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公开(公告)号：FR2988869A1
公开(公告)日：2013-10-04
申请号：FR1253037
申请日：2012-04-03
Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET
Inventor： FORT JIMMY , SOUDE THIERRY
IPC: G05F1/10
Abstract: Le régulateur à faible chute de tension comprend un amplificateur d'erreur (AMPE) et un étage de sortie (ETS) comportant un transistor de sortie et un circuit tampon (BF) comprenant une entrée connectée au noeud de sortie (GP) de l'amplificateur d'erreur, une sortie connectée au transistor de sortie (M9), un amplificateur suiveur (AMPS) connecté entre l'entrée et la sortie du circuit tampon. Le circuit tampon (BF) comprend en outre une charge active à transistor (CHA) connectée à la sortie de l'amplificateur suiveur (AMPS) et un amplificateur de contre-réaction (AMPGC) agencé en montage grille commune et connecté entre la sortie de l'amplificateur suiveur (AMPS) et la grille du transistor de la charge active (CHA).
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公开(公告)号：FR2986356A1
公开(公告)日：2013-08-02
申请号：FR1250787
申请日：2012-01-27
Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET
Inventor： LISART MATHIEU , SOUDE THIERRY , SARAFIANOS ALEXANDRE , LA ROSA FRANCESCO
IPC: H01L23/58 , G06K19/073
Abstract: L'invention concerne un circuit intégré comprenant : un substrat semiconducteur (62) d'un premier type de conductivité en surface duquel est défini au moins un caisson d'un deuxième type de conductivité (66) délimité latéralement, sur deux parois opposées, par des régions du premier type de conductivité (68) ; au moins une région du deuxième type de conductivité (70) qui s'étend dans le substrat semiconducteur (62) sous le caisson (66) ; et un système de détection d'une variation de la résistance du substrat (62) entre chaque association de deux régions du premier type de conductivité (68) adjacentes.
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公开(公告)号：FR2981783A1
公开(公告)日：2013-04-26
申请号：FR1159445
申请日：2011-10-19
Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET
Inventor： LISART MATHIEU , SOUDE THIERRY
Abstract: L'invention concerne un système de détection d'une attaque par laser d'une puce de circuit intégré formée dans un substrat semiconducteur (1), comprenant un dispositif de détection (41, 43) adapté à détecter des variations du potentiel du substrat.
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公开(公告)号：FR2975511A1
公开(公告)日：2012-11-23
申请号：FR1154267
申请日：2011-05-17
Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET
Inventor： FORT JIMMY , SOUDE THIERRY
IPC: G05F3/26
Abstract: Le dispositif de génération d'un courant de référence proportionnel à la température absolue, comprend des moyens de traitement connectés aux bornes d'un cœur (CR) et agencés pour égaliser les tensions (V1, V2) aux bornes du cœur, le cœur étant agencé pour être alors parcouru par un courant interne (Iptat) proportionnel à la température absolue, et un module de sortie (MDS) agencé pour délivrer à une borne de sortie (BS) ledit courant de référence (Iout) à partir dudit courant interne; les moyens de traitement comprennent un amplificateur (AMP) autopolarisé possédant au moins un premier étage (ET1) agencé selon un montage replié et comportant des premiers transistors PMOS (M3,M4) agencés en montage du type grille commune, et un étage de contre-réaction (ETR) dont l'entrée est connectée à la sortie de l'amplificateur et dont la sortie est connectée à l'entrée du premier étage ainsi qu'à au moins une borne (BE1,BE2) du coeur.
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公开(公告)号：FR2975510A1
公开(公告)日：2012-11-23
申请号：FR1154266
申请日：2011-05-17
Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET
Inventor： FORT JIMMY , SOUDE THIERRY
IPC: G05F3/26
Abstract: Le dispositif de génération d'une tension de référence ajustable de bande interdite, comprend des premiers moyens de génération d'un courant proportionnel à la température absolue comportant des premiers moyens de traitement connectés aux bornes d'un cœur (CR) et agencés pour égaliser les tensions aux bornes du coeur, des deuxièmes moyens de génération d'un courant inversement proportionnel à la température absolue (Ictat) connectés au cœur, et un module de sortie (MDS) agencé pour générer la tension de référence (VBG) ; les premiers moyens de traitement comprennent un premier amplificateur (AMP1) possédant au moins un premier étage (ET1), polarisé à partir du courant inversement proportionnel à la température absolue, agencé selon un montage replié et comportant des premiers transistors PMOS (M3, M4) agencés selon un montage grille commune, et un étage de contre-réaction (ETR) dont l'entrée est connectée à la sortie de l'amplificateur et dont la sortie est connectée à l'entrée du premier étage ainsi qu'à au moins une borne (BE1, BE2) du coeur, les deuxièmes moyens de génération comprennent un montage amplificateur suiveur (AMP2, M15) connecté à une borne (BE2) du cœur et séparé du premier amplificateur (AMP1), et le module de sortie (MDS) est connecté à l'étage de contre-réaction.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：FR3096466A1
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：FR1905244
申请日：2019-05-20
Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET
Inventor： FORT JIMMY , PIERREL MAUD , BORREL NICOLAS , SOUDE THIERRY
IPC: G01R17/02
Abstract: Dispositif comprenant un circuit de démarrage La présente description concerne un dispositif électronique comprenant un circuit de démarrage (10) configuré pour comparer une valeur représentative (IRs) de la tension d'alimentation (VDD) à un seuil (Iptat), le circuit comprenant un générateur de courant proportionnel à la température (20). Figure pour l'abrégé : Fig. 1
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公开(公告)号：FR2988184B1
公开(公告)日：2014-03-07
申请号：FR1252322
申请日：2012-03-15
Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET
Inventor： FORT JIMMY , SOUDE THIERRY
IPC: G05F1/44
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公开(公告)号：FR2986356B1
公开(公告)日：2014-02-28
申请号：FR1250787
申请日：2012-01-27
Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET
Inventor： LISART MATHIEU , SOUDE THIERRY , SARAFIANOS ALEXANDRE , LA ROSA FRANCESCO
IPC: H01L23/58 , G06K19/073
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9.发明专利
公开(公告)号：FR2975512B1
公开(公告)日：2013-05-10
申请号：FR1154268
申请日：2011-05-17
Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET
Inventor： FORT JIMMY , SOUDE THIERRY
IPC: G05F3/26
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公开(公告)号：FR2975511B1
公开(公告)日：2013-05-03
申请号：FR1154267
申请日：2011-05-17
Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET
Inventor： FORT JIMMY , SOUDE THIERRY
IPC: G05F3/26
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