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公开(公告)号：CN101279711B
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN200810081804.3
申请日：2008-04-02
Applicant: 弗劳恩霍夫应用研究促进协会
Inventor： 提诺·詹德纳
CPC classification number: G02B26/0833 , B81B3/0021 , B81B2201/047 , B81B2203/058
Abstract: 一种制造微机械结构的方法，首先在基片内形成被可偏转支撑的二维结构，接着将所述被可偏转支撑二维结构布置在封装内，由此集成微操纵器布置在所述封装和所述二维结构之间，从而实现所述二维结构偏转出所述基片的平面。
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公开(公告)号：CN101802677A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200880106871.4
申请日：2008-09-08
Applicant: 高通MEMS科技公司
Inventor： 马克·莫里斯·米尼亚尔
CPC classification number: G02B26/0841 , B81B2201/047 , B81C1/0019 , G02B26/001 , G02B26/0825
Abstract: 一种微机电(MEMS)装置(800)包含衬底(802)、所述衬底(802)上的激活电极(804)、所述激活电极(804)上的反射层(810)，和所述激活电极(804)与所述反射层(810)之间的支撑层(808)。所述反射层(810)包含穿过所述反射层(810)的至少一个孔(814)。所述支撑层(808)包含在所述激活电极(804)与所述至少一个孔(814)之间的凹进(812)。在将控制信号施加到所述装置(800)后，所述反射层(810)的至少第一部分(816)经配置以移动到所述凹进(812)中，且所述反射层(810)的至少第二部分(818)经配置以保持静止。所述MEMS装置(800)的反射性主要通过改变从所述第一部分(816)反射的光与从所述第二部分(818)反射的光之间的相位差来调制。
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公开(公告)号：CN101772467A
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN200880101957.8
申请日：2008-07-29
Applicant: 高通MEMS科技公司
Inventor： 笹川照夫
IPC: B81B7/00
CPC classification number: B81B7/0006 , B81B2201/047
Abstract: 本发明提供一种微机电系统(MEMS)装置，其包含衬底(20)、阵列区域(阵列)及外围区域(互连)。所述阵列区域(阵列)包含下部电极(16A、16B)、可移动上部电极(14)及所述下部电极(16A、16B)与所述上部电极(14)之间的空腔(19)。所述外围区域(互连)包含形成所述阵列区域(阵列)中的所述上部电极(14)的层的一部分及电互连(58)。所述电互连(58)包含电连接到所述下部电极(16A、16B)及所述上部电极(14)中的至少一者的导电材料(50)。所述电互连(58)由与形成所述阵列区域(阵列)中的所述上部电极(14)的所述层分离且处于所述层以下的层形成。所述导电材料(50)选自由镍、铬、铜及银组成的群组。
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公开(公告)号：CN101687628A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200880023004.4
申请日：2008-06-25
Applicant: 高通MEMS科技公司
Inventor： 戴维·L·希尔德 , 钟帆 , 菲利普·唐·弗洛伊德
IPC: B81B3/00
CPC classification number: G02B26/001 , B81B3/0072 , B81B2201/047
Abstract: 本发明揭示一种微机电系统(MEMS)装置及制造所述装置的方法。在一个方面中，例如干涉式调制器等MEMS包含支撑可变形反射层的一个或一个以上细长内部柱及支撑轨条，其中所述细长内部柱完全位于干涉式腔内且与所述支撑轨条平行对齐。在另一方面中，所述干涉式调制器包含一个或一个以上细长蚀刻释放孔，所述孔形成于所述可变形反射层中且与形成于所述可变形反射层中的界定所述可变形反射层的平行条带的通道平行对齐。
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公开(公告)号：CN100578287C
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200480020729.X
申请日：2004-06-23
Applicant: IDC公司
IPC: G02B26/00
CPC classification number: B81C1/00182 , B81B2201/047 , B81C1/0038
Abstract: 本发明提供一种用于产生MEMS(Micro-electromechanical systems)装置的先驱薄膜堆叠(precursorfilm stack)。所述先驱薄膜堆叠包含：一载体基板、一形成于所述载体基板上的第一层、一形成于所述第一层上的一绝缘体材料的第二层和一形成于所述第二层上的一牺牲材料的第三层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1769993A
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN200510105060.0
申请日：2005-09-26
Applicant: IDC公司
Inventor： 董明孝 , 菲利浦·D·弗洛伊德 , 布莱恩·W·阿巴克尔
CPC classification number: B81C1/00174 , B81B2201/047 , B81B2203/0181 , B81C1/00182 , B81C2201/0109 , G02B26/001
Abstract: 本发明提供用于制造诸如干涉式调制器的MEMS装置的方法，其包括选择性地移除一材料的牺牲部分以形成一内部空腔，留下所述材料的剩余部分以形成一支柱结构。所述材料可为覆盖层，其经沉积且经选择性地改变以界定相对于所述剩余部分可被选择性地移除的牺牲部分。或者，一材料层可被侧向陷偏离一覆盖层中的开口。这些方法可用于制造未释放和释放干涉式调制器。
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公开(公告)号：CN106604809B
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201580040676.6
申请日：2015-07-14
Applicant: 弗劳恩霍夫应用研究促进协会
CPC classification number: B81C1/00373 , B29C64/135 , B33Y10/00 , B33Y80/00 , B81B7/0074 , B81B2201/038 , B81B2201/047 , B81B2203/0315 , B81B2203/0392 , B81C3/001 , B81C99/0095 , B81C2201/0188 , B81C2203/038
Abstract: 本发明涉及一种制造微机械组件(1)的方法，其中将能够通过辐射被硬化的液态原料(2)施加到基底上，所述原料通过使用第一辐射源进行局部辐射而在部分体积空间(21)中被硬化，以便生成至少一个三维结构，其中所述三维结构界定至少一个封闭的容腔(10)，在所述容腔(10)中封闭所述液态原料(2)中的至少一部分。本发明还涉及一种微机械组件，所述微机械组件包括部分通过辐射被硬化的液态原料(2)，并且所述微机械组件包括至少一个容腔(10)，在所述容腔(10)中封闭有所述液态原料(2)。
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公开(公告)号：CN106604887B
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201480080900.X
申请日：2014-08-04
IPC: B81B3/00
CPC classification number: G02B26/0841 , B25J7/00 , B81B3/0037 , B81B3/0062 , B81B2201/047 , B81B2203/0136 , B81B2203/053 , H02N1/002
Abstract: 公开了一种三自由度MEMS静电活塞管致动器。该致动器包括两个结构。一个结构包括：多个固定的活塞状电极，所述多个固定的活塞状电极附接到基座，并且形成致动器的定子。第二结构包括多个移动的管状电极，所述多个移动的管状电极附接到上部结构的主体并形成致动器的转子。该转子通过机械弹簧连接到定子。致动器的转子提供3‑DOF运动，包括垂直平移和围绕结构的轴线的双轴旋转。本活塞管致动器利用能够使用宽广区域电极的构造，并且因此提供使得转子能够平移的高输出力或者能够使转子旋转的高输出转矩。
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公开(公告)号：CN106477514A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201510540807.9
申请日：2015-08-28
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
Inventor： 郑超
CPC classification number: B01L3/5027 , B81B3/0083 , B81B2201/0292 , B81B2201/047 , H01L31/0203 , H01L31/0352 , H01L31/08
Abstract: 一种MEMS器件及其形成方法，其中MEMS器件的形成方法包括：提供第一基底；沿第一基底正面向背面刻蚀开口区的第一基底，在外围区第一基底中形成第一开口，在中心区第一基底中形成第三开口，且第一开口位于第一基底内的深度大于第三开口位于第一基底内的深度；在第一开口底部和侧壁表面、第三开口底部和侧壁表面形成感光层；将第一基底正面与第二基底进行键合；在第一基底背面形成暴露出开口区第一基底背面的图形化的掩膜层；以图形化的掩膜层为掩膜，采用干法刻蚀工艺刻蚀第一基底，形成底部向第一基底正面方向下凹的沟槽，且所述沟槽暴露出第一开口底部表面以及第三开口底部表面的感光层。本发明提高了形成的MEMS器件的性能。
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公开(公告)号：CN106241725A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610391522.8
申请日：2016-06-06
Applicant: 豪威科技股份有限公司
CPC classification number: H01L27/14645 , H01L27/14621 , H01L27/14649 , B81B7/0032 , B81B7/0067 , B81B2201/02 , B81B2201/047 , B81C1/00261 , B81C1/00317 , G01J1/00
Abstract: 一种RGB-IR光传感器阵列、接收图像及检测彩色图像的方法。一种前面-互联(FSI)的红-绿-蓝-红外线(RGB-IR)光传感器阵列，具有第一类型、第二类型、以及第三类型的光传感器。第一类型的光传感器在P型井中具有扩散N型区，P型井扩散入高电阻率的半导体层；第二类型的光传感器在P型井中具有更深的扩散N型区；第三类型的光传感器具有扩散N型区，扩散到所有其它类型的光传感器的底层的高电阻率半导体层。在实施例中，第四类型的光传感器在P型井中具有扩散N型区，其N型区的深度比第一和第二类型的光传感器的N型区更深。
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