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公开(公告)号：CN115917411A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202180047321.5
申请日：2021-07-13
Applicant: TDK株式会社
IPC: G02F1/035
Abstract: 该光调制元件(100)具有第1光波导路(11)、第2光波导路(12)、对第1光波导路(11)施加电场的第1电极(21)和对第2光波导路(12)施加电场的第2电极(22)，第1光波导路(11)和第2光波导路(12)分别包含从铌酸锂膜的第1面(40a)突出的脊形部，作为第1电极(21)中的与第1光波导路(11)重叠的部分的长度方向的长度的第1相互作用长度L1为0.9mm以上、20mm以下，作为第2电极(22)中的与第2光波导路(12)重叠的部分的长度方向的长度的第2相互作用长度L2为0.9mm以上、20mm以下。
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公开(公告)号：CN1213875C
公开(公告)日：2005-08-10
申请号：CN01801244.2
申请日：2001-05-11
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G11B7/2433 , G11B7/259 , G11B7/26 , G11B2007/24306 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/25708 , G11B2007/2571 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715
Abstract: 一种光记录媒体，其中：具有以Sb作为主成分的相变型记录层，该记录层结晶化时，结晶化区域含有基本上由Sb构成的菱形晶体，且基本上不包含除基本上由Sb构成的菱形晶体以外的结晶相。本发明的光记录媒体可以提高转输速度，并且记录层的热稳定性良好。
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公开(公告)号：CN1538422A
公开(公告)日：2004-10-20
申请号：CN200410031494.6
申请日：2001-05-11
Applicant: TDK株式会社
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/258 , G11B7/00454 , G11B7/126 , G11B7/24 , G11B7/243 , G11B7/257 , G11B7/2585 , G11B7/259 , G11B7/26 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316
Abstract: 提供可提高传输速度且可减小重放信号的跳动的光记录媒体。该光记录媒体是具有相变型记录层的光记录媒体，其中：若稀土元素用R表示，除稀土元素、Te和Sb之外的元素用M表示，上述光记录媒体的记录层的构成元素的原子比用(RaTebSbc)1－xMx表示，a+b+c＝1，则a＞0，0.4≤c≤0.95，a/b≤1.2，a/c≤0.7，0≤x≤0.1。
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公开(公告)号：CN1165038C
公开(公告)日：2004-09-01
申请号：CN01108883.4
申请日：2001-10-10
Applicant: TDK株式会社
IPC: G11B7/00 , G11B7/0045 , G11B7/24
CPC classification number: G11B7/24085 , G11B7/00454 , G11B7/006
Abstract: 一种光记录方法，是在盘状光记录媒体的记录层上形成非晶态记录标记的方法，其中：当最短信号长度为SL，与上述最短信号对应的最短记录标记中，最大宽度为MW，EW＝0.1MW，在记录用激光束的移动方向上，前端侧的宽度为EW的位置为有效前端，后端侧的宽度为EW的位置为有效后端，有效前端与有效后端的距离为有效长度ML，后端侧的宽度开始减少的位置到有效前端的距离为WL时，以从上述光记录媒体的内周侧到外周侧，WL/ML呈分段地或连续地减小的方式形成最短记录标记。
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公开(公告)号：CN1365101A
公开(公告)日：2002-08-21
申请号：CN01141230.5
申请日：2001-10-10
Applicant: TDK株式会社
IPC: G11B7/00 , G11B7/0045 , G11B7/24
CPC classification number: G11B7/24079 , G11B7/00454 , G11B7/006 , G11B7/00718 , G11B7/243 , G11B7/256 , G11B7/2578 , G11B7/258 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316
Abstract: 公开了一种光记录方法,其中,用带纹槽的透光性基体上依次具有相变型记录层、电介质层和反射层的光记录媒体进行记录时,以记录用的激光的波长为λ,记录光学系统的物镜数值孔径为NA,记录光道的排列间距为PT时,在0.48≤PT/(λ/NA)≤0.74,PT≤0.50μm成立的条件下,通过对纹槽进行记录,形成两端部从纹槽露出的记录标记。使用上述记录方法,可以进行高密度记录,而且提高了数据传输速度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115668039A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202180036144.0
申请日：2021-07-13
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 该光调制器(200)包括具有第1光波导(11)、第2光波导(12)、对第1光波导(11)施加电场的第1电极(21)和对第2光波导(12)施加电场的第2电极(22)的光调制元件(100)以及控制第1电极(21)与第2电极(22)之间的施加电压的控制部，控制部在令光调制元件(100)的半波长电压为Vπ，令作为施加于光调制元件(100)的施加电压的振幅的施加电压幅度为Vpp时，令Vpp为0.06×Vπ≤Vpp≤0.4×Vπ，在令施加于光调制元件(100)的电压的最小值和最大值分别为Vmin和Vmax，令光调制元件(100)的null点电压为Vn时，令Vn≤Vmin≤Vn+0.29×Vπ，或Vn‑0.29×Vπ≤Vmax≤Vn。
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公开(公告)号：CN100334632C
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200410031494.6
申请日：2001-05-11
Applicant: TDK株式会社
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/258 , G11B7/00454 , G11B7/126 , G11B7/24 , G11B7/243 , G11B7/257 , G11B7/2585 , G11B7/259 , G11B7/26 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316
Abstract: 提供可提高传输速度且可减小重放信号的跳动的光记录媒体。该光记录媒体是具有相变型记录层的光记录媒体，其中：若稀土元素用R表示，Ag、In和Ge中的至少一种元素用M表示，上述光记录媒体的记录层的构成元素的原子比用(RaTebSbc)1-xMx表示，a+b+c＝1，则a＞0，0.4≤c≤0.95，a/b≤1.2，a/c≤0.7，0≤x≤0.1。
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公开(公告)号：CN1483191A
公开(公告)日：2004-03-17
申请号：CN01821456.8
申请日：2001-11-27
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G11B7/26 , G11B7/00 , G11B7/00375
Abstract: 本发明的目的是提供用于判断相变型介质是否可用作一次写入型介质的检查方法。在本发明中，将最短信号记录在具有相变型记录层的光记录介质中以便该最短信号的CNR等于或高于45dB，用其功率电平不能熔化该记录层的恒流激光束，以与记录该最短信号时相同的线速度照射记录有该最短信号的区域，并测量该最短信号的载波中的减小量。当该最短信号的载波中的减小量等于或低于20dB时，将该光记录介质判定为一次写入型介质。
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公开(公告)号：CN1380855A
公开(公告)日：2002-11-20
申请号：CN01801244.2
申请日：2001-05-11
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G11B7/2433 , G11B7/259 , G11B7/26 , G11B2007/24306 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/25708 , G11B2007/2571 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715
Abstract: 一种光记录媒体,其中:具有以Sb作为主成分的相变型记录层,该记录层结晶化时,结晶化区域含有基本上由Sb构成的菱形晶体,且基本上不包含除基本上由Sb构的菱形晶体以外的结晶相。本发明的光记录媒体可以提高转输速度,并且记录层的热稳定性良好。
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公开(公告)号：CN1913017A
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN200610100722.X
申请日：2001-05-11
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 提供可提高传输速度且可减小重放信号的跳动的光记录媒体。该光记录媒体是具有相变型记录层的光记录媒体，其中：若稀土元素用R表示，Ag、In和Ge中的至少一种元素用M表示，上述光记录媒体的记录层的构成元素的原子比用(RaTebSbc)1－xMx表示，a+b+c＝1，则a＞0，0.4≤c≤0.95，a/b≤1.2，a/c≤0.7，0≤x≤0.1。
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