对于微型装置的抗粘连材料的原位应用

    公开(公告)号:CN101117207A

    公开(公告)日:2008-02-06

    申请号:CN200710138850.8

    申请日:2007-06-28

    Inventor: 潘晓和

    CPC classification number: G02B26/0841 B81B3/0005 B81C1/0096 B81C2201/112

    Abstract: 用于应用抗粘连材料到在基板上的微型装置的方法,包括在封装装置的表面或基板的表面引入抗粘连材料并且密封至少部分封装装置到基板的表面以形成用于封装微型装置和抗粘连材料的室。该微型装置包括第一元件和第二元件。该方法还包括汽化抗粘连材料以及汽化抗粘连材料后,在第一元件的表面或第二元件的表面沉积抗粘连材料以阻止第一元件和第二元件间的粘连。

    堆叠结构及其制造方法
    14.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1826285A

    公开(公告)日:2006-08-30

    申请号:CN200480020756.7

    申请日:2004-07-15

    CPC classification number: B81B3/001 B81C2201/112 H01L21/76251 H01L21/76256

    Abstract: 本发明涉及堆叠结构的制造方法。这种方法包括以下步骤:a)选择第一片材(1)(例如由硅制成)和第二片材(5)(例如同样由硅制成),使得所述第一(1)和第二(5)片材中的至少一个片材至少部分具有对粘连到另一片材上来说不相容的表面(2;7);b)在第一片材的表面(2)和/或第二片材(5)的表面(7)的至少一部分上产生牺牲层(3;8)(例如由氧化硅制成),以及c)将两个片材(1;5)粘结在一起。所述粘连不相容性例如可由该表面的物理化学性质或者涂布到该表面的涂层产生,或者由大于预定阈值的粗糙度(r’2、r’7)产生。本发明还涉及通过本发明方法制造的堆叠结构。

    通过形成碳化硅层来减小微机电系统的粘滞

    公开(公告)号:CN104291266B

    公开(公告)日:2017-10-27

    申请号:CN201410331842.5

    申请日:2014-07-14

    CPC classification number: B81C1/0038 B81B3/0005 B81C2201/112

    Abstract: 提供了一个用于通过使用源自在制造期间使用的基于TEOS的氧化硅牺牲膜形成近似均匀的碳化硅层来减小微机电系统MEMS器件中的粘滞的机制。通过将TEOS用作碳源来形成抗粘滞涂层,所有的硅表面可以被涂覆,包括那些使用标准的自组装单层(SAM)工艺难以涂覆的位置(例如,位于检测质量块下面的位置)。受控处理参数,例如用于退火的温度、时间长度等等,提供了先前工艺未提供的近似均匀的碳化硅涂层。

Patent Agency Ranking