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    压电组合物以及压电元件
    2.
    发明授权
    压电组合物以及压电元件 有权

    公开(公告)号：CN110282972B

    公开(公告)日：2023-07-25

    申请号：CN201910206876.4

    申请日：2019-03-19

    Applicant: TDK株式会社

    Inventor： 加藤浩辉 ,  广瀬维子 ,  广瀬正和 ,  石田未来

    IPC: H10N30/853 ,  C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626 ,  C04B35/634 ,  C04B41/88

    Abstract: 本发明提供一种能够兼顾机械强度和压电特性并具有高可靠性的压电组合物、以及包含该压电组合物的压电元件。本发明的压电组合物是包含以组成式KmNbO3表示并具有钙钛矿结构的复合氧化物、铜和锗的压电组合物，其特征在于，组成式中的m满足0.970≤m≤0.999的关系，相对于1摩尔的复合氧化物，以铜元素换算含有x摩尔％的铜，以锗元素换算含有y摩尔％的锗，x满足0.100≤x≤1.000的关系，y满足0.000

    压电组合物以及压电元件
    3.
    发明公开
    压电组合物以及压电元件 有权

    公开(公告)号：CN110282972A

    公开(公告)日：2019-09-27

    申请号：CN201910206876.4

    申请日：2019-03-19

    Applicant: TDK株式会社

    Inventor： 加藤浩辉 ,  广瀬维子 ,  广瀬正和 ,  石田未来

    IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626 ,  C04B35/634 ,  C04B41/88

    Abstract: 本发明提供一种能够兼顾机械强度和压电特性并具有高可靠性的压电组合物、以及包含该压电组合物的压电元件。本发明的压电组合物是包含以组成式KmNbO3表示并具有钙钛矿结构的复合氧化物、铜和锗的压电组合物，其特征在于，组成式中的m满足0.970≤m≤0.999的关系，相对于1摩尔的复合氧化物，以铜元素换算含有x摩尔％的铜，以锗元素换算含有y摩尔％的锗，x满足0.100≤x≤1.000的关系，y满足0.000

    压电组合物及压电元件
    5.
    发明公开
    压电组合物及压电元件 有权

    公开(公告)号：CN110462858A

    公开(公告)日：2019-11-15

    申请号：CN201880022736.5

    申请日：2018-03-20

    Applicant: TDK株式会社

    Inventor： 广瀬维子 ,  加藤浩辉 ,  广瀬正和

    IPC: H01L41/187 ,  C04B35/495 ,  H01L41/083

    Abstract: 本发明提供一种具有良好的电阻率的压电组合物和具备该压电组合物的压电元件，该压电组合物包含含有钾及铌的复合氧化物，复合氧化物具有：以组成式KNbO3表示的第一相；选自以组成式K4Nb6O17表示的第二相以及以组成式KNb3O8表示的第三相的一个相或两个相。

    压电组合物及压电元件
    6.
    发明授权
    压电组合物及压电元件 有权

    公开(公告)号：CN110494999B

    公开(公告)日：2023-06-20

    申请号：CN201880022703.0

    申请日：2018-03-20

    Applicant: TDK株式会社

    Inventor： 加藤浩辉 ,  广瀬维子 ,  广瀬正和

    IPC: H10N30/853 ,  C04B35/495 ,  H10N30/50

    Abstract: 本发明提供一种具有良好的机械强度的压电组合物和具备该压电组合物的压电元件。该压电组合物含有具有以通式ABO3表示的钙钛矿结构的复合氧化物、和铜，其特征在于，ABO3中的A位点元素为钾、或钾及钠，B位点元素为铌、或铌及钽，相对于复合氧化物1摩尔，铜以铜元素换算计含有n摩尔％，n满足0.100≤n≤1.000的关系。

    电介质陶瓷组合物以及电子元件
    7.
    发明授权
    电介质陶瓷组合物以及电子元件 有权

    公开(公告)号：CN103449812B

    公开(公告)日：2014-12-10

    申请号：CN201310203788.1

    申请日：2013-05-28

    Applicant: TDK株式会社

    Inventor： 大津大辅 ,  阿部贤 ,  广瀬正和 ,  梅田裕二

    IPC: H01G4/12 ,  C04B35/49

    Abstract: 本发明提供一种相对介电常数和交流破坏电压高、介电损耗低、且温度特性以及烧结特性良好的电介质陶瓷组合物。本发明的电介质陶瓷组合物具备由（Ba1-x-y,Cax,Sry）m（Ti1-z-a,Zrz,Sna）O3的组成式所表示的主成分、第1副成分、第2副成分以及第3副成分。0.03≤x≤0.30；0.00＜y≤0.05；0.02＜z≤0.2；0≤a≤0.2；0.04≤z+a≤0.3；0.97≤m≤1.03。第1副成分为氧化锌，第2副成分为选自La、Pr、Pm、Nd、Sm、Eu、Gd以及Y中的至少一种的氧化物，第3副成分为选自Al、Ga、In、Mg、Cu、Ni、Co、Fe以及Si中的至少一种的氧化物。相对于所述主成分100重量%，第1副成分的含量为0.45～10重量%，第2副成分的含量以氧化物换算为大于0.0重量%且0.3重量%以下，第3副成分的含量以氧化物换算为0.02～1.5重量%。

    电介质陶瓷组合物以及电子元件
    8.
    发明公开
    电介质陶瓷组合物以及电子元件 有权

    公开(公告)号：CN103449812A

    公开(公告)日：2013-12-18

    申请号：CN201310203788.1

    申请日：2013-05-28

    Applicant: TDK株式会社

    Inventor： 大津大辅 ,  阿部贤 ,  广瀬正和 ,  梅田裕二

    IPC: C04B35/49 ,  H01G4/12

    Abstract: 本发明提供一种相对介电常数和交流破坏电压高、介电损耗低、且温度特性以及烧结特性良好的电介质陶瓷组合物。本发明的电介质陶瓷组合物具备由（Ba1-x-y,Cax,Sry）m（Ti1-z-a,Zrz,Sna）O3的组成式所表示的主成分、第1副成分、第2副成分以及第3副成分。0.03≤x≤0.30；0.00＜y≤0.05；0.02＜z≤0.2；0≤a≤0.2；0.04≤z+a≤0.3；0.97≤m≤1.03。第1副成分为氧化锌，第2副成分为选自La、Pr、Pm、Nd、Sm、Eu、Gd以及Y中的至少一种的氧化物，第3副成分为选自Al、Ga、In、Mg、Cu、Ni、Co、Fe以及Si中的至少一种的氧化物。相对于所述主成分100重量%，第1副成分的含量为0.45～10重量%，第2副成分的含量以氧化物换算为大于0.0重量%且0.3重量%以下，第3副成分的含量以氧化物换算为0.02～1.5重量%。

    压电陶瓷
    9.
    发明公开
    压电陶瓷 失效

    公开(公告)号：CN1335284A

    公开(公告)日：2002-02-13

    申请号：CN01124350.3

    申请日：2001-07-27

    Applicant: TDK株式会社

    Inventor： 七尾胜 ,  广瀬正和 ,  塚田岳夫

    IPC: C04B35/453 ,  C04B35/495 ,  H01L41/187

    CPC classification number: H01L41/187 ,  C04B35/475

    Abstract: 本发明提供一种不含铅,具有十分高的居里点,并且显示优良压电特性的压电陶瓷。该压电陶瓷中含有作为铋层状化合物的Bi3TiNbO9型结晶和/或MBi2Nb2O9型结晶,式中的M表示选自Sr、Ba和Ca的至少一种元素,其中所含的Bi、Ti、M和Nb是主成分元素,作为上述主成分元素的氧化物,其摩尔比以通式(Bi3－xMx)z(Nb1+yTi1－y)O9表示,其中,0

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