薄膜磁头的评价方法
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100403402C

    公开(公告)日:2008-07-16

    申请号:CN200610006811.8

    申请日:2006-02-07

    Abstract: 本发明提供一种可以高精度地评价薄膜磁头输出特性是否良好的方法。在具有将反铁磁性层、固定磁性层、非磁性导电层和自由磁性层层叠构成的旋转阀膜、以及与该旋转阀膜的磁道宽度方向的两侧相接触的硬偏磁膜的薄膜磁头中,首先,在磁道宽度方向上磁化硬偏磁膜(第一磁化工序),施加交流电场来测量磁头输出特性(第一次测量工序)。接着,在与磁道宽度方向正交的高度方向上磁化了硬偏磁膜后,至少执行一次在磁道宽度方向上磁化的处理,使该硬偏磁膜的磁化方向返回到磁道宽度方向(第二磁化工序)。接着,在与第一次测量工序相同的条件下施加交流电场来测量磁头输出特性(第二次测量工序)。并且,比较第一次与第二次的测量结果,判定磁头输出特性是否良好。

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