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    DISPOSITIF ELECTRONIQUE A FONCTION RADIOFREQUENCE
    2.
    发明专利
    DISPOSITIF ELECTRONIQUE A FONCTION RADIOFREQUENCE 未知

    公开(公告)号：FR3030089A1

    公开(公告)日：2016-06-17

    申请号：FR1462307

    申请日：2014-12-12

    Applicant: STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS

    Inventor： TAILLIET FRANCOIS ,  BATTISTA MARC

    IPC: G06K19/07

    Abstract: L'invention concerne un dispositif électronique comportant : au moins un circuit (6) de traitement connecté au moins à une borne (28) à un premier potentiel de référence ; au moins un circuit (2) de communication radiofréquence connecté au moins à ladite borne de potentiel de référence ; au moins un premier plot (43) destiné à être porté à un deuxième potentiel de référence d'au moins un circuit électronique (APP) externe au dispositif ; et au moins une première impédance résistive (9) entre ladite borne (28) et ledit premier plot (43).

    DISPOSITIF DE MEMOIRE NON VOLATILE, PAR EXEMPLE DU TYPE EEPROM, AYANT UNE CAPACITE MEMOIRE IMPORTANTE, PAR EXEMPLE 16MBITS
    5.
    发明专利
    DISPOSITIF DE MEMOIRE NON VOLATILE, PAR EXEMPLE DU TYPE EEPROM, AYANT UNE CAPACITE MEMOIRE IMPORTANTE, PAR EXEMPLE 16MBITS 未知

    公开(公告)号：FR3041806A1

    公开(公告)日：2017-03-31

    申请号：FR1559042

    申请日：2015-09-25

    Applicant: STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS

    Inventor： TAILLIET FRANCOIS ,  BATTISTA MARC

    IPC: G11C5/06 ,  G06F13/14

    Abstract: Dispositif de mémoire, comprenant une interface d'entrée/sortie (INT), un bus de type SPI (BUS) couplé à l'interface d'entrée/sortie, et plusieurs dispositifs de mémoire élémentaires non volatiles connectés sur le bus du type SPI, les entrées de sélection de puce (S-) de chaque dispositif de mémoire élémentaire (DSEi) étant toutes connectées sur un seul et même fil de sélection de puce (FL1) du bus SPI, les dispositifs de mémoire élémentaires (DSEi) étant en outre configurés et commandables de façon à se comporter, vu de l'interface d'entrée/sortie, comme un unique dispositif de mémoire non volatile (DSU) dont l'espace mémoire total a une capacité mémoire totale égale à la somme des capacités mémoires élémentaires des dispositifs élémentaires.

    Verfahren und System zur Kontrolle eines Schreibens eines Datums in eine Speicherzelle vom Typ EEPROM
    7.
    发明专利
    Verfahren und System zur Kontrolle eines Schreibens eines Datums in eine Speicherzelle vom Typ EEPROM 未知

    公开(公告)号：DE102016104343A1

    公开(公告)日：2017-02-09

    申请号：DE102016104343

    申请日：2016-03-09

    Applicant: STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS

    Inventor： TAILLIET FRANCOIS ,  BATTISTA MARC

    IPC: G11C16/00

    Abstract: Ein Vorgang des Schreibens mindestens eines Datums in mindestens eine Speicherzelle vom Typ elektrisch programmierbarer und löschbarer Nur-Lese-Speicher umfasst mindestens einen Schritt des Löschens oder Programmierens der Zelle durch einen entsprechenden Lösch- oder Programmierimpuls. Der richtige oder falsche Ablauf des Schreibvorgangs wird durch eine Analyse der Form des Lösch- oder Programmierimpulses (IMPB) während des entsprechenden Lösch- oder Programmierschrittes kontrolliert, wobei das Ergebnis dieser Analyse für einen richtigen oder falschen Ablauf des Schreibvorgangs repräsentativ ist.

    PROCEDE DE LECTURE D'UNE MEMOIRE EEPROM ET DISPOSITIF CORRESPONDANT
    9.
    发明专利
    PROCEDE DE LECTURE D'UNE MEMOIRE EEPROM ET DISPOSITIF CORRESPONDANT 未知

    公开(公告)号：FR3043245A1

    公开(公告)日：2017-05-05

    申请号：FR1560515

    申请日：2015-11-03

    Applicant: STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS

    Inventor： TAILLIET FRANCOIS ,  BATTISTA MARC ,  BRECTE VICTORIEN

    IPC: G11C7/06

    Abstract: Le dispositif (DIS) de mémoire de type mémoire morte électriquement programmable et effaçable, comprend un plan mémoire (PM) de cellules mémoire (CEL), des moyens de lecture (MLEC) comportant un amplificateur de lecture (AMPL) dont une entrée (BUSR) est configurée pour être préchargée à une tension de précharge, et des moyens de commande (MCOM) configurés pour sélectionner une ligne de mots (WL) et une ligne de bits (BL) auxquelles appartient une cellule (CEL), de façon à lire le contenu de ladite cellule (CEL) à travers ledit amplificateur de lecture (AMPL) dont ladite entrée (BUSR) est connectée à la ligne de bits sélectionnée (BL). Selon une caractéristique générale, lesdits moyens de commandes (MCOM) sont configurés pour appliquer à la source du transistor à grille flottante (MN6) de la cellule (CEL) une tension de source supérieure à ladite tension de précharge, une cellule programmée étant alors traversée par un courant de lecture circulant de la cellule (CEL) vers ladite entrée (BUSR) de l'amplificateur de lecture (AMPL).

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