公开(公告)号：CN116589273A

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN202211590156.0

申请日：2022-12-12

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 武藤和也 ,  佐佐木真一 ,  佐藤阳

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/626 ,  H01G4/12

Abstract: 本发明提供一种具有由通式AMO3表示的钙钛矿结构的主成分颗粒的电介质陶瓷组合物，其中，A位点包含Ba，M位点包含Ti，主成分颗粒的D50为960nm以下，主成分颗粒的D90为1460nm以下。

公开(公告)号：CN1903788B

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN200610153460.3

申请日：2006-04-04

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 伊东和重 ,  佐藤阳

IPC: C04B35/468 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30

CPC classification number: H01G4/1227 ,  B32B2311/22 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/62685 ,  C04B35/628 ,  C04B35/62813 ,  C04B35/6303 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3205 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3249 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3436 ,  C04B2235/3454 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/663 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/405 ,  H01G4/30 ,  Y10T428/2993

Abstract: 一种电介质陶瓷组合物，该组合物含有包含钛酸钡的主成分和Al的氧化物，其特征在于所述电介质陶瓷组合物具有多个电介质粒子，所述电介质粒子中Al的浓度从粒子表面向粒子内部逐渐减低。优选地，所述电介质粒子至少在粒子中心部分具有基本上不含有Al的Al非扩散区域。

公开(公告)号：CN100548917C

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200510129197.X

申请日：2005-08-30

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 伊东和重 ,  佐藤阳 ,  村濑琢

IPC: C04B35/46 ,  C04B35/462 ,  H01G4/12

CPC classification number: C04B35/4682 ,  B32B18/00 ,  B32B2311/22 ,  C04B35/62665 ,  C04B35/62685 ,  C04B35/638 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3436 ,  C04B2235/3454 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/663 ,  C04B2235/785 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/405 ,  C04B2237/704 ,  H01B3/12 ,  H01G4/1245

Abstract: 本发明提供一种电介质陶瓷组合物，其含有：包含组成式{(Me1-xCax)O}m·(Zr1-yTiy)O2表示的电介质氧化物的主成分，其中Me是Sr、Mg和Ba中的至少一种，m、x和y具有0.995≤m≤1.020、0＜x≤0.15、0≤y≤1.00的关系；含有R氧化物(其中，R是稀土尖元素)的第一副成分；含有Mg氧化物的第二副成分；含有Mn氧化物的第三副成分；其中各副成分相对于100mol主成分的比率是：第一副成分：0.1～6mol；第二副成分；1～5mol；第三副成分：0.1～2.5mol；该电介质陶瓷组合物还含有A氧化物(其中，A是选自6配位时有效离子半径为0.065nm～0.085nm的阳离子元素组中的至少一种)作为第四副成分。

公开(公告)号：CN100381393C

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：CN200510097630.6

申请日：2005-08-30

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 伊东和重 ,  佐藤阳

IPC: C04B35/468

CPC classification number: H01G4/10

Abstract: 本发明提供一种具有电介质层的陶瓷电子部件，上述电介质层含有用组成式BamTiO2+m表示的主成分，上述组成式中的m为0.995≤m≤1.010，Ba和Ti之比为0.995≤Ba/Ti≤1.010，和包含Al氧化物的副成分(第6副成分)；相对于上述主成分100摩尔，上述Al氧化物的含量，按Al2O3换算为0～4.0摩尔(其中，不包括0)，优选方案为上述电介质层具有偏析相，上述偏析相中含有Al氧化物。

公开(公告)号：CN101104558A

公开(公告)日：2008-01-16

申请号：CN200710110029.5

申请日：2007-06-12

Applicant: TDK株式会社

Inventor： M·柳田 ,  佐藤阳

IPC: C04B35/49 ,  C04B35/50 ,  C04B35/624 ,  H01G4/12 ,  H01B3/12

CPC classification number: H01G4/1227 ,  B82Y30/00 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/49 ,  C04B35/6263 ,  C04B35/6264 ,  C04B35/62685 ,  C04B35/638 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3248 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3436 ,  C04B2235/3445 ,  C04B2235/3454 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/652 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/663 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/785 ,  H01G4/30

Abstract: 电介质陶瓷组合物的制造方法，其制造含有下述成分的电介质陶瓷组合物，所述组合物含有：含有具有组成式(Ba1－xCax)(Ti1－yZry)O3(0≤x≤0.2、0≤y≤0.2)所示的钙钛矿型结晶结构的化合物的主成分；含有R的氧化物(其中，R为选自Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu的至少一种)的第4副成分，其包括下述工序：使主成分原料和将包含在电介质陶瓷组合物中的第4副成分原料的一部分预先反应，得到反应过的原料的工序；和向反应过的原料中添加将包含在电介质陶瓷组合物中的其余的第4副成分原料的工序。根据本发明，可提供即使将电介质层薄层化，也可兼顾相对介电常数和容量温度特性的电介质陶瓷组合物及其制造方法。

公开(公告)号：CN101034597A

公开(公告)日：2007-09-12

申请号：CN200710086019.2

申请日：2007-03-07

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 原治也 ,  渡边康夫 ,  佐藤阳

IPC: H01B3/12 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30 ,  C04B35/46

CPC classification number: C04B35/4682 ,  C04B35/638 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/663 ,  C04B2235/762 ,  C04B2235/765 ,  H01G4/1209 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/30

Abstract: 本发明的目的是提供一种层叠陶瓷电子部件，实现绝缘不良的降低或耐电压特性的改善，抑制裂缝或分层的发生，提高制造成品率。为此，在电介质陶瓷层和内部电极层交替层叠的层叠陶瓷电子部件中，作为用于形成电介质陶瓷层的陶瓷粉末，使用如下陶瓷粉末，即具有钙钛矿型晶体结构，四方相的含量Wt与立方相的含量Wc的重量比率Wt/Wc为X时，X＜3。四方相与立方相的重量比Wt/Wc是通过Rietveld法多相分析求得的。陶瓷粉末例如可以是钛酸钡粉末。陶瓷粉末的比表面积为4～10m2/g。

公开(公告)号：CN1889210A

公开(公告)日：2007-01-03

申请号：CN200510081355.9

申请日：2005-06-27

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 伊東和重 ,  佐藤阳

IPC: H01G4/12 ,  H01B3/12 ,  C04B35/468 ,  H01G4/30

CPC classification number: C04B35/4682 ,  B32B18/00 ,  B32B2311/22 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3205 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3249 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3427 ,  C04B2235/3436 ,  C04B2235/3454 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/662 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/785 ,  C04B2237/12 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/40 ,  C04B2237/405 ,  C04B2237/704 ,  C04B2237/706 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/30

Abstract: 本发明的叠层型陶瓷电容器的构成为，在构成电介质层的结晶粒子中使第1稀土族元素(R1)和第2稀土族元素(R2)分别扩散，在平均粒径的结晶粒子中，相对于结晶粒子的直径D，第1稀土族元素(R1)距结晶粒子表面的扩散层深度d1所占比例为X1(％)、且相对于结晶粒子的直径D，第2稀土族元素(R2)距结晶粒子表面的扩散层深度d2所占比例为X2(％)时，第2稀土族元素(R2)的扩散层深度d2比第1稀土族元素(R1)的扩散层深度d1扩及更深部，X1＝10～35％、且X2＞X1(与d2＞d1意义相同)的关系成立，因此作为容量经时变化指标的容量温度特性满足EIA标准X8R特性(－55～150℃，ΔC/C＝±15％以内)，且在加速试验中电阻变化率小(IR平均寿命长)、可靠性优良。

公开(公告)号：CN1767100A

公开(公告)日：2006-05-03

申请号：CN200510113619.4

申请日：2005-10-12

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 伊东和重 ,  佐藤阳

IPC: H01G4/12 ,  H01B3/12 ,  C04B35/468

CPC classification number: H01G4/1218

Abstract: 本发明提供静电容量的温度特性好、IR温度依赖性低、可靠性高的陶瓷电子元件及其制造方法。本发明提供的陶瓷电子元件，其特征在于具有电介质层，其中，前述电介质层含有组成式BamTiO2+m(m是0.995≤m≤1.010、Ba与Ti的比是0.995≤Ba/Ti≤1.010)表示的主要成分，作为辅助成分的Al氧化物、Si氧化物或R的氧化物(其中R是选自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb与Lu中的至少1种，前述Al的氧化物的至少一部分，和前述Si的氧化物或前述R的氧化物的至少一部分，形成与主要由前述主要成分构成的主相不同的2次相。

公开(公告)号：CN1716475A

公开(公告)日：2006-01-04

申请号：CN200510081138.X

申请日：2005-06-28

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 伊東和重 ,  佐藤阳

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30 ,  H01G4/38

CPC classification number: C04B35/4682 ,  B32B18/00 ,  B32B2311/22 ,  C04B35/62665 ,  C04B35/638 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3205 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3249 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3427 ,  C04B2235/3436 ,  C04B2235/3445 ,  C04B2235/3454 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/662 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/782 ,  C04B2235/785 ,  C04B2237/12 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/40 ,  C04B2237/405 ,  C04B2237/704 ,  C04B2237/706

Abstract: 本发明的叠层型陶瓷电容器具有：含有钛酸钡的主成分、和含有选自MgO、CaO、BaO、和SrO的至少1种的第1副成分、和含有二氧化硅为主成分的第2副成分、和含有选自V2O5、MoO3和WO3的至少1种的第3副成分、和含有选自Sc、Er、Tm、Yb和Lu的至少1种的第1稀土族元素(R1)氧化物的第4副成分、和含有CaZrO3或CaO和ZrO2混合物(CaO+ZrO2)的第5副成分，并如下构成：在构成上述电介质层的结晶粒子中使Zr扩散，在平均粒径的结晶粒子中，Zr的扩散层深度相对于结晶粒子的直径至10～35％的深度，因此作为容量的经时变化指标的容量温度特性满足EIA标准X8R特性(－55～150℃，ΔC/C＝±15％以内)，且在加速试验中电阻变化率小(平均寿命长)、可靠性优良。

公开(公告)号：CN1649049A

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：CN200510006160.8

申请日：2005-01-31

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 野口和则 ,  日比贵子 ,  宫内真理 ,  佐藤阳

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30

CPC classification number: H01G4/12 ,  H01G4/30

Abstract: 本发明提供一种叠层陶瓷电容器(1)，包括内部电极层(3)、厚度为3.5μm以下的层间电介质层(2)，其中，上述层间电介质层(2)由与上述内部电极层接触的接触电介质粒子(2a)以及不与上述内部电极层接触的非接触电介质粒子(2b)构成，在上述层间电介质层(2)中包含的多个电介质粒子总体的平均粒径为D50，上述接触电介质粒子(2a)的粒度分布的标准偏差为σ时，满足D50≤0.25μm，且σ≤0.14。根据本发明，可以提供一种叠层陶瓷电容器(1)，即使将层间电介质层(2)薄层化时，也可以期待DC偏压特性的提高。