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公开(公告)号：CN103288448A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201310063175.2
申请日：2013-02-28
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/495 , H01G4/12 , H01G4/30
CPC classification number: C04B35/50 , C04B35/495 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3272 , C04B2235/76 , C04B2235/79 , C04B2235/9615 , H01G4/1254 , H01G4/30
Abstract: 本发明所涉及的介电体陶瓷组合物具备以通式{A1-x（RE）2x/3}y-B2O5+y表示并具有钨青铜结构的化合物。上述式中，A是选自Ba、Ca、Sr以及Mg中的至少一个，B是Nb以及/或者Ta，RE是选自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb以及Lu中的至少一个，x以及y满足0＜x＜1、y＞1.000的关系。该介电体陶瓷组合物优选进一步具有选自V、Mo、Fe、W、Mn以及Cr中的至少一个的氧化物。
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公开(公告)号：CN101364479B
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN200810145616.2
申请日：2008-08-07
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: C04B37/006 , C04B2235/608 , C04B2237/12 , C04B2237/346 , H01G4/1209 , H01G4/30 , Y10T156/1052 , Y10T428/24917 , Y10T428/24926 , Y10T428/249956
Abstract: 一种陶瓷生片结构及层叠陶瓷电子部件的制造方法，其中该陶瓷生片结构包括：至少包含陶瓷材料及树脂的陶瓷生片、和在该陶瓷生片上形成的导电层。电极非形成区域的空隙度为17％以上，优选为25％以下。此外，形成了导电层的电极形成区域的空隙度小于没有形成导电层的电极非形成区域的空隙度。
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公开(公告)号：CN101339847A
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN200810136004.7
申请日：2008-07-03
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01G4/30 , H01G4/12 , C04B35/468
CPC classification number: H01G4/1227 , H01G4/30
Abstract: 本发明提供一种硬质的、不易产生裂纹、耐湿性强并且表面漏电流难以流过的陶瓷电子部件。陶瓷基体(1)的表面被扩散层(12)覆盖。该扩散层(12)是陶瓷基体(1)中所含元素的至少一部分扩散而成的氧化物的层，并且形成于比位于最外侧的内部电极层(21、22)更靠陶瓷基体(1)的表面侧的区域。如陶瓷电容器等那样，当陶瓷基体(1)以BaTiO3为主要成分时，扩散层(12)是由陶瓷基体(1)中所含元素的至少一部分与选自Al、Si、Li或B中的至少一种进行化学反应而生成的。
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公开(公告)号：CN119694787A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411103359.1
申请日：2024-08-13
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01G4/30
Abstract: 本发明涉及一种电子部件。电子部件(1)具备：基板(2)；安装于基板(2)的第一主面(2a)的多个层叠电容器(10)；和密封部(11)，其由树脂形成并且密封多个层叠电容器(10)，层叠电容器(10)的第一外部电极(13)和第二外部电极(14)通过焊料H安装于基板(2)，从素体(12)的一对侧面(12e、12f)的相对方向且沿着基板(2)的第一主面(2a)的方向观察，相邻的层叠电容器(10)的至少一部分重叠，在相邻的层叠电容器(10)中，多个内部电极(15A、15B)的层叠方向相同，相邻的层叠电容器(10)之间的距离为安装于基板(2)的层叠电容器(10)的高度的1/2以下。
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公开(公告)号：CN113045306B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202011497129.X
申请日：2020-12-17
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/468 , C04B35/49 , H01G4/12
Abstract: 本发明提供一种密度高，并且呈现较高的强度的电介质组合物。电介质组合物包含主相和Ca‑RE‑Si‑O偏析相。主相包含以ABO3表示的主成分，A包含选自钡及钙中的至少任意一种，B包含选自钛及锆中的至少任意一种，Ca‑RE‑Si‑O偏析相的(Si/Ca)摩尔比及(Si/RE)摩尔比分别大于1，Ca‑RE‑Si‑O偏析相的长轴的平均长度为主相的平均粒径的1.30～2.80倍，Ca‑RE‑Si‑O偏析相的短轴的平均长度为主相的平均粒径的0.21～0.48倍。
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公开(公告)号：CN112441831B
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202010748849.2
申请日：2020-07-30
Applicant: TDK株式会社
Inventor： 井口俊宏
IPC: H01G4/12 , H01G4/30 , C04B35/495 , C04B35/622
Abstract: 本发明提供一种呈现较高的强度，并且呈现较高的相对介电常数的电介质组合物。所述电介质组合物包含具有以(SrxBa1‑x)yNb2O5+y表示的组成式的复合氧化物颗粒和Al系偏析相。Al系偏析相具有铌、铝及氧。
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公开(公告)号：CN115403369A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202210549685.X
申请日：2022-05-20
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/468 , C04B35/622 , C04B35/638 , C04B41/89
Abstract: 一种电介质组合物，其具有：电介质颗粒，其包含以ABO3表示的钙钛矿型化合物作为主成分；第一偏析，其至少含有Ba、P及O。而且，第一偏析中的Ba相对于Ti的摩尔比(Ba/Ti)为1.20以上。
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公开(公告)号：CN111718195B
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202010088216.3
申请日：2020-02-12
Applicant: TDK株式会社
Inventor： 井口俊宏
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , H01G4/12 , H01G4/33
Abstract: 本发明提供一种电介质组合物，其包含由通式AaBbC4O15+α表示的具有钨青铜结构的复合氧化物作为主要成分，A至少包含Ba，B至少包含Zr，C至少包含Nb，a为3.05以上，b为1.01以上。在该电介质组合物中，当将占据钨青铜结构的M2位点的原子总数设为1时，B所占的比例为0.250以上。另外，在该电介质组合物中，钨青铜结构的(410)面的X射线衍射峰分裂成2个，表示X射线衍射峰的高角度侧峰的积分强度相对于X射线衍射峰的低角度侧峰的积分强度的积分强度比率为0.125以上。
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