公开(公告)号：CN101578231A

公开(公告)日：2009-11-11

申请号：CN200880001427.6

申请日：2008-01-10

Applicant: 硅绝缘体技术有限公司

Inventor： 伯纳德·阿斯帕 ,  克里斯特勒·拉加赫·布兰查德 ,  尼古拉斯·苏萨贝

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00952 ,  B81B3/001 ,  B81C2201/115

Abstract: 本发明涉及一种在半导体基片(2)中形成粗糙界面(12)的方法，所述方法包括：在所述基片的表面(4)上形成氧化物或能够被氧化的材料(6)的无规性区域(8)或者在氧化物或能够被氧化的材料(6)之上的无规性区域(8)，通过所述材料或所述氧化物(6)和部分所述半导体基片的热氧化、或者通过穿过所述材料或所述氧化物(6)进行的部分所述半导体基片的热氧化而在所述半导体基片(2)之中或之上形成粗糙度。

公开(公告)号：CN105431374B

公开(公告)日：2017-11-14

申请号：CN201480032151.3

申请日：2014-05-23

Applicant: 应美盛股份有限公司

Inventor： 席琳娜·张 ,  宁·提

IPC: B81B7/02

CPC classification number: B81C1/00984 ,  B81B3/0008 ,  B81B2207/015 ,  B81C1/00976 ,  B81C2201/115 ,  H01L21/76838 ,  H01L23/48 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的方法包含通过为在形成于衬底上的缓冲块上收集的电荷提供导电路径来减少MEMS装置的黏滞力。所述缓冲块通过在所述衬底上沉积且图案化介电材料形成，且所述导电路径由沉积在所述缓冲块上的导电层提供。所述导电层还可以经粗糙化以减少黏滞力。

公开(公告)号：CN107021448A

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：CN201710028445.4

申请日：2017-01-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢元智 ,  曾李全 ,  林宏桦

IPC: B81B3/00 ,  B81B7/00 ,  B81B7/02

CPC classification number: B81B3/0005 ,  B81B2207/012 ,  B81B2207/09 ,  B81C1/00238 ,  B81C1/00984 ,  B81C2201/115 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/0792 ,  B81B7/02 ,  B81B3/0016 ,  B81B7/007

Abstract: 本发明提供了一种制造CMOS‑MEMS结构的方法。该方法包括：在盖衬底的第一表面上蚀刻空腔；将盖衬底的第一表面与感测衬底接合；减薄感测衬底的第二表面，第二表面与感测衬底的接合至盖衬底的第三表面相对；蚀刻感测衬底的第二表面；图案化感测衬底的第二表面的一部分以形成多个接合区域；在多个接合区域上沉积共晶金属层；蚀刻感测衬底的空腔下方的一部分以形成可移动元件；以及通过共晶金属层将感测衬底接合至CMOS衬底。本发明的实施例还涉及CMOS‑MEMS结构。

公开(公告)号：CN106458574A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201480075314.6

申请日：2014-12-22

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： J·贡斯卡 ,  J·赖因穆特 ,  M·阿梅托沃布拉

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00119 ,  B81B1/004 ,  B81B7/02 ,  B81B2203/0315 ,  B81C1/00293 ,  B81C2201/112 ,  B81C2201/115 ,  B81C2203/0109 ,  B81C2203/0145 ,  B81C2203/019

Abstract: 一种用于制造微机械结构元件(100)的方法，该方法具有以下步骤：-在结构元件(100)的MEMS元件(5)中或盖元件(6)中构造进入开口MEMS元件(5)和盖元件(6)之间构造至少一个空腔(8a、8b)；-以及，借助于激光(9)在一个限定的气氛下封闭通到所述至少一个空腔(8a、8b)中的进入开口(7)。(7)；-连接MEMS元件(5)与盖元件(6)，其中，在

公开(公告)号：CN102046516A

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN200980120517.1

申请日：2009-06-03

Applicant: 高通MEMS科技公司

Inventor： 詹姆斯·兰道夫·韦伯斯特 ,  坦·义·涂 ,  颜小明 ,  张万宿

IPC: B81B3/00

CPC classification number: B81B3/0008 ,  B81B2201/042 ,  B81C2201/0107 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/115 ,  G02B26/001 ,  Y10T428/24917

Abstract: 本发明提供制造机电系统装置的方法，其减轻所述装置的可移动组件的永久粘合或静摩擦。所述方法提供具有改进的且可再生的表面粗糙度的非晶硅牺牲层。所述非晶硅牺牲层进一步展现对机电系统装置中使用的常见材料的极好粘合。

公开(公告)号：CN101033057A

公开(公告)日：2007-09-12

申请号：CN200710086232.3

申请日：2007-03-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山口真弓 ,  泉小波

IPC: B81B5/00 ,  H01L29/94 ,  H01L27/00 ,  H01L49/00 ,  B81C1/00 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L27/1266 ,  B81B3/001 ,  B81C2201/115 ,  H01L27/1214

Abstract: 本发明提供一种微结构、半导体器件、以及微结构的制造方法。所述微结构包括：第一结构层；以及夹着空隙与所述第一结构层相对，且其一部分固定于第一结构层上的第二结构层。第一结构层及第二结构层中的至少一个可以改变位置。另外，第一结构层及第二结构层的相对的表面都以互不相同的粗糙度表面粗糙化。

公开(公告)号：JP2010517258A

公开(公告)日：2010-05-20

申请号：JP2009546011

申请日：2008-01-10

Applicant: エス. オー. アイ. テック シリコン オン インシュレーター テクノロジーズ

Inventor： ベルナール アスパル， ,  ニコラ スービー， ,  ブランシャール， クリステル ラガヘ

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/304 ,  H01L27/12

CPC classification number: B81B3/001 ,  B81C1/00952 ,  B81C2201/115

Abstract: The invention provides a method for forming a semiconductor component with a rough buried interface. The method includes providing a first semiconductor substrate having a first surface of roughness R1. The method further includes thermally oxidizing the first surface of the first semiconductor substrate to form an oxide layer defining an external oxide surface on the first semiconductor substrate and a buried oxide-semiconductor interface below the oxide surface, so that the buried oxide surface has a roughness R2 that is less than R1. The method also includes assembling the oxide surface of the first semiconductor substrate with a second substrate. The invention also provides a component formed according to the method of the invention.

公开(公告)号：JP2005144616A

公开(公告)日：2005-06-09

申请号：JP2003387406

申请日：2003-11-18

Applicant: Seiko Epson Corp ,  セイコーエプソン株式会社

Inventor： NAKAJIMA TAKUYA

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00 ,  H01L21/306 ,  H01L29/84

CPC classification number: B81B3/001 ,  B81C2201/115

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a novel sticking preventive method for preventing sticking of a structure and a base board; and to provide a microstructure and its manufacturing method for improving reliability by reducing a defective rate by preventing sticking of the structure.
SOLUTION: This method forms the structure 2 on a surface of the base board 1 via a predetermined gap, and causes surface roughening on an exposure surface of the base board 1, by melting a metallic film piece 3 by an etching liquid, by forming the metallic film piece 3 soluble in the etching liquid on the exposure surface 4 of the base board 1, after releasably etching the structure 2.
COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种防止粘结结构和基板的新型防粘附方法; 并且提供一种微结构及其制造方法，通过防止粘结结构而降低缺陷率来提高可靠性。 解决方案：该方法通过预定间隙在基板1的表面上形成结构2，并且通过用蚀刻液熔化金属膜片3使基板1的曝光表面上的表面粗糙化， 通过在可剥离地蚀刻结构体2之后，将可溶于蚀刻液体的金属膜片3形成在基板1的曝光表面4上。（C）2005，JPO＆NCIPI

公开(公告)号：WO2011034972A3

公开(公告)日：2011-05-12

申请号：PCT/US2010048997

申请日：2010-09-15

Applicant: QUALCOMM MEMS TECHNOLOGIES INC ,  KOTHARI MANISH ,  GUDLAVALLETI SAURI ,  ZEE STEPHEN

Inventor： KOTHARI MANISH ,  GUDLAVALLETI SAURI ,  ZEE STEPHEN

IPC: G02B26/00 ,  B81B3/00 ,  G02B26/08

CPC classification number: B81B3/0008 ,  B81B2201/042 ,  B81C2201/112 ,  B81C2201/115 ,  G02B26/001 ,  G02B26/0841

Abstract: In certain embodiments, a device is provided including a substrate (102) and a plurality of supports (104) over the substrate. The device further includes a mechanical layer (106) having a movable portion and a stationary portion. The stationary portion being disposed over the supports. The device further includes a reflective surface (108) positioned over the substrate and mechanically coupled to the movable portion (112). The device of certain embodiments further includes at least one movable stop element (110) displaced from and mechanically coupled to the movable portion. In certain embodiments, the at least a portion of the stop element may be positioned over the stationary portion.

Abstract translation: 在某些实施例中，提供了一种装置，其包括衬底（102）和在衬底上的多个支撑件（104）。 该装置还包括具有可移动部分和固定部分的机械层（106）。 固定部分设置在支撑件上。 该装置还包括位于衬底上并机械地联接到可动部分（112）的反射表面（108）。 某些实施例的装置还包括从可移动部分移位并机械联接到可移动部分的至少一个可移动止动元件（110）。 在某些实施例中，止动元件的至少一部分可以定位在固定部分上方。

公开(公告)号：WO2005012160A2

公开(公告)日：2005-02-10

申请号：PCT/FR2004001699

申请日：2004-07-01

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  GRANGE HUBERT ,  DIEM BERNARD ,  VIOLLET BOSSON YYLVIE ,  BOREL MICHEL

Inventor： GRANGE HUBERT ,  DIEM BERNARD ,  VIOLLET BOSSON YYLVIE ,  BOREL MICHEL

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B3/001 ,  B81C2201/115

Abstract: The invention concerns a method wherein a useful layer (1) is initially connected by a sacrificial layer (2) to a layer (3) constituting a substrate. Prior to etching of the sacrificial layer (2), at least part of the surface (4, 5) of at least one of the layers in contact with the sacrificial layer (2) is doped. After etching of the sacrificial layer (2), the surface (4, 5) is superficially etched, so as to increase the roughness of its doped part. Prior to doping, a mask (9) is deposited on part of the useful layer (1) so as to delimit a doped region and a non-doped region of the surface (4, 5), one of the regions constituting a stop after the surface etching phase.

Abstract translation: 本发明涉及一种方法，其中有用层（1）最初由牺牲层（2）连接到构成衬底的层（3）。 在蚀刻牺牲层（2）之前，掺杂与牺牲层（2）接触的至少一层的至少一部分表面（4,5）。 在蚀刻牺牲层（2）之后，表面（4,5）被表面蚀刻，以增加其掺杂部分的粗糙度。 在掺杂之前，将掩模（9）沉积在有用层（1）的一部分上，以限定表面（4,5）的掺杂区域和非掺杂区域，其中一个区域构成后面的停止区域 表面蚀刻阶段。