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公开(公告)号：CN111599567B
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202010103764.9
申请日：2020-02-20
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供一种复合磁性材料、以及使用了该复合磁性材料的磁芯和电子零件，该复合磁性材料在GHz带的高频域中相对磁导率μr高、磁损耗tanδ低，在安装于制品时密合性高，不易产生裂纹和剥离。该复合磁性材料含有粉末和树脂。粉末具有由Fe、或Fe和Co构成的主成分。粉末的一次颗粒的平均短轴长度为100nm以下。在将粉末的一次颗粒的纵横比的平均值设为Av、粉末的一次颗粒的纵横比的标准偏差设为σ时，在X－Y坐标平面上，满足(X，Y)＝(σ/Av(％)，(Av－σ))的点存在于由三个点α(24.5，6.7)、β(72.0，1.2)和γ(24.5，1.2)包围的区域内(包含边界)。
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公开(公告)号：CN105474333B
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201480044215.1
申请日：2014-08-08
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01F1/0536 , H01F1/0577 , H01F41/0293
Abstract: 本发明提供一种具有优异的耐腐蚀性，并且兼具良好的磁特性的R‑T‑B系烧结磁铁。上述R‑T‑B系烧结磁铁的特征在于，上述R‑T‑B系烧结磁铁具有R2T14B晶粒，在由相邻的2个以上的上述R2T14B晶粒形成的晶界中具有R‑Ga‑Co‑Cu‑N浓缩部，相比上述R2T14B晶粒内，上述R‑Ga‑Co‑Cu‑N浓缩部的R、Ga、Co、Cu、N的浓度都更高。
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公开(公告)号：CN101684035A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200910177761.3
申请日：2009-09-25
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H05K1/0306 , C03C14/004 , C03C2214/04 , C03C2214/20 , H05K3/4611 , H05K3/4629 , H05K2201/0209 , H05K2201/0245 , Y10T428/257
Abstract: 本发明提供一种玻璃陶瓷基板(11a)～(11d)，其含有玻璃成分和分散在该玻璃成分中的板状氧化铝填充剂，所述板状氧化铝填充剂的平均板径为0.1～20μm，平均长宽比为50～80，相对于所述玻璃成分与所述板状氧化铝填充剂的合计量，所述板状氧化铝填充剂的含量为22～35体积％。
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公开(公告)号：CN101100380A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200610132112.8
申请日：2006-10-10
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/49
CPC classification number: C04B35/49 , C04B2235/3201 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3279 , C04B2235/3284 , C04B2235/3293 , C04B2235/3418
Abstract: 本发明提供一种电介质陶瓷组合物，其可以抑制比介电常数对烧结温度的依存性，而且可以使机械强度得以提高。本发明的电介质陶瓷组合物的特征在于：在图1所示的ZrO2、SnO2和TiO2的三元组成图中，以由点A、点B、点C、点D、点E、点F所包围区域的组成为主要成分，并且相对于该主要成分，含有ZnO：0.5～5wt％、NiO：0.1～3wt％、SiO2：0.008～1.5wt％。另外，相对于上述主要成分，可以含有Nb2O5：0.2wt％以下、K2O：0.035wt％以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1690015A
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN200510066650.7
申请日：2005-04-21
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/622 , C04B35/645 , H01B3/00
CPC classification number: H05K1/0373 , C01B13/145 , C01G23/006 , C01P2002/72 , C01P2004/61 , C01P2006/12 , C04B35/465 , C04B35/4682 , C04B35/47 , C04B35/6261 , C04B35/6262 , C04B35/62625 , C04B35/64 , C04B35/803 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3225 , C04B2235/3436 , C04B2235/3454 , C04B2235/5409 , C04B2235/5436 , C04B2235/5463 , C04B2235/661 , H05K3/1291 , H05K2201/0209 , H05K2203/1126
Abstract: 本发明提供一种电介质陶瓷粉末的制造方法，该方法即使在使用由粉碎法制得的粉末的情况下，仍能够确保同树脂的混合物的流动性。该电介质陶瓷粉末的制造方法包括：通过将原料组合物在第1温度下保持而得到第1烧成物的第1烧成工序、将所述第1烧成物粉碎而得到第1粉碎物的第1粉碎工序、通过将所述第1粉碎物保持在比所述第1温度更低的第2温度下而得到第2烧成物的第2烧成工序、和将所述第2烧成物粉碎而得到第2粉碎物的第2粉碎工序。通过该方法，不但可以确保同树脂的混合物的流动性，而且也可以得到具有优良的介电特性的复合电介质材料。
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公开(公告)号：CN1626299A
公开(公告)日：2005-06-15
申请号：CN200410100243.9
申请日：2004-12-10
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: C01G23/006 , C01P2002/34 , C01P2002/72 , C01P2006/12 , C01P2006/40 , C04B35/465 , C04B35/47 , C04B35/6261 , C04B35/6262 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3225 , C04B2235/3236 , C04B2235/3239 , C04B2235/3262 , C04B2235/3418 , C04B2235/3436 , C04B2235/3454 , C04B2235/5409 , C04B2235/5436 , C04B2235/5463 , H05K1/0373 , H05K2201/0209
Abstract: 本发明提供一种电介质陶瓷粉末，该电介质陶瓷粉末即使在使用通过粉碎法得到的粉末的场合，也能确保与树脂的混合物的流动性。以比表面积为9m2/cm3或以下、晶格畸变为0.2或以下为特征的电介质陶瓷粉末，通过像上述那样限制比表面积以及晶格畸变，即使在电介质陶瓷粉末是由通过粉碎法得到的不定形粒子构成的场合，也可确保与树脂的混合物的流动性，同时作为复合电介质材料能够得到较高的介电特性。
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公开(公告)号：CN1187282C
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN00133168.X
申请日：2000-10-27
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: C04B35/2625 , C04B35/265 , H01F1/344
Abstract: 本发明可以提供一种以7.3～23.0mol%氧化镁、7.0～20.0mol%氧化铜、19.0～24.2mol%氧化锌、48.5～50.3mol%氧化铁作为实质性主成分而构成的MgCuZn类铁氧体烧结体，其平均粒径在1.10～7.30μm的范围内，粒度分布的标准偏差σ在0.60～10.00的范围内，从而可以使用廉价材料制得一种在频率50MHz以上时的阻抗值高并能高效地阻断辐射噪声的铁氧体烧结体。
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公开(公告)号：CN116921668A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202310432293.X
申请日：2023-04-20
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供一种金属磁性粉末，包含Co作为主成分，其中，金属磁性粉末包含平均粒径(D50)为1nm以上100nm以下的金属纳米颗粒。各金属纳米颗粒的主相为hcp－Co，金属磁性粉末包含fcc－Co或/和ε－Co作为副相。
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公开(公告)号：CN111599567A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN202010103764.9
申请日：2020-02-20
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供一种复合磁性材料、以及使用了该复合磁性材料的磁芯和电子零件，该复合磁性材料在GHz带的高频域中相对磁导率μr高、磁损耗tanδ低，在安装于制品时密合性高，不易产生裂纹和剥离。该复合磁性材料含有粉末和树脂。粉末具有由Fe、或Fe和Co构成的主成分。粉末的一次颗粒的平均短轴长度为100nm以下。在将粉末的一次颗粒的纵横比的平均值设为Av、粉末的一次颗粒的纵横比的标准偏差设为σ时，在X－Y坐标平面上，满足(X，Y)＝(σ/Av(％)，(Av－σ))的点存在于由三个点α(24.5，6.7)、β(72.0，1.2)和γ(24.5，1.2)包围的区域内(包含边界)。
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