公开(公告)号：FR2981783B1

公开(公告)日：2014-05-09

申请号：FR1159445

申请日：2011-10-19

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： LISART MATHIEU ,  SOUDE THIERRY

IPC: G11C16/22 ,  G06F12/16 ,  G11C7/24 ,  H01L23/58

公开(公告)号：FR2988184A1

公开(公告)日：2013-09-20

申请号：FR1252322

申请日：2012-03-15

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： FORT JIMMY ,  SOUDE THIERRY

IPC: G05F1/44

Abstract: Le régulateur à faible chute de tension comprend un amplificateur d'erreur (AMPE) comportant une paire différentielle de transistors d'entrée (M1, M2) et un circuit à structure différentielle cascode repliée (M5, M6, M7, M8) connecté à la sortie de ladite paire différentielle, un étage de sortie (ETS) connecté au noeud de sortie (GP) de l'amplificateur d'erreur, et un condensateur de compensation Miller (CM) connecté entre l'étage de sortie (ETS) et le noeud cascode côté sortie (XP) du circuit cascode ; l'amplificateur d'erreur (AMPE) comprend en outre au moins un module amplificateur inverseur (MAIV1, MAIV2) rebouclé entre ledit noeud cascode (XP3, XN) et la grille du transistor cascode (M6, M5) du circuit cascode connecté entre ledit noeud cascode (XP, XN) et ledit noeud de sortie (GP).

公开(公告)号：FR2975512A1

公开(公告)日：2012-11-23

申请号：FR1154268

申请日：2011-05-17

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： FORT JIMMY ,  SOUDE THIERRY

IPC: G05F3/26

Abstract: Le procédé de génération d'une tension de référence ajustable de bande interdite comprend une génération d'un courant proportionnel à la température absolue (Iptat) comportant une égalisation des tensions aux bornes (BE1, BE2) d'un cœur (CR) agencé pour être alors parcouru par ledit courant proportionnel à la température absolue, une génération d'un courant inversement proportionnel à la température absolue (Ictat), une sommation de ces deux courants et une génération de ladite tension de référence de bande interdite (VBG) à partir de ladite somme de courants ; ladite égalisation comprend une connexion aux bornes du cœur (CR) d'un premier amplificateur (AMP1) contre-réactionné possédant au moins un premier étage (ET1) agencé en montage replié et comportant des premiers transistors PMOS agencés selon un montage grille commune, et une polarisation dudit premier étage à partir dudit courant inversement proportionnel à la température absolue (Ictat), ladite sommation des deux courants s'effectuant dans l'étage de contre-réaction (ETR) du premier amplificateur.

公开(公告)号：FR3096466B1

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：FR1905244

申请日：2019-05-20

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： FORT JIMMY ,  PIERREL MAUD ,  BORREL NICOLAS ,  SOUDE THIERRY

IPC: G01R17/02

Abstract: Dispositif comprenant un circuit de démarrage La présente description concerne un dispositif électronique comprenant un circuit de démarrage (10) configuré pour comparer une valeur représentative (IRs) de la tension d'alimentation (VDD) à un seuil (Iptat), le circuit comprenant un générateur de courant proportionnel à la température (20). Figure pour l'abrégé : Fig. 1

公开(公告)号：FR2975510B1

公开(公告)日：2013-05-03

申请号：FR1154266

申请日：2011-05-17

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： FORT JIMMY ,  SOUDE THIERRY

IPC: G05F3/26