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公开(公告)号:CN1898181A
公开(公告)日:2007-01-17
申请号:CN200580001299.1
申请日:2005-01-18
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/26
CPC classification number: C04B35/2683 , C04B35/6261 , C04B35/62625 , C04B35/6265 , C04B35/62675 , C04B35/6268 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3241 , C04B2235/3272 , C04B2235/3418 , C04B2235/422 , C04B2235/5409 , C04B2235/5445 , C04B2235/605 , C04B2235/83 , H01F1/11 , H01F41/0273
Abstract: 提供一种通过减低湿式成形时的成形不良来制造磁特性高的W型铁氧体的方法。该方法是具有下述式(1)的主组成的铁氧体烧结体的制造方法,其具备从原料组合物得到预烧体的预烧工序、将预烧体粉碎至规定粒度的第1粉碎工序、将第1粉碎工序得到的微粉末在氧浓度为10体积%或以下的气氛中在规定温度范围保持规定时间的热处理工序、将经过热处理工序的微粉末粉碎至规定粒度的第2粉碎工序、将经过第2粉碎工序的微粉末在磁场中进行湿式成形的工序、以及将湿式成形得到的成形体进行烧成的烧成工序。AFe2+aFe3+bO27式(1);(其中,1.5≤a≤2.1、14≤a+b≤18.5,而且A为从Sr、Ba以及Pb之中选择的至少1种元素)。
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公开(公告)号:CN1860561A
公开(公告)日:2006-11-08
申请号:CN200480028393.1
申请日:2004-09-30
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01F41/303 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , H01F10/132 , H01F10/3286 , H01F17/0013 , H01F41/046 , H01F2017/0066 , Y10T428/32 , Y10T428/325
Abstract: 在衬底(4)上交替地层叠Co系非晶合金层(2)、和该Co系非晶合金(2)的自然氧化层(3)从而形成多层膜(1)。通过使自然氧化层(3)在该多层膜(1)总体的体积中占的比例为5~50%,就得到能够在GHz频带的高频域利用的高频用磁性薄膜及磁元件。也可以交替地层叠具有成膜时磁场外加方向成为易磁化轴的性质的Co系非晶合金层(2)、和该Co系非晶合金的自然氧化层(3)从而形成多层膜(1),该形成的多层膜(1)的易磁化轴与多层膜(1)在成膜时的磁场外加方向正交。
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公开(公告)号:CN1662470A
公开(公告)日:2005-08-31
申请号:CN03813921.9
申请日:2003-07-31
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/38
CPC classification number: C01G49/0018 , C01P2006/40 , C01P2006/42 , C04B35/2616 , C04B35/265 , C04B2235/3203 , C04B2235/3208 , C04B2235/3232 , C04B2235/3239 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3262 , C04B2235/3279 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3287 , C04B2235/3293 , C04B2235/3294 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/42 , C04B2235/447 , C04B2235/656 , C04B2235/6584 , C04B2235/727 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , H01F1/344 , H01F1/36
Abstract: 本发明提供一种包含Fe2O3:62~68mol%、ZnO:12~20mol%的MnZn铁氧体烧结体,其中含有NiO和/或LiO0.5作为主成分。还提供一种包含Fe2O3:62~68mol%、ZnO:12~23mol%的MnZn铁氧体烧结体,其中含有Si和Ca作为副成分。本发明的烧结体在测定磁场为1194A/m下测定的100℃下的饱和磁通密度为450mT或以上、在测定条件为100kHz、200mT下测定的铁心损耗的最小值为1200kW/m3或以下,铁心损耗显示最小值的温度的底限温度为60~130℃、且室温下的初始导磁率为700或以上的特性。
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公开(公告)号:CN1215493C
公开(公告)日:2005-08-17
申请号:CN02803279.9
申请日:2002-10-10
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01F41/0273 , C04B35/2683 , C04B35/6263 , C04B35/63 , C04B35/632 , C04B35/634 , C04B2235/3203 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3232 , C04B2235/3241 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3274 , C04B2235/3287 , C04B2235/3298 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/449 , C04B2235/5409 , C04B2235/605 , C04B2235/608 , C04B2235/77 , H01F1/113 , H01F41/0266
Abstract: 本发明是氧化物磁性材料系永磁铁的制造方法,它包括:在包含氧化物磁性材料的原料粉末中加入粘合剂并混合的粘合剂添加工序;调节包含上述原料粉末与粘合剂的成型用混合物中水分的水分调节工序;将水分调节好的上述成型用混合物加入模具中,施加磁场,使氧化物磁性粉料全部沿容易磁化方向排列同时加压的磁场中干式成型工序;以及在1200~1260℃的温度下对已成型的成型体进行烧制的烧制工序,其特征在于:上述粘合剂添加工序中的粘合剂是分子量为400~600的脂肪酸酯系的蜡,成型用混合物中粘合剂的含量为0.2~1.5wt%,上述水分调节工序的混合物中的水分含量为0.20~0.80wt%,而上述磁场中干式成型工序中加入模具内的成型用混合物内所存在的粒度在500μm以上的聚集体的存在比例为0.01~0.80wt%,由此可以制得能够低成本化且具有优越磁性质的氧化物磁性材料系的永磁铁。
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公开(公告)号:CN1259499A
公开(公告)日:2000-07-12
申请号:CN99115982.9
申请日:1999-12-04
Applicant: TDK株式会社
Inventor: 村濑琢
CPC classification number: H01Q17/004
Abstract: 本发明涉及一种由含有氧化镍2.0~14.5摩尔%、氧化铜3.5~17.0摩尔%、氧化锌30.0~33.0%摩尔%、氧化锰0.5~10.0摩尔%、氧化铁40.0~50.0摩尔%范围的MnNiCuZn铁氧体为主成分制作的电波吸收体,因此,能够获得一种在从低频率带域起的广大的频率带域其反射量在-20dB或以下,而且,配合厚度薄,电波吸收体制造成本能够降低的电波吸收体。
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公开(公告)号:CN100548917C
公开(公告)日:2009-10-14
申请号:CN200510129197.X
申请日:2005-08-30
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/46 , C04B35/462 , H01G4/12
CPC classification number: C04B35/4682 , B32B18/00 , B32B2311/22 , C04B35/62665 , C04B35/62685 , C04B35/638 , C04B35/64 , C04B2235/3201 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3241 , C04B2235/3262 , C04B2235/3286 , C04B2235/3287 , C04B2235/3418 , C04B2235/3436 , C04B2235/3454 , C04B2235/6582 , C04B2235/6584 , C04B2235/6588 , C04B2235/663 , C04B2235/785 , C04B2237/346 , C04B2237/405 , C04B2237/704 , H01B3/12 , H01G4/1245
Abstract: 本发明提供一种电介质陶瓷组合物,其含有:包含组成式{(Me1-xCax)O}m·(Zr1-yTiy)O2表示的电介质氧化物的主成分,其中Me是Sr、Mg和Ba中的至少一种,m、x和y具有0.995≤m≤1.020、0<x≤0.15、0≤y≤1.00的关系;含有R氧化物(其中,R是稀土尖元素)的第一副成分;含有Mg氧化物的第二副成分;含有Mn氧化物的第三副成分;其中各副成分相对于100mol主成分的比率是:第一副成分:0.1~6mol;第二副成分;1~5mol;第三副成分:0.1~2.5mol;该电介质陶瓷组合物还含有A氧化物(其中,A是选自6配位时有效离子半径为0.065nm~0.085nm的阳离子元素组中的至少一种)作为第四副成分。
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公开(公告)号:CN100334035C
公开(公告)日:2007-08-29
申请号:CN200380100727.7
申请日:2003-12-26
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供一种主成分为Fe2O3:62~68mol%、ZnO:12~20mol%、以及余量实质上为MnO的铁氧体材料的制造方法,其包括:采用含有比表面积在2.5~5.0m2/g的范围内、且90%粒径为10μm或以下的主成分的粉末而得到成形体的成形工序,以及烧成在所述成形工序得到的成形体的烧成工序。藉此可以使Mn-Zn系铁氧体的饱和磁通密度得到提高。
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公开(公告)号:CN1849676A
公开(公告)日:2006-10-18
申请号:CN200480026004.1
申请日:2004-09-10
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y40/00 , H01F10/007 , H01F10/132 , H01F10/265 , H01F41/301 , Y10T428/115 , Y10T428/32
Abstract: 通过采用由非晶状态的强磁性金属和与该强磁性金属不同的非晶金属形成的DM(不连续多层)结构,实现了在GHz频带的高频区具有高的磁导率且具有高的饱和磁化的高频用磁性薄膜。此时,优选:(i)强磁性金属是以Fe或FeCo为主成分、并含有选自C、B和N的1种或2种以上的元素的金属,非晶金属是Co系非晶合金;(ii)非晶金属是CoZrNb。
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公开(公告)号:CN1842505A
公开(公告)日:2006-10-04
申请号:CN200480024825.1
申请日:2004-12-08
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 通过使所添加的副成分最佳化,提供以提高了磁特性的W型作为主相的铁氧体磁性材料。作为主成分,含有以组成式AFe2+aFe3+bO27表示的组合物;作为第1副成分,含有以CaCO3换算计为0.3~3.0wt%的Ca成分和/或以SiO2换算计为0.2~1.4wt%的Si成分;且作为第2副成分,含有以Al2O3换算计为0.01~1.5wt%的Al成分、以WO3换算计为0.01~0.6wt%的W成分、以CeO2换算计为0.001~0.6wt%的Ce成分、以MoO3换算计为0.001~0.16wt%的Mo成分以及以Ga2O3换算计为0.001~15wt%的Ga成分之中的至少1种或多种,在所述组成式中,A为从Sr、Ba以及Pb之中选择的至少1种元素,且1.5≤a≤2.1、12.9≤b≤16.3。
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公开(公告)号:CN1691218A
公开(公告)日:2005-11-02
申请号:CN200510066645.6
申请日:2005-04-21
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: C04B35/2658 , C01G49/0018 , C01G49/009 , C01P2006/42 , C04B35/62655 , C04B35/6303 , C04B35/64 , C04B2235/3208 , C04B2235/3212 , C04B2235/3232 , C04B2235/3239 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3262 , C04B2235/3263 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3287 , C04B2235/3293 , C04B2235/3294 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/42 , C04B2235/656 , C04B2235/6567 , C04B2235/6584 , C04B2235/663 , C04B2235/77 , C04B2235/85 , C04B2235/96 , C22C29/12 , H01F1/344 , H01F41/0246 , Y10T428/12465 , Y10T428/12792
Abstract: 本发明提供一种批量生产性优良、高耐压、低损耗、且具有优良的直流重叠特性的Mn-Zn系铁素体部件,该Mn-Zn系铁素体部件包含具有下列的特性的表层部:ρ5是ρ5≥103Ωm、ρ50是ρ50≤102Ωm,其中ρ5:(R0-R1)S/L5(Ωm),ρ50:(R2-R3)S/L50(Ωm);而且其中,L5=10μm,L50=20μm,R0(Ω):在试样A(试样A是该Mn-Zn系铁素体部件之中采取的试样)的第1面的整个面以及第2面的整个面上形成的电极间的电阻值,R1(Ω):在将第1面研磨10μm后,在该研磨面的整个面以及第2面的整个面上分别形成的电极间的电阻值;R2(Ω):在将第1面研磨40μm后,在该研磨面的整个面以及第2面的整个面上分别形成的电极间的电阻值;R3(Ω):在将第1面研磨60μm后,在该研磨面的整个面以及第2面的整个面上分别形成的电极间的电阻值。
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