxième entrée étant configurée pour recevoir, durant la première phase, la tension de consigne (Vref) et, durant la deuxième phase, une deuxième rampe de tension (RN). Figure pour l'abrégé : Fig. 4

公开(公告)号：FR3099320B1

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：FR1908288

申请日：2019-07-22

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： ORTET SEBASTIEN ,  THOMAS CEDRIC

IPC: H02M1/36 ,  H03K7/08

Abstract: Démarrage d'une alimentation à découpage La présente description concerne un procédé de démarrage d'un circuit d'alimentation comprenant une alimentation à découpage, comprenant : - une première phase dans laquelle, si une tension de sortie (VFB) de l'alimentation à découpage est inférieure à une première tension, l'alimentation à découpage fonctionne en modulation de largeur d'impulsions pour augmenter sa tension de sortie (VFB) jusqu'à ladite première tension ; et - une deuxième phase de conduction forcée quand la tension de sortie (VFB) a atteint la première tension. Figure pour l'abrégé : Fig. 3

公开(公告)号：FR3099321A1

公开(公告)日：2021-01-29

申请号：FR1908469

申请日：2019-07-25

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： CUENCA MICHEL ,  ORTET SEBASTIEN

IPC: H02M3/155 ,  H02M1/08

Abstract: Alimentation à découpage La présente description concerne une alimentation à découpage (1) comprenant un circuit de génération d'une rampe de tension (16) comprenant, en parallèle, au moins trois condensateurs sélectionnables en fonction de la valeur d'une tension d'alimentation interne (VDD) de l'alimentation à découpage. Figure pour l'abrégé : Fig. 2

公开(公告)号：FR3077677B1

公开(公告)日：2020-03-06

申请号：FR1850969

申请日：2018-02-06

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： TRUPHEMUS LAURENT ,  ORTET SEBASTIEN

IPC: H01L21/82 ,  G11C16/06 ,  H01L21/8232 ,  H01L29/772

Abstract: Circuit intégré comportant un étage d'alimentation principal (AlmP), un étage d'alimentation secondaire (AlmS), un circuit de commutation d'alimentation (SWi), un circuit de précharge (CPrch), et un circuit de mémoire volatile (RAM), le circuit de commutation (SWi) étant configuré pour placer le circuit de mémoire (RAM) soit dans un mode d'alimentation principal (MAlmP), soit dans un mode d'alimentation secondaire (MAlmS), le circuit de précharge (CPrch) étant configuré pour précharger un nœud d'alimentation secondaire (NS) à une tension d'alimentation secondaire (VregS) pendant le mode d'alimentation principal (MAlmP), dans lequel le circuit de précharge (CPrch) comporte un circuit-réplique (RAM-R) ayant la même configuration qu'au moins une partie du circuit de mémoire (RAM), et est configuré pour, lors de ladite précharge, écouler un courant de précharge (Iprch) représentatif d'un courant (Is) écoulé par le circuit de mémoire (RAM) dans le mode d'alimentation secondaire (MAlmS).

公开(公告)号：FR3113141B1

公开(公告)日：2022-11-25

申请号：FR2008090

申请日：2020-07-30

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： ORTET SEBASTIEN ,  LAUZIER OLIVIER

IPC: G01R19/165

Abstract: Convertisseur de tension La présente description concerne un convertisseur (1) de tension comprenant : un premier transistor (9) connecté entre un premier noeud (11) du convertisseur et un deuxième noeud (3) configuré pour recevoir une tension d'alimentation (Vbat) ; un deuxième transistor (13) connecté entre le premier noeud et un troisième noeud (5) configuré pour recevoir un potentiel de référence (GND) ; un premier circuit (300) configuré pour commander les premier et deuxième transistors ; et un comparateur (306) comprenant des première (307) et deuxième (309) entrées, la première entrée étant configurée pour recevoir, durant une première phase, une première rampe de tension (RP) et, durant une deuxième phase, une tension de consigne (Vref), et la deuxième entrée étant configurée pour recevoir, durant la première phase, la tension de consigne (Vref) et, durant la deuxième phase, une deuxième rampe de tension (RN). Figure pour l'abrégé : Fig. 4

公开(公告)号：FR3121556A1

公开(公告)日：2022-10-07

申请号：FR2103300

申请日：2021-03-31

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： ORTET SEBASTIEN ,  DAVINO DIDIER ,  COLLETTE REMI

IPC: H02M1/00 ,  H02P11/00

Abstract: Convertisseur de tension La présente description concerne un convertisseur de tension configuré pour fonctionner par une succession de cycles de fonctionnement, chaque cycle comprenant une phase d'accumulation d'énergie et une phase de restitution d'énergie, le convertisseur étant configuré pour que la durée d'une des phases soit déterminée par la comparaison d'une rampe de tension (RAMP2) et une première tension de référence (Vref), la pente de ladite rampe de tension (RAMP2) dépendant du signe du courant dans une inductance (15) à la fin du cycle de fonctionnement précédent. Figure pour l'abrégé : Fig. 1

公开(公告)号：FR3077677A1

公开(公告)日：2019-08-09

申请号：FR1850969

申请日：2018-02-06

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： TRUPHEMUS LAURENT ,  ORTET SEBASTIEN

IPC: H01L21/82 ,  G11C16/06 ,  H01L21/8232 ,  H01L29/772

Abstract: Circuit intégré comportant un étage d'alimentation principal (AlmP), un étage d'alimentation secondaire (AlmS), un circuit de commutation d'alimentation (SWi), un circuit de précharge (CPrch), et un circuit de mémoire volatile (RAM), le circuit de commutation (SWi) étant configuré pour placer le circuit de mémoire (RAM) soit dans un mode d'alimentation principal (MAlmP), soit dans un mode d'alimentation secondaire (MAlmS), le circuit de précharge (CPrch) étant configuré pour précharger un nœud d'alimentation secondaire (NS) à une tension d'alimentation secondaire (VregS) pendant le mode d'alimentation principal (MAlmP), dans lequel le circuit de précharge (CPrch) comporte un circuit-réplique (RAM-R) ayant la même configuration qu'au moins une partie du circuit de mémoire (RAM), et est configuré pour, lors de ladite précharge, écouler un courant de précharge (Iprch) représentatif d'un courant (Is) écoulé par le circuit de mémoire (RAM) dans le mode d'alimentation secondaire (MAlmS).