公开(公告)号：CN101508564B

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN200910006716.1

申请日：2009-02-13

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 山下友宏 ,  佐佐木洋 ,  野中智明 ,  桥本晋亮

IPC: H01B3/12 ,  C04B35/468 ,  C04B35/622 ,  H01G4/12

CPC classification number: C04B35/4682 ,  B82Y30/00 ,  C01G23/006 ,  C01P2002/77 ,  C01P2006/12 ,  C01P2006/40 ,  C01P2006/80 ,  C01P2006/88 ,  C04B35/62675 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/724 ,  C04B2235/761 ,  C04B2235/765

Abstract: 本发明涉及电介质粉末的制造方法。本发明提供使用金红石化率低(锐钛矿化率高)、反应性高的微细二氧化钛粉末，制造微细的电介质粉末的方法。电介质粉末的制造方法，包括：准备表面氯量与内部氯量总计为2000ppm以下，表面氯量为120ppm以下，金红石化率为30％以下，BET比表面积为30m2/g以上的二氧化钛粉末的工序；通过加热分解生成氧化钡的准备钡化合物粉末的工序；准备二氧化钛粉末与钡化合物粉末的混合粉末的工序和对该混合粉末进行热处理的工序。

公开(公告)号：CN119998116A

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202380070151.1

申请日：2023-11-02

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 新开浩 ,  葛西寿昭 ,  桥本晋亮

IPC: B32B7/025 ,  B32B15/04 ,  B32B15/08 ,  C23C18/16 ,  C23C22/52 ,  C23C28/00 ,  G06F3/041 ,  H05K1/09

Abstract: 一种导电性膜，其具备基材和设置于基材的主面侧的导电部，导电部具有：包含第一金属的主体部、和包覆主体部的表面中至少与基材相反的一侧的面的黑化层，黑化层包含第一金属和与第一金属不同的第二金属，黑化层具有空间群为Pm－3m的晶体结构。

公开(公告)号：CN113571285B

公开(公告)日：2023-06-16

申请号：CN202110451926.2

申请日：2021-04-26

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 山下保英 ,  寺尾耕太郎 ,  桥本晋亮

IPC: H01F3/08 ,  H01F3/10 ,  H01F27/255

Abstract: 本发明提供一种直流重叠特性和初始磁导率优异的电子部件、该电子部件中使用的磁芯和构成该磁芯的成型体。本发明的成型体的特征在于：在成型体的截面上，在能够观察到10个以上且40个以下的具有磁性的大颗粒的规定范围的视野内，具有1处以上的间隔体区域，该间隔体区域中，平均粒径比大颗粒小的1个以上的小颗粒作为间隔体存在于大颗粒彼此之间。

公开(公告)号：CN113571285A

公开(公告)日：2021-10-29

申请号：CN202110451926.2

申请日：2021-04-26

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 山下保英 ,  寺尾耕太郎 ,  桥本晋亮

IPC: H01F3/08 ,  H01F3/10 ,  H01F27/255

Abstract: 本发明提供一种直流重叠特性和初始磁导率优异的电子部件、该电子部件中使用的磁芯和构成该磁芯的成型体。本发明的成型体的特征在于：在成型体的截面上，在能够观察到10个以上且40个以下的具有磁性的大颗粒的规定范围的视野内，具有1处以上的间隔体区域，该间隔体区域中，平均粒径比大颗粒小的1个以上的小颗粒作为间隔体存在于大颗粒彼此之间。

公开(公告)号：CN113571284A

公开(公告)日：2021-10-29

申请号：CN202110451896.5

申请日：2021-04-26

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 山下保英 ,  寺尾耕太郎 ,  桥本晋亮

IPC: H01F3/08 ,  H01F3/10 ,  H01F27/255

Abstract: 本发明提供一种直流重叠特性和耐压高、且抑制高温环境下的耐压的降低的电感元件等电子部件、该电子部件中使用的磁芯和构成该磁芯的复合颗粒。复合颗粒具有：大颗粒，其具有磁性；小颗粒，其直接或间接地附着于大颗粒的表面且平均粒径比大颗粒小；相互缓冲膜，其至少覆盖位于绕大颗粒周围存在的小颗粒之间的大颗粒的表面。将大颗粒的平均粒径设为R、将小颗粒的平均粒径设为r、且将相互缓冲膜的平均厚度设为t时，(r/R)为0.0012以上且0.025以下，(t/r)为大于0且0.7以下，r为12nm以上且100nm以下。

公开(公告)号：CN101549996A

公开(公告)日：2009-10-07

申请号：CN200910132520.7

申请日：2009-03-31

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 桥本晋亮 ,  山下友宏 ,  野中智明 ,  佐佐木洋

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/628

CPC classification number: C04B35/4682 ,  C01G23/006 ,  C01P2002/72 ,  C01P2004/60 ,  C01P2006/12 ,  C04B35/46 ,  C04B35/62675 ,  C04B35/6268 ,  C04B35/62685 ,  C04B35/62821 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/761 ,  C04B2235/79 ,  C04B2235/80

Abstract: 本发明涉及复合氧化物粒子及其制造方法。本发明提供能够制造微细且粒径、粒子性状均匀的电介质粒子，特别是钛酸钡粒子的前体物质及其制造方法。作为上述钛酸钡粒子的前体物质的本发明的复合氧化物粒子基本上仅包含75～25摩尔％的钛酸钡相和25～75摩尔％的二氧化钛相。所述复合氧化物粒子是将包含100摩尔％的二氧化钛粒子和25～75摩尔％的钡化合物粒子的混合粉末在500℃以上且低于900℃的温度下进行热处理而得到的。