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    Verfahren zur Überwachung des Betriebs einer Speichervorrichtung vom Typ EEPROM und entsprechende Vorrichtung
    13.
    发明专利
    Verfahren zur Überwachung des Betriebs einer Speichervorrichtung vom Typ EEPROM und entsprechende Vorrichtung 未知

    公开(公告)号：DE102016104336A1

    公开(公告)日：2017-03-23

    申请号：DE102016104336

    申请日：2016-03-09

    Applicant: STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS

    Inventor： TAILLIET FRANCOIS ,  BATTISTA MARC

    IPC: G11C16/20

    Abstract: Es wird ein Verfahren zur Überwachung des Betriebs einer Vorrichtung (DIS) vom Typ eines elektrisch programmierbaren und löschbaren Nur-Lese-Speichers, die von einer Versorgungsspannung gespeist wird und mit einer Schaltung zum Rücksetzen bei einem Anlegen von Spannung (POR) verbunden ist, vorgeschlagen, welche umfasst: eine Implementierung (21) wenigstens einer Vergleichsoperation, die einer Betriebsphase der Vorrichtung entspricht, welche als anfällig für eine Funktionsstörung bei einem Abfall der Versorgungsspannung unter einen gegebenen Wert identifiziert wurde, eine Durchführung (23) der wenigstens einen Vergleichsoperation während des Betriebs der Speichervorrichtung, und eine Analyse (25) des Ergebnisses der Vergleichsoperation, um eine eventuelle Funktionsstörung zu erkennen, die von der Rücksetzschaltung (29) nicht verhindert wird.

    DISPOSITIF DE MEMOIRE NON VOLATILE COMPACT
    14.
    发明专利
    DISPOSITIF DE MEMOIRE NON VOLATILE COMPACT 未知

    公开(公告)号：FR3029000A1

    公开(公告)日：2016-05-27

    申请号：FR1461339

    申请日：2014-11-24

    Applicant: STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS

    Inventor： TAILLIET FRANCOIS ,  BATTISTA MARC

    IPC: G11C8/14 ,  G11C5/02

    Abstract: Le dispositif de mémoire non volatile, comprend un plan mémoire matriciel comportant des colonnes de mots-mémoire formés respectivement sur chaque rangée du plan-mémoire par des groupes de cellules-mémoires et des éléments de commande respectivement associés aux mots-mémoires de chaque rangée. Certains au moins des éléments de commande (CGSi,0-CGSi,3) associés aux mots-mémoires (MWi,0-MWi,3) de la rangée correspondante forment au moins un bloc de commande (BLC) de B éléments de commande disposés les uns à côté des autres, adjacent à un bloc mémoire (BLM) contenant les B mots mémoires disposés les uns à côté des autres et associés à ces B éléments de commande, une première liaison électriquement conductrice (ML0) connectant l'un des B éléments de commande à toutes les électrodes de commande des transistors d'état du groupe de cellules-mémoires correspondant et B-1 deuxième(s) liaison(s) électriquement conductrice(s) (ML1-ML3) connectant respectivement l e(s) B-1 élément(s) de commande à toutes les électrodes de commande des transistors d'état du(des) B-1 groupe(s) de cellules-mémoires correspondant(s) en s'étendant au moins partiellement au-dessus d'au moins un autre groupe de cellules-mémoires.

    PROCEDE DE CONTROLE DU FONCTIONNEMENT D'UN DISPOSITIF DE MEMOIRE DE TYPE EEPROM, ET DISPOSITIF CORRESPONDANT
    18.
    发明专利
    PROCEDE DE CONTROLE DU FONCTIONNEMENT D'UN DISPOSITIF DE MEMOIRE DE TYPE EEPROM, ET DISPOSITIF CORRESPONDANT 未知

    公开(公告)号：FR3041466A1

    公开(公告)日：2017-03-24

    申请号：FR1558859

    申请日：2015-09-21

    Applicant: STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS

    Inventor： TAILLIET FRANCOIS ,  BATTISTA MARC

    IPC: G11C29/00 ,  G11C7/24 ,  G11C16/26

    Abstract: Il est proposé un procédé de contrôle du fonctionnement d'un dispositif (DIS) de type mémoire morte électriquement programmable et effaçable alimentée par une tension d'alimentation et associé à un circuit de réinitialisation lors d'une mise sous tension (POR), comprenant : une implémentation (21) d'au moins une opération témoin correspondant à une phase de fonctionnement du dispositif identifiée comme encline à un dysfonctionnement lors d'une chute de la tension d'alimentation en deçà d'une valeur donnée, une mise en œuvre (23) de ladite au moins une opération témoin lors du fonctionnement du dispositif de mémoire, et une analyse (25) du résultat de ladite opération témoin de façon à détecter un éventuel dysfonctionnement non empêché par ledit circuit de réinitialisation (29).

    PROCEDE D'ECRITURE DANS UNE MEMOIRE DU TYPE EEPROM ET DISPOSITIF DE MEMOIRE CORRESPONDANT
    19.
    发明专利
    PROCEDE D'ECRITURE DANS UNE MEMOIRE DU TYPE EEPROM ET DISPOSITIF DE MEMOIRE CORRESPONDANT 未知

    公开(公告)号：FR3039922A1

    公开(公告)日：2017-02-10

    申请号：FR1557577

    申请日：2015-08-06

    Applicant: STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS

    Inventor： TAILLIET FRANCOIS ,  BATTISTA MARC

    IPC: G11C7/00 ,  G11C16/00

    Abstract: Selon un mode de mise en œuvre il est proposé d'accélérer automatiquement l'opération d'écriture en supprimant sur la base des valeurs des données à écrire et éventuellement sur la base des valeurs des données présentes dans la mémoire, l'étape d'effacement ou l'étape de programmation, et ce, tout en utilisant éventuellement une commande classique d'écriture. Lorsque la mémoire est équipée d'un code correcteur d'erreur basé sur un code de Hamming, une propriété de ce dernier permet aisément de mettre en œuvre cette accélération éventuelle des cycles d'écritures au sein de la mémoire. Cette propriété est celle selon laquelle lorsque tous les bits des octets d'un mot numérique regroupant n octets sont égaux à zéro, les bits de contrôle associés à ces octets sont également tous égaux à zéro.

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