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公开(公告)号：CN1144393A
公开(公告)日：1997-03-05
申请号：CN96111413.4
申请日：1996-08-23
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: G09G3/2011 , B82Y10/00 , G09G3/2014 , G09G3/22 , G09G2310/027 , G09G2310/0272 , G09G2310/0275 , G09G2320/0223 , H01J2201/30403 , H01J2201/3165 , H01J2329/00
Abstract: 在一个由电子发射体组成，每个发射体通过众多数据布线条和众多扫描布线条形成矩阵布线的多电子源中，为防止布线电阻上压降的不利影响，给各数据布线条加一个恒流信号，同时，每根未被选择的数据布线条处于高阻态，从而电位可变，引起不正常的导通或电子轨道的偏移。本发明提供一种驱动电路来解决这个问题。在每根数据布线条上接一个开关，根据信号变化将数据布线条切换到一个恒流输出单元以输出恒定电流或切换到一个恒压输出单元以输出恒定电压，与信号输出目地阻抗无关。
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公开(公告)号：CN1138208A
公开(公告)日：1996-12-18
申请号：CN95118252.8
申请日：1995-10-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B82Y10/00 , H01J1/3042 , H01J9/025 , H01J2201/30403 , H01J2201/30457 , H01J2329/00
Abstract: 一种电子发射阴极包括：一个n型半导体膜，该膜包含部分地从该n型半导体膜表面上突出的金刚石颗粒；及一个与n型半导体膜对置的阳极，并在它们之间具有真空。利用在阳极与n型半导体膜之间施加电压使电子发射。
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公开(公告)号：CN1287404C
公开(公告)日：2006-11-29
申请号：CN00814092.8
申请日：2000-10-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01J1/304 , H01J9/02 , H01J31/12 , H01J61/067
CPC classification number: H01J63/06 , B82Y10/00 , H01J1/3048 , H01J9/025 , H01J2201/30403 , H01J2201/30469 , Y10S977/939
Abstract: 提供可以以低动作电压得到大的动作电流，且电子发射特性稳定的电子发射器件、利用该器件的电子源、图象显示装置和可以用少的工序低价制作上述的电子发射器件的制造方法。该电子发射器件，在支持部件上至少配置有第1电极和冷阴极构件，其特征在于：上述冷阴极构件的结构为在上述第1电极上配置了第2粒子群，并从其上方把第1粒子群配置在上述第2粒子群上，上述第1粒子是棒状、柱状、筒状、针状、四足状或平板状的导电性粒子，上述第2粒子是导电性粒子，上述第2粒子以相对于上述第1电极成一角度而不是水平地对上述第1粒子进行姿势限制。
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公开(公告)号：CN1152405C
公开(公告)日：2004-06-02
申请号：CN99809180.4
申请日：1999-07-30
Applicant: 可印刷发射体有限公司
CPC classification number: H01J1/304 , H01J2201/30403
Abstract: 一种场致电子发射材料，具有一带导电表面的基底(1700)。导电表面上的电子发射点分别包括一层电绝缘材料(1703)来确定一在导电表面和绝缘层(1703)之间的第一界面区(1702)，以及一在绝缘层(1703)和真空环境之间的第二界面区。处理或生成每一第一界面区(1702)以增强电子从导电表面注入绝缘层(1703)的概率。每一第一界面区(1702)经过这种处理或生成后，要么成为一绝缘体，要么从邻近导电表面的导电性渐变为邻近绝缘层(1703)的绝缘性。
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公开(公告)号：CN1106631C
公开(公告)日：2003-04-23
申请号：CN96111409.6
申请日：1996-08-23
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: G09G3/2011 , B82Y10/00 , G09G3/2014 , G09G3/22 , G09G2310/027 , G09G2310/0275 , G09G2320/0223 , H01J2201/30403 , H01J2201/3165 , H01J2329/00
Abstract: 一种电子产生器件，包括一个具有以简单矩阵形式通过多个数据布线条，和多个扫描布线条布线连接的多个电子发射器的多电子源，以及一个驱动电路，用于驱动所述的多电子源，所述的驱动电路包括：第一驱动装置，用于向连接有发射电子的扫描布线条施加第一电压，并向连接有不发射电子的扫描布线条施加第二电压；第二驱动装置，用于向连接有发射电子的数据布线条施加第三电压，并向连接有不发射电子的数据布线条施加第四电压；其中所述的第二电压大体等于第三电压。
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公开(公告)号：CN1378700A
公开(公告)日：2002-11-06
申请号：CN00814092.8
申请日：2000-10-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01J1/304 , H01J9/02 , H01J31/12 , H01J61/067
CPC classification number: H01J63/06 , B82Y10/00 , H01J1/3048 , H01J9/025 , H01J2201/30403 , H01J2201/30469 , Y10S977/939
Abstract: 目的在于提供可以以低动作电压得到大的动作电流,且电子发射特性稳定的电子发射器件、利用该器件的电子源、图象显示装置和可以用少的工序低价制作上述的电子发射器件的制造方法。为了实现该目的,用由用来向空间内发射电子的第1粒子和处于上述第1粒子的附近且限制上述第1粒子的姿势的第2粒子构成的混成粒子构成冷阴极构件。在该构成中,优选的是电子发射效率第1粒子比第2粒子高,第2粒子是具有导电性的粒子。
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公开(公告)号：CN1280703A
公开(公告)日：2001-01-17
申请号：CN98811806.8
申请日：1998-12-03
Applicant: 可印刷发射体有限公司
CPC classification number: H01J1/304 , H01J2201/30403
Abstract: 用多个导电粒子涂覆具有导电表面的衬底,形成一种场致电子发射材料。每个粒子有一层电绝缘材料,所述材料置于衬底导电表面与粒子之间的第一位置,或置粒子与环境(其中有场致电子发射材料)之间的第二位置,但不同时置于这两个位置,从而在第一或第二位置上至少有一些粒子形成电子发射、地点。揭示了应用这类电子发射材料的若干场致发射装置。
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公开(公告)号：CN1177198A
公开(公告)日：1998-03-25
申请号：CN97115316.7
申请日：1997-08-01
Applicant: 摩托罗拉公司
Inventor： 劳伦斯·N·德沃斯基 , 迪安·巴克 , 詹姆斯·E·贾斯基 , 罗纳德·O·彼德森 , 罗伯特·T·史密斯
CPC classification number: H01J1/3042 , H01J29/862 , H01J2201/30403 , H01J2329/00
Abstract: 一个场致发射显示器以及制造该显示器的一种方法已被公开。该场致发射显示器包括一个具有多个阴极射线发光沉积物的阳极,一个包括具有多个场致发射体,并被固定到阴极加固构件上的一个阴极的后面板,以及多个被配置在阳极和阴极之间,并密封地固定到其上的侧面构件。阳极和后面板的厚度足以提供所需要的结构支持来维持该场致发射显示器的机械的完整性。
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公开(公告)号：CN1129994A
公开(公告)日：1996-08-28
申请号：CN95190581.3
申请日：1995-06-27
Applicant: 工程吸气公司
IPC: H01J29/94
CPC classification number: H01J7/183 , H01J7/18 , H01J29/94 , H01J2201/30403 , H01J2329/00
Abstract: 公开了一种在FED内产生与保持基本上无氧化性气体并包含10-7～10-3mbar压力氢气的受控气氛的方法，该方法包括以下步骤：在熔封以前将负载有氢气的吸气剂放入FED内。随后，沿着组成FED的两个部件的边缘进行熔封，在该操作期间或以后，通过适宜安装的尾部对FED本身进行抽气，在抽空后通过“熔下”操作气密地封装该尾部。通过将吸气剂曝露于10-4～2bar压力的氢气中使吸气剂负载氢气。
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公开(公告)号：CN107170657A
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201710337643.9
申请日：2017-05-15
Applicant: 中国电子科技集团公司第十二研究所
CPC classification number: H01J1/304 , H01J9/025 , H01J2201/30403 , H01J2209/0223
Abstract: 本发明公开了一种无集成栅极尖锥阵列场发射阴极的制备方法，包括选用抛光导电基片，或包括抛光基片和形成于抛光基片表面的导电薄膜的复合基片作为阴极基底；在基片表面涂敷光刻胶；利用曝光、显影工艺，在基片上形成光刻胶的圆孔阵列图形；使基片自转，同时以倾斜角度蒸镀一层牺牲层；保持基片自转，同时以垂直角度蒸镀发射材料，在光刻胶孔阵列内形成尖锥；镀膜结束，取出基片；剥离光刻胶，同时去除其上的牺牲层及多余的发射材料，制备得到无集成栅极尖锥阵列场发射阴极。本发明在基片上直接制备发射材料尖锥，仅依靠光刻、镀膜等微加工工艺，工艺简单、成本低，适用于任何适合蒸发镀膜的金属和非金属场发射材料。
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