公开(公告)号：FR3027732A1

公开(公告)日：2016-04-29

申请号：FR1460301

申请日：2014-10-27

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS ,  STMICROELECTRONICS (GRENOBLE 2) SAS

Inventor： CAZAUX YVON ,  ROY FRANCOIS ,  GUILLON MARIE ,  LAFLAQUIERE ARNAUD

IPC: H01L27/146

Abstract: L'invention concerne un capteur d'image disposé dans et sur un substrat semiconducteur (201) ayant une face avant et une face arrière, ce capteur comportant une pluralité de pixels (300) comprenant chacun : une zone photosensible (105), une zone de lecture (111), et une zone de stockage (107) s'étendant entre la zone photosensible (105) et la zone de lecture (111) ; une électrode verticale isolée (103) comportant une ouverture de transfert entre la zone photosensible (105) et la zone de stockage (107) ; et au moins un élément d'isolement parmi les suivants : a) une couche (201c) d'un matériau isolant s'étendant sous la surface de la zone photosensible (105) et de la zone de stockage (107) et ayant sa face avant en contact avec la face arrière de l'électrode (103) ; et b) un mur d'isolement (330) s'étendant verticalement dans l'ouverture, ou sous l'ouverture.

公开(公告)号：FR3027156A1

公开(公告)日：2016-04-15

申请号：FR1459727

申请日：2014-10-10

Applicant: STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： FAVENNEC LAURENT ,  DUTARTRE DIDIER ,  ROY FRANCOIS

IPC: H01L31/0248 ,  H01L27/146

Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'une photodiode pincée, comprenant : la formation d'une région (13) de conversion de photons en charges électriques d'un premier type de conductivité sur un substrat (11, 12) du deuxième type de conductivité ; le revêtement de ladite région par une couche d'un isolant (22) fortement dopé du deuxième type de conductivité ; et un recuit assurant une diffusion de dopants en provenance de la couche d'isolant fortement dopé.

公开(公告)号：FR3052297A1

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：FR1655153

申请日：2016-06-06

Applicant: STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS

Inventor： ROY FRANCOIS

IPC: H01L27/148

Abstract: L'invention concerne un capteur d'image de type à obturation globale et à éclairement par la face arrière, chaque pixel du capteur comprenant une zone photosensible (11) d'un premier type de conductivité ; du côté de la face avant, un premier transistor (T1) comportant une électrode annulaire verticale isolée (16) pénétrant dans la zone photosensible (11) et délimitant latéralement une zone mémoire (31) du premier type de conductivité qui pénètre dans la zone photosensible (11) moins profondément que l'électrode annulaire verticale isolée (16) ; et une zone de lecture (35) du premier type de conductivité formée dans une zone intermédiaire (33) du deuxième type de conductivité qui est formée dans la zone mémoire (31), l'ensemble de la zone mémoire (31), de la zone intermédiaire (33) et de la zone de lecture (35) définissant un deuxième transistor (T2) dont une électrode horizontale isolée constitue une grille.