光倍增管、图像传感器及使用PMT或图像传感器的检验系统

    公开(公告)号:CN105210189A

    公开(公告)日:2015-12-30

    申请号:CN201480028203.X

    申请日:2014-04-01

    CPC classification number: H01J40/06 H01J43/08 H01L31/02161 H01L31/103

    Abstract: 本发明揭示一种光倍增管,其包含半导体光电阴极及光电二极管。值得注意地,所述光电二极管包含:p掺杂型半导体层;n掺杂型半导体层,其形成于所述p掺杂型半导体层的第一表面上,以形成二极管;及纯硼层,其形成于所述p掺杂型半导体层的第二表面上。在所述半导体光电阴极与所述光电二极管之间的间隙可为小于约1毫米或小于约500微米。所述半导体光电阴极可包含氮化镓,例如一或多个p掺杂型氮化镓层。在其它实施例中,所述半导体光电阴极可包含硅。此半导体光电阴极可进一步包含在至少一个表面上的纯硼涂层。

    光电倍增器及其制造方法
    12.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100555553C

    公开(公告)日:2009-10-28

    申请号:CN200580004703.0

    申请日:2005-02-16

    CPC classification number: H01J43/08 H01J9/26 H01J43/04 H01J43/24

    Abstract: 本发明涉及具有用于可容易地实现高检测精度和微细加工的构造的光电倍增器及其制造方法。该光电倍增器(1a)具备内部维持在真空的外围器(2,3,4),在该外围器(2,3,4)内配置有根据入射光而放出电子的光电面(22)、将从该光电面(22)放出的电子串级倍增的电子倍增部(31)、用于取出由该电子倍增部(31)生成的二次电子的阳极(32)。上述外围器(2,3,4)的一部分由具有平坦部的玻璃基板(20,40)构成,在该玻璃基板(20,40)上的平坦部上以二维方式分别配置有上述电子倍增部(31)和阳极(32)。

    光电阴极板和电子管
    13.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1737977A

    公开(公告)日:2006-02-22

    申请号:CN200410096534.5

    申请日:2004-11-30

    CPC classification number: H01J1/34 H01J1/78 H01J43/08 H01J2231/50

    Abstract: 本发明提供一种可以稳定地得到高灵敏度特性的光电阴极板及使用这样光电阴极板的电子管。在光电倍增管(1)中,在光电阴极板(23A)的半导体电子放射层(51)和与电子放出部(59)电连接的第1电极(65)之间形成有绝缘层(63)。通过该绝缘层(63),可以在电子放出部(59)中的半导体电子放射层(51)的露出部分上形成活性层(61)之前的阶段中,用高温加热清洁光电阴极板(23A)。由此,可以有效地使电子放出部(59)中的半导体电子放射层(51)的露出部分净化,可以使该露出部分的物性稳定化。其结果是,在光电阴极板(23A)及使用该光电阴极板(23A)的光电倍增管(1)中,可以稳定地得到高灵敏度的特性。

    一种非接触物体表面电荷光电倍增管放大器

    公开(公告)号:CN105789016A

    公开(公告)日:2016-07-20

    申请号:CN201610199752.4

    申请日:2016-04-04

    Applicant: 陈蜀乔

    Inventor: 陈蜀乔

    CPC classification number: H01J43/04 H01J43/08 H01J43/10

    Abstract: 本发明涉及一种非接触物体表面电荷光电倍增管放大器,属于信号检测技术领域。其原理是入射光的强度决定于单位时间里通过单位垂直面积的光子数,单位时间里通过金属表面的光子数也就增多,则光子与金属中的电子碰撞次数也增多,因而单位时间里从金属表面逸出的光电子也增多,光电流也随之增大;同样,如果入射光强度不变,金属表面电荷增加,使得光子与金属中的电子碰撞次数也增多,因而单位时间里从金属表面逸出的光电子也增多,光电子采用电倍增管将电子数不断倍增,阳极最后收集到的电子可增加104~108倍,因光电倍增管高灵敏度和低噪声的特点,可检测样品表面微弱电荷信号,将在电荷检测领域获得广泛应用。

    光电子倍增器
    17.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1922710B

    公开(公告)日:2010-10-13

    申请号:CN200580005168.0

    申请日:2005-02-16

    CPC classification number: H01J43/08 H01J9/26 H01J43/04 H01J43/24

    Abstract: 本发明涉及一种实现高倍增效率的微细结构的光电子倍增器。该光电子倍增器包括内部维持真空的外围器,在该外围器内,配置有放射对应入射光的光电子的光电面,级联倍增从该光电面射出的光电子的电子倍增部,用于取出由该电子倍增部生成的二次电子的阳极。特别是,在电子倍增部,形成有用于级联倍增来自光电面的光电子的槽部,规定该槽部的一对壁部(311)的各表面上,设有在表面上形成有二次电子射出面的1个或1个以上的凸部(311a)。

    光电阴极、电子管和光电阴极的装配方法

    公开(公告)号:CN1328745C

    公开(公告)日:2007-07-25

    申请号:CN200310116388.3

    申请日:2003-11-12

    CPC classification number: H01J43/28 H01J43/08

    Abstract: 本发明涉及一种具有把一个光电阴极板以良好的可靠性和可加工性夹持在一个透光元件上的结构的光电阴极和类似元件。在该光电阴极中,固定在透光元件上的一个夹持元件的爪形部分被压靠到支撑板的下表面,使光电阴极板被夹在透光元件和支撑板之间。这样,支撑板被压靠到光电阴极板,使光电阴极板被支撑板压靠到透光板。这使光电阴极板被透光元件可靠地夹持住。这个简单的配置还提供了良好的装配可加工性。

    光电子倍增器
    19.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1922710A

    公开(公告)日:2007-02-28

    申请号:CN200580005168.0

    申请日:2005-02-16

    CPC classification number: H01J43/08 H01J9/26 H01J43/04 H01J43/24

    Abstract: 本发明涉及一种实现高倍增效率的微细结构的光电子倍增器。该光电子倍增器包括内部维持真空的外围器,在该外围器内,配置有放射对应入射光的光电子的光电面,级联倍增从该光电面射出的光电子的电子倍增部,用于取出由该电子倍增部生成的二次电子的阳极。特别是,在电子倍增部,形成有用于级联倍增来自光电面的光电子的槽部,规定该槽部的一对壁部(311)的各表面上,设有在表面上形成有二次电子射出面的1个或1个以上的凸部(311a)。

    光电阴极、电子管和光电阴极的装配方法

    公开(公告)号:CN1501423A

    公开(公告)日:2004-06-02

    申请号:CN200310116388.3

    申请日:2003-11-12

    CPC classification number: H01J43/28 H01J43/08

    Abstract: 本发明涉及一种具有把一个光电阴极板以良好的可靠性和可加工性夹持在一个透光元件上的结构的光电阴极和类似元件。在该光电阴极中,固定在透光元件上的一个夹持元件的爪形部分被压靠到支撑板的下表面,使光电阴极板被夹在透光元件和支撑板之间。这样,支撑板被压靠到光电阴极板,使光电阴极板被支撑板压靠到透光板。这使光电阴极板被透光元件可靠地夹持住。这个简单的配置还提供了良好的装配可加工性。

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