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公开(公告)号：CN103119485A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201180046334.7
申请日：2011-09-29
Applicant: 住友大阪水泥股份有限公司
CPC classification number: G02B6/125 , G02B6/4286 , G02F1/2255 , G02F2201/066 , G02F2201/08 , G02F2201/58
Abstract: 本发明的目的在于提供一种光波导元件，即使在光波导密集的情况下，也能够向基板外或光波导整体的外侧高效地导出不需要光。在基板(1)上形成有光波导(2)，该光波导由传播信号光的主波导(21～23)和从该主波导去除不需要光的不需要光用波导(31～33)构成，该光波导元件的特征在于，在该不需要光用波导与该主波导交叉的交叉部，该不需要光用波导(32、33)隔着该主波导而被断开。
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公开(公告)号：CN101535887A
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200780041570.3
申请日：2007-11-09
Applicant: 日本碍子株式会社
Inventor： 吉野隆史
IPC: G02F1/377
CPC classification number: G02F1/3775 , G02F1/3558 , G02F2201/066 , G02F2201/124
Abstract: 通过在单畴化的铁电体单晶基板的一个主面上所设置的梳形电极和另一个主面上所设的均匀电极之间施加电压，从而形成周期极化反转构造(9)，去除梳形电极。接着在基板(18)上形成光波导(20)。使光波导(20)的光强度中心(P1)离开梳形电极的前端位置(P0)。
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公开(公告)号：CN101238404A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200680028489.7
申请日：2006-09-27
Applicant: 住友大阪水泥股份有限公司
IPC: G02F1/035
CPC classification number: G02F1/035 , G02F1/2255 , G02F2201/066 , G02F2201/127 , G02F2202/28 , G02F2203/21
Abstract: 目的在于提供一种光调制器及其制造方法，该光调制器采用了厚度为20μm以下的薄板，并且能够稳定地保持对基板内的微波的共振现象或热电效果等不良情况进行抑制的导电膜。一种光调制器，包括：厚度为20μm以下的薄板(10)，其由具有电光学效果的材料形成；光波导(11)，其形成在该薄板的表面或背面；和调制电极(13，14)，其形成在该薄板的表面，用于对通过该光波导内的光进行调制；上述光调制器具有：增强板(16)，其被接合在该薄板的背面；和导电膜(17)，其从该薄板的侧面到该增强板的侧面连续地形成。
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公开(公告)号：CN108153014A
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201711170652.X
申请日：2017-11-22
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: G02F1/1333 , G02F1/13357
CPC classification number: G02F1/133308 , G02B6/0088 , G02B6/009 , G02B6/0093 , G02F2001/133317 , G02F2001/133325 , G02F2001/133388 , G02F2201/066 , G02F2202/023 , G02F2202/28 , G02F1/133608
Abstract: 公开了显示装置，该显示装置包括显示面板、模具框架和连接构件，其中模具框架支撑显示面板，模具框架包括框架主体和第一透光构件，框架主体包括凹入部，第一透光构件在第一方向上延伸并且至少部分地插入到凹入部中，连接构件将显示面板和模具框架彼此联接，其中第一透光构件和连接构件彼此至少部分地重叠。
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公开(公告)号：CN103454723B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201310356493.8
申请日：2011-09-29
Applicant: 住友大阪水泥股份有限公司
CPC classification number: G02B6/125 , G02B6/4286 , G02F1/2255 , G02F2201/066 , G02F2201/08 , G02F2201/58
Abstract: 本发明的目的在于提供一种光波导元件，即使在光波导密集的情况下，也能够向基板外或光波导整体的外侧高效地导出不需要光。在基板(1)上形成有光波导(2)，该光波导由传播信号光的主波导(21～23)和从该主波导去除不需要光的不需要光用波导(31～33)构成，该光波导元件的特征在于，在该不需要光用波导与该主波导交叉的交叉部，该不需要光用波导(32、33)隔着该主波导而被断开。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101533201B
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN200910128913.0
申请日：2009-03-13
Applicant: 日本碍子株式会社
Inventor： 吉野隆史
CPC classification number: G02F1/3775 , G02F2201/066 , G02F2201/38 , G02F2202/20 , G02F2202/28 , Y10T156/1002 , Y10T156/1064 , Y10T156/1082
Abstract: 本发明提供一种高次谐波生成元件的制造方法。在通过有机树脂粘结剂将波长转换层夹在上下基板之间的结构的高次谐波生成元件中，防止元件的端面中的反射防止膜的剥落或裂纹，并且防止元件的端面附近的粘接层的燃烧破坏。制作以下的芯片12，该芯片具有：支撑基板(2)、具有设置了周期极化反转结构的光波导的波长转换层(5)、有机树脂制成的基底粘接层(3)、设置在波长转换层(5)的上表面一侧的上侧基板(11)、以及粘接波长转换层(5)和上侧基板(11)的有机树脂制成的上侧粘接层(10)。对该芯片(12)进行热处理。然后，在光波导的入射侧端面以及出射侧端面上分别形成防止反射膜。
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公开(公告)号：CN101535887B
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN200780041570.3
申请日：2007-11-09
Applicant: 日本碍子株式会社
Inventor： 吉野隆史
IPC: G02F1/377
CPC classification number: G02F1/3775 , G02F1/3558 , G02F2201/066 , G02F2201/124
Abstract: 通过在单畴化的铁电体单晶基板的一个主面上所设置的梳形电极和另一个主面上所设的均匀电极之间施加电压，从而形成周期极化反转构造(9)，去除梳形电极。接着在基板(18)上形成光波导(20)。使光波导(20)的光强度中心(P1)离开梳形电极的前端位置(P0)。
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公开(公告)号：CN101939689A
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN200880115149.7
申请日：2008-09-10
Applicant: 集成光子学中心有限公司
Inventor： 戴维·格雷汉姆·穆迪
CPC classification number: G02F1/01708 , B82Y20/00 , G02B6/122 , G02B2006/12078 , G02B2006/12097 , G02B2006/12126 , G02B2006/12142 , G02F1/025 , G02F2001/0157 , G02F2201/063 , G02F2201/066
Abstract: 一种电吸收调制器，包括在至少一个p-掺杂半导体层(6)和至少一个n-掺杂半导体层(8)之间的一个吸收层(7)，这些层形成了一个脊形波导结构，吸收层的厚度在9-60nm之间，脊形的宽度在4.5-12微米之间。
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公开(公告)号：CN101533200A
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200910127343.3
申请日：2009-03-10
Applicant: 日本碍子株式会社
Inventor： 吉野隆史
CPC classification number: G02F1/3775 , G02F2201/066 , G02F2202/20
Abstract: 本发明提供高次谐波生成元件。在X板或偏置X板的薄板中形成周期极化反转结构，将其夹在支撑基板和上侧基板之间的结构的高次谐波生成元件中，防止在温度循环中暴露后的波长转换效率的降低。高次谐波生成元件具有支撑基板；由铁电单晶的X板或偏置X板形成，具备设有周期极化反转结构的三维光波导的波长转换层；粘接波长转换层的底面和支撑基板的基底粘接层；设置在波长转换层的上表面一侧的上侧基板；以及粘接波长转换层和上侧基板的上侧粘接层，还具有基波的入射面、高次谐波的出射面、入射面和出射面之间的第一侧面以及与第一侧面相向的第二侧面，第一导电材料与第一侧面接触，第二导电材料与第二侧面接触，第一导电材料和第二导电材料电导通。
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公开(公告)号：WO2014156480A1
公开(公告)日：2014-10-02
申请号：PCT/JP2014/055206
申请日：2014-03-03
Applicant: 日本電気株式会社
IPC: G02F1/025
CPC classification number: G02F1/025 , G02F2001/0152 , G02F2201/066 , G02F2202/105 , G02F2202/42
Abstract: 本発明の光変調器１は、第１の導電型を有する第１の半導体層４と、第１の半導体層４上に形成され、第１の半導体層４上を第１の方向に延びる誘電体層５と、誘電体層５上に形成され、第１の導電型とは異なる第２の導電型を有する第２の半導体層６と、を有し、誘電体層５が、第１の方向から見たときに、誘電体層５の幅方向の中央に位置し、誘電体層５の厚さ方向における電気容量が相対的に大きい第１の領域５ａと、幅方向の端部に位置し、厚さ方向における電気容量が相対的に小さい第２の領域５ｂと、を有している。
Abstract translation: 该光调制器（1）具有：具有第一导电类型的第一半导体层（4） 形成在第一半导体层（4）上并且沿第一方向沿第一半导体层（4）的顶部延伸的介电层（5） 以及第二半导体层（6），其形成在所述电介质层（5）上，并且具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型。 电介质层（5）设置有：第一区域（5a），当从第一方向观察时，在宽度方向上位于电介质层（5）的中心，并且具有相对较高的电容 在电介质层（5）的厚度方向上。 以及第二区域（5b），其位于电介质层（5）的宽度方向的端部，并且在厚度方向上具有相对低的电容。
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