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公开(公告)号:CN1267906C
公开(公告)日:2006-08-02
申请号:CN02806470.4
申请日:2002-02-14
Applicant: TDK株式会社
IPC: G11B7/0045
CPC classification number: G11B7/126 , G11B7/006 , G11B7/0062
Abstract: 本发明的目的是减小在向能够进行高密度记录的光记录介质以多个线速度进行记录时的重放信号的失真。本发明的光记录方法是在多个线速度或连续变化的线速度下进行记录的方法,调制记录光的记录波形具有直流部分和记录脉冲部分,设直流部分的强度为Pbi,设上升沿脉冲的强度为Pw,设在以线速度VL进行记录时的Pw及Pbi分别为PwL及PbiL,设以比VL快并且满足1.1≤VH/VL的线速度VH进行记录时的Pw及Pbi分别为PwH及PbiH时,在满足PbiH/PbiL<1,(PbiH/PwH)/(PbiL/PwL)<1的条件下,进行记录。由此,能够在广线速度范围内的记录中减小重放信号的失真。
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公开(公告)号:CN1213875C
公开(公告)日:2005-08-10
申请号:CN01801244.2
申请日:2001-05-11
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G11B7/2433 , G11B7/259 , G11B7/26 , G11B2007/24306 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/25708 , G11B2007/2571 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715
Abstract: 一种光记录媒体,其中:具有以Sb作为主成分的相变型记录层,该记录层结晶化时,结晶化区域含有基本上由Sb构成的菱形晶体,且基本上不包含除基本上由Sb构成的菱形晶体以外的结晶相。本发明的光记录媒体可以提高转输速度,并且记录层的热稳定性良好。
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公开(公告)号:CN1538422A
公开(公告)日:2004-10-20
申请号:CN200410031494.6
申请日:2001-05-11
Applicant: TDK株式会社
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/258 , G11B7/00454 , G11B7/126 , G11B7/24 , G11B7/243 , G11B7/257 , G11B7/2585 , G11B7/259 , G11B7/26 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316
Abstract: 提供可提高传输速度且可减小重放信号的跳动的光记录媒体。该光记录媒体是具有相变型记录层的光记录媒体,其中:若稀土元素用R表示,除稀土元素、Te和Sb之外的元素用M表示,上述光记录媒体的记录层的构成元素的原子比用(RaTebSbc)1-xMx表示,a+b+c=1,则a>0,0.4≤c≤0.95,a/b≤1.2,a/c≤0.7,0≤x≤0.1。
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公开(公告)号:CN1165038C
公开(公告)日:2004-09-01
申请号:CN01108883.4
申请日:2001-10-10
Applicant: TDK株式会社
IPC: G11B7/00 , G11B7/0045 , G11B7/24
CPC classification number: G11B7/24085 , G11B7/00454 , G11B7/006
Abstract: 一种光记录方法,是在盘状光记录媒体的记录层上形成非晶态记录标记的方法,其中:当最短信号长度为SL,与上述最短信号对应的最短记录标记中,最大宽度为MW,EW=0.1MW,在记录用激光束的移动方向上,前端侧的宽度为EW的位置为有效前端,后端侧的宽度为EW的位置为有效后端,有效前端与有效后端的距离为有效长度ML,后端侧的宽度开始减少的位置到有效前端的距离为WL时,以从上述光记录媒体的内周侧到外周侧,WL/ML呈分段地或连续地减小的方式形成最短记录标记。
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公开(公告)号:CN119998116A
公开(公告)日:2025-05-13
申请号:CN202380070151.1
申请日:2023-11-02
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 一种导电性膜,其具备基材和设置于基材的主面侧的导电部,导电部具有:包含第一金属的主体部、和包覆主体部的表面中至少与基材相反的一侧的面的黑化层,黑化层包含第一金属和与第一金属不同的第二金属,黑化层具有空间群为Pm-3m的晶体结构。
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公开(公告)号:CN105807986B
公开(公告)日:2019-03-08
申请号:CN201610022608.3
申请日:2016-01-14
Applicant: TDK株式会社
Inventor: 新开浩
IPC: G06F3/041
Abstract: 本发明提供一种能够容易地将金属氧化物层和金属层图案化的透明导电体。本发明提供一种透明导电体(100),其中,依次层叠有透明树脂基材(10)、第1金属氧化物层(12)、包含银合金的金属层(16)以及第2金属氧化物层(14),第2金属氧化物层(14)含有ZnO作为主成分,并且含有In2O3、TiO2、Ga2O3以及GeO2作为副成分,TiO2的含量相对于ZnO、In2O3、TiO2、Ga2O3以及GeO2这5种成分的合计为12mol%以下。
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公开(公告)号:CN107533402A
公开(公告)日:2018-01-02
申请号:CN201680023522.0
申请日:2016-04-22
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供一种透明导电体,其具备:具有透明树脂基材和透射率调整层的第一层叠部;和依次具有透明树脂基材、透射率调整层、包含银或银合金的金属层和金属氧化物层的第二层叠部。第一层叠部和第二层叠部在与它们的层叠方向垂直的方向上邻接,第一层叠部的层叠方向的透射率T1与第二层叠部的层叠方向的透射率T2的差(T2‑T1)为4%以上。
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