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公开(公告)号:CN106033225B
公开(公告)日:2017-08-25
申请号:CN201510113780.5
申请日:2015-03-16
Applicant: 苏州旭创科技有限公司
Inventor: 王祥忠
IPC: G05F1/56
CPC classification number: H04B10/6911 , G01J2001/444 , G01J2001/4466 , H01L31/02027
Abstract: 本发明提供了一种APD偏压控制方法,包括:采集与流经APD的光电流信号对应的光电流强度电压信号;将光电流强度电压信号与偏压设定信号叠加后产生控制信号,用于控制可调供电电源输出电压与APD电压之间的电压降;同步调整可调供电电源输出电压和偏压设定信号,将电压降控制在预定范围内。本发明还提供了一种APD偏压控制器,包括:偏置电压产生单元,用于根据来自外部的光电流强度反馈信号产生偏置电压信号用于决定APD偏压,其中,该偏置电压产生单元还产生第二电压信号,并将所述第二电压信号与一个或多个参考电压相比较,用以产生欠压或过压指示。本发明的APD偏压控制器及光电接收器具有低功耗、高动态,高信噪比,高灵敏度和及时温度补偿的优点。
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公开(公告)号:CN104718703B
公开(公告)日:2017-07-07
申请号:CN201380043913.5
申请日:2013-08-01
Applicant: 日本电气株式会社
Inventor: 野村林太郎
CPC classification number: G01J1/18 , G01J1/44 , G01J2001/186 , G01J2001/444 , G01J2001/4466 , H03M1/1038 , H04B10/69
Abstract: 本发明的目的是,通过在光学模块中安装信号光的光接收功率监测器的校正装置,利用较少资源快速且精确地将光接收功率的测量值校正成实际值。校正装置配备有校正表,当校正信号光的光接收功率的测量值时参考校正表,并且在这个校正表中,基于多个参考值和多个实际值之间的对应关系,预先存储多个校正值。在校正表中,相比于其中实际值的变化相对于测量值的变化大的区间,对于其中实际值的变化相对于测量值的变化小的区间,来使得参考值之间的间隔更小并且存储更多的校正值。当指示信号光的光接收功率的测量值的输入值匹配校正表中的参考值时,校正装置从校正表读取与参考值对应的校正值。当输入值不匹配校正表中的参考值时,校正装置根据基于输入值的预定计算公式来计算校正值。
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公开(公告)号:CN104160240B
公开(公告)日:2017-02-22
申请号:CN201380007623.5
申请日:2013-02-14
Applicant: 苹果公司
CPC classification number: G06F3/011 , B23P19/04 , G01J1/0411 , G01J1/44 , G01J2001/4466 , G01S7/4812 , G01S7/4817 , G01S7/4865 , G01S7/4868 , G01S17/10 , G01S17/42 , G01S17/89 , G02B27/0961 , G06T15/00 , H01S3/0071 , H01S5/02248 , H01S5/02288 , H01S5/02296 , H01S5/4012 , H01S5/4075 , H01S5/423 , Y10T29/49002
Abstract: 制图装置(22)包括发射包含光脉冲的射束的发射器44和被配置为在场景上在预定的扫描范围内扫描射束(38)的扫描器(46)。接收器(48)接收从场景反射的光并且产生指示脉冲来往于场景中的点的飞行时间的输出。处理器(42)被耦合为控制扫描器以使得射束在扫描范围内的选择的窗口(32、34、36)上扫描并处理接收器的输出以产生场景的处于选择的窗口内的一部分的3D地图。
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公开(公告)号:CN106338339A
公开(公告)日:2017-01-18
申请号:CN201610901963.8
申请日:2016-10-17
Applicant: 东南大学
IPC: G01J1/44
CPC classification number: G01J1/44 , G01J2001/442 , G01J2001/4466
Abstract: 本发明公开了一种应用于阵列型单光子雪崩二极管的紧凑型检测淬灭电路,包括检测电路、门控电路、淬灭电路及脉宽可调的复位电路。该淬灭电路利用SPAD结电容对SPAD产生的雪崩电流进行I-Q-V积分变换将电流转换为电压信号,经单管比较器处理后输出脉冲信号,该脉冲信号通过反相器进行整形,并增加驱动能力。本发明一方面可有效减小版图面积和电路瞬态功耗,降低阵列型SPAD供电电源要求;另一方面可缩短淬灭时间,加快检测速度,减少非理想效应;同时,本发明采用外置电容方式实现单稳态电路,可针对不同探测器性能灵活调整复位脉宽时间。
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公开(公告)号:CN105988497A
公开(公告)日:2016-10-05
申请号:CN201510088134.8
申请日:2015-02-26
Applicant: 财团法人工业技术研究院
IPC: G05F1/56
CPC classification number: G01J1/44 , G01J2001/442 , G01J2001/4466
Abstract: 一种单光子雪崩光电二极管的超额偏压控制系统与方法,该系统包含:电源供应器,产生供应电压;单光子雪崩光电二极管,具有第一端接收该供应电压,具有第二端产生输出电压信号;控制电路,连接于该单光子雪崩光电二极管的该第二端,其中,该控制电路根据该输出电压信号的变化以及超额偏压电平来产生重置电平;以及负载,具有第一端连接至该单光子雪崩光电二极管的该第二端,具有第二端连接至该控制电路以接收该重置电平。
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公开(公告)号:CN104718703A
公开(公告)日:2015-06-17
申请号:CN201380043913.5
申请日:2013-08-01
Applicant: 日本电气株式会社
Inventor: 野村林太郎
CPC classification number: G01J1/18 , G01J1/44 , G01J2001/186 , G01J2001/444 , G01J2001/4466 , H03M1/1038 , H04B10/69
Abstract: 本发明的目的是,通过在光学模块中安装信号光的光接收功率监测器的校正装置,利用较少资源快速且精确地将光接收功率的测量值校正成实际值。校正装置配备有校正表,当校正信号光的光接收功率的测量值时参考校正表,并且在这个校正表中,基于多个参考值和多个实际值之间的对应关系,预先存储多个校正值。在校正表中,相比于其中实际值的变化相对于测量值的变化大的区间,对于其中实际值的变化相对于测量值的变化小的区间,来使得参考值之间的间隔更小并且存储更多的校正值。当指示信号光的光接收功率的测量值的输入值匹配校正表中的参考值时,校正装置从校正表读取与参考值对应的校正值。当输入值不匹配校正表中的参考值时,校正装置根据基于输入值的预定计算公式来计算校正值。
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公开(公告)号:CN109116369A
公开(公告)日:2019-01-01
申请号:CN201810035288.4
申请日:2018-01-15
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G01S7/4861 , G01J1/44 , G01J2001/4433 , G01J2001/4466 , G01S7/4865 , G01S17/10 , H03G7/08 , H03G11/02
Abstract: 提供了一种距离测量装置及其方法。距离测量装置检测由对象反射的光和将光转换为电信号,从电信号当中输出对应于等于或者大于基准值的电信号的饱和信号,使用饱和信号检测峰值,和使用峰值测量到对象的距离。
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公开(公告)号:CN107665886A
公开(公告)日:2018-02-06
申请号:CN201710193662.9
申请日:2017-03-28
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: H01L25/075 , H01L33/54 , H01L33/58
CPC classification number: H01L31/02164 , G01J1/44 , G01J2001/4466 , H01L27/1446 , H01L27/1462 , H01L27/14625 , H01L27/1463 , H01L27/14649 , H01L31/02027 , H01L31/107 , H01L25/0753 , H01L33/54 , H01L33/58
Abstract: 公开了用于检测红外线辐射的盖革模式雪崩光电二极管阵列。一种盖革模式雪崩光电二极管阵列形成在裸片中并且包括:内部电介质结构,该内部电介质结构被安排在该裸片上;以及外部电介质区域,该外部电介质区域被安排在该内部电介质结构上。该外部电介质区域由外部材料形成,该外部材料吸收波长落入低波长阻带中的辐射并且透射波长落入高波长通带中的辐射,该通带的至少一部分包括红外线中的波长。该内部电介质结构由一个或多个内部材料形成,该一个或多个内部材料实质上透射波长落入该阻带和该通带中的辐射,并且具有落入幅度为0.4的区间内的折射率。在该阻带和该通带中,该外部电介质区域的折射率具有落入上述区间内的实部。
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公开(公告)号:CN107271036A
公开(公告)日:2017-10-20
申请号:CN201710465386.7
申请日:2017-06-19
Applicant: 中国科学技术大学
IPC: G01J1/44
CPC classification number: G01J1/44 , G01J2001/442 , G01J2001/4466
Abstract: 本发明公开了一种高速淬灭及恢复的自由运行单光子探测系统,其特征在于,包括:SPAD及其外围电路模块1、甄别与整形模块2、延时与放大模块3以及主动淬灭与恢复模块4;其中:SPAD及其外围电路模块1提取雪崩信号输入至甄别与整形模块2,甄别与整形模块2进行甄别与整形后得到计数信号;计数信号输入至延时与放大模块3,后分为两路,一路经过运算放大器后得到主动淬灭信号,另一路经过延时设置死时间以及整形得到主动恢复信号;所述主动淬灭信号与主动恢复信号分别输入至主动淬灭与恢复模块4,由主动淬灭与恢复模块4输出的电平信号接入SPAD的阳极,实现对SPAD的高速淬灭与恢复。该系统可以同时提高单光子探测器的探测效率与计数率。
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公开(公告)号:CN107091688A
公开(公告)日:2017-08-25
申请号:CN201710497147.X
申请日:2017-06-26
Applicant: 北方电子研究院安徽有限公司
IPC: G01J1/44
CPC classification number: G01J1/44 , G01J2001/442 , G01J2001/4466
Abstract: 本发明公开了一种宽电流输入范围的门控淬灭电路,包括充电管MOS管M2、淬灭管MOS管M1、由MOS管M3、M4、M5、M6、M7及电流源I0和10I0构成的电压比较器和由MOS管M8、M9、M10、M11、M12和M13构成的控制整形电路。本发明为基于双阈值比较器的门控淬灭电路,能够适应大动态范围的触发电流信号;能够增加抗干扰能力和减小相对充电时间。
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