公开(公告)号：CN113402274A

公开(公告)日：2021-09-17

申请号：CN202110274295.1

申请日：2021-03-15

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 广瀬正和 ,  广瀬维子

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C04B41/88

Abstract: 本发明涉及一种压电组合物和电子部件。本发明的压电组合物包含由碱金属铌酸盐系化合物构成的主成分，碳的含量为350重量ppm以上700重量ppm以下。

公开(公告)号：CN110520397A

公开(公告)日：2019-11-29

申请号：CN201880020986.5

申请日：2018-03-20

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 广瀬正和 ,  广瀬维子 ,  加藤浩辉

IPC: C04B35/495 ,  H01L41/083 ,  H01L41/187 ,  H01L41/43

Abstract: 本发明提供一种能够兼顾机械强度和机电耦合系数k31的压电组合物、具备该压电组合物的压电元件。所述压电组合物其特征在于，含有具有以通式ABO3表示的钙钛矿结构的复合氧化物和锰，ABO3中的A位点元素为钾或为钾及钠，B位点元素为铌，压电组合物中，锰的浓度分布具有不均，该不均以CV值计为35％以上440％以下。

公开(公告)号：CN110494999A

公开(公告)日：2019-11-22

申请号：CN201880022703.0

申请日：2018-03-20

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 加藤浩辉 ,  广瀬维子 ,  广瀬正和

IPC: H01L41/187 ,  C04B35/495 ,  H01L41/083

Abstract: 本发明提供一种具有良好的机械强度的压电组合物和具备该压电组合物的压电元件。该压电组合物含有具有以通式ABO3表示的钙钛矿结构的复合氧化物、和铜，其特征在于，ABO3中的A位点元素为钾、或钾及钠，B位点元素为铌、或铌及钽，相对于复合氧化物1摩尔，铜以铜元素换算计含有n摩尔％，n满足0.100≤n≤1.000的关系。

公开(公告)号：CN103224388A

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN201310032130.9

申请日：2013-01-28

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 广瀬正和 ,  阿部贤

IPC: C04B35/468 ,  H01B3/12

Abstract: 本发明有鉴于这样的实际情况，其目的在于提供一种交流破坏电场值高、静电电容的温度特性良好、相对介电常数高的电介质陶瓷组合物。另外，本发明的目的还在于提供一种具有由这样的电介质陶瓷组合物构成的电介质层的电子部件。本发明提供了一种电介质陶瓷组合物，是具有由(BapSrqCarBis)TiO3的组成式表示的主成分、第1副成分、以及第2副成分的电介质陶瓷组合物，所述组成式中的q为0.080以下，所述组成式中的r为0.020以上0.080以下，所述组成式中的s为0.002以下，且所述组成式中的p、q、r与s的合计满足0.996≤p+q+r+s≤1.010的关系。

公开(公告)号：CN101412626A

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200810170272.0

申请日：2008-10-20

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 曾根英明 ,  广瀬正和 ,  东智久 ,  坂本英也

IPC: C04B35/472 ,  H03B5/32 ,  H01L41/187

Abstract: 本发明提供一种压电陶瓷组合物，当该压电陶瓷组合物被用于利用厚度纵向振动的三次高次谐波模式的振荡器时，能够得到充分高的(Qmax)及振荡频率(F0)的良好的温度特性。压电陶瓷组合物，含有复合氧化物，该复合氧化物具有钙钛矿结构，复合氧化物具有以下述化学式(1)表示的组成，(PbαLnβ)(Ti1－(x+y+z)ZrxMnyNbz)O3…(1)，其中，Ln表示从由La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb及Lu构成的群中选出的至少1种，并且，复合氧化物满足0.91≤α≤1.00、0＜β≤0.08、0.125≤x≤0.300、0.020≤y≤0.050及0.040≤z≤0.070。

公开(公告)号：CN110462858B

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN201880022736.5

申请日：2018-03-20

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 广瀬维子 ,  加藤浩辉 ,  广瀬正和

IPC: H10N30/853 ,  C04B35/495 ,  H10N30/50

Abstract: 本发明提供一种具有良好的电阻率的压电组合物和具备该压电组合物的压电元件，该压电组合物包含含有钾及铌的复合氧化物，复合氧化物具有：以组成式KNbO3表示的第一相；选自以组成式K4Nb6O17表示的第二相以及以组成式KNb3O8表示的第三相的一个相或两个相。

公开(公告)号：CN110520397B

公开(公告)日：2022-08-19

申请号：CN201880020986.5

申请日：2018-03-20

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 广瀬正和 ,  广瀬维子 ,  加藤浩辉

IPC: H01L41/187 ,  H01L41/083 ,  H01L41/43 ,  C04B35/495

Abstract: 本发明提供一种能够兼顾机械强度和机电耦合系数k31的压电组合物、具备该压电组合物的压电元件。所述压电组合物其特征在于，含有具有以通式ABO3表示的钙钛矿结构的复合氧化物和锰，ABO3中的A位点元素为钾或为钾及钠，B位点元素为铌，压电组合物中，锰的浓度分布具有不均，该不均以CV值计为35％以上440％以下。

公开(公告)号：CN103508731B

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201210199314.X

申请日：2012-06-14

Applicant: TDK株式会社 ,  厦门TDK有限公司

Inventor： 武藤和也 ,  佐藤大辅 ,  阿部贤 ,  广瀬正和 ,  黄锦涛 ,  张帆 ,  葛桂宾 ,  庄剑勇

IPC: C04B35/468 ,  H01G4/12

Abstract: 本发明的目的在于提供一种既能够良好地保持各种特性又能够显现高交流破坏电压的电介质陶瓷组合物并且提供一种该电介质陶瓷组合物被适用于电介质层的电子部件。电介质陶瓷组合物含有由组成式Bax（Ti1-ySny）O3所表示的化合物和Zn的氧化物。组成式中的x为0.970~0.996，y为0.050~0.130。Zn的氧化物含量相对于化合物100重量份，换算成ZnO时为1.5~8.0重量份。该电介质陶瓷组合物进一步含有Nb的氧化物，Nb的氧化物的含量相对于化合物100重量份优选为换算成Nb2O5时为0.6重量份以下。

公开(公告)号：CN103224388B

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201310032130.9

申请日：2013-01-28

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 广瀬正和 ,  阿部贤

IPC: C04B35/468 ,  H01B3/12

Abstract: 本发明有鉴于这样的实际情况，其目的在于提供一种交流破坏电场值高、静电电容的温度特性良好、相对介电常数高的电介质陶瓷组合物。另外，本发明的目的还在于提供一种具有由这样的电介质陶瓷组合物构成的电介质层的电子部件。本发明提供了一种电介质陶瓷组合物，是具有由(BapSrqCarBis)TiO3的组成式表示的主成分、第1副成分、以及第2副成分的电介质陶瓷组合物，所述组成式中的q为0.080以下，所述组成式中的r为0.020以上0.080以下，所述组成式中的s为0.002以下，且所述组成式中的p、q、r与s的合计满足0.996≤p+q+r+s≤1.010的关系。

公开(公告)号：CN103508731A

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN201210199314.X

申请日：2012-06-14

Applicant: TDK株式会社 ,  厦门TDK有限公司

Inventor： 武藤和也 ,  佐藤大辅 ,  阿部贤 ,  广瀬正和 ,  黄锦涛 ,  张帆 ,  葛桂宾 ,  庄剑勇

IPC: C04B35/468 ,  H01G4/12

Abstract: 本发明的目的在于提供一种既能够良好地保持各种特性又能够显现高交流破坏电压的电介质陶瓷组合物并且提供一种该电介质陶瓷组合物被适用于电介质层的电子部件。电介质陶瓷组合物含有由组成式Bax（Ti1-ySny）O3所表示的化合物和Zn的氧化物。组成式中的x为0.970~0.996，y为0.050~0.130。Zn的氧化物含量相对于化合物100重量份，换算成ZnO时为1.5~8.0重量份。该电介质陶瓷组合物进一步含有Nb的氧化物，Nb的氧化物的含量相对于化合物100重量份优选为换算成Nb2O5时为0.6重量份以下。