公开(公告)号：CN102870200B

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201180007653.7

申请日：2011-04-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 杰瑞德·阿哈默德·里 ,  马丁·杰夫·萨里纳斯 ,  安珂斯·阿加沃尔 ,  伊兹拉·罗伯特·高德 ,  詹姆斯·P·克鲁斯 ,  阿尼鲁达·帕尔 ,  安德鲁·源

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67017 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/68785 ,  Y10T137/6416 ,  Y10T137/8593

Abstract: 本文提供了将气体输送至腔室的装置及其使用方法。在某些实施例中，用于工艺腔室的气体分配系统可包括：主体，该主体具有第一表面，该第一表面被配置为将主体耦合至工艺腔室的内表面，该主体具有被布置穿过主体的开口；凸缘，该凸缘被布置成邻近开口的第一端，该开口的第一端与主体的第一表面相对，凸缘向内延伸至开口中，并且凸缘被配置为支撑在凸缘上的窗口；以及多个气体分配槽道，多个气体分配槽道布置在主体内，并且多个气体分配槽道将布置在主体内和围绕开口的槽道流体地耦合至布置在凸缘中的多个孔，其中多个孔绕凸缘径向地布置。

公开(公告)号：CN105321869A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201410344914.X

申请日：2014-07-18

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 邓文仪 ,  林育民 ,  刘志建 ,  罗杰文

IPC: H01L21/762 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L21/76224 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/67766 ,  H01L21/762 ,  H01L23/58 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开一种填沟介电层及其制作方法与应用，其中填沟介电层的制备方法包含下述步骤：首先在基材上沉积含硅介电层。然后，依序对含硅介电层进行烘烤制作工艺、原位湿式处理以及热退火制作工艺，用于在基材上形成氮含量实质小于1×1022个原子/立方厘米(atoms/cm3)的填沟介电层。

公开(公告)号：CN103346116B

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201310250118.5

申请日：2009-10-02

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 马修·F·戴维斯 ,  肯尼斯·J·巴格 ,  特雷斯·莫瑞 ,  詹姆斯·D·卡达希

IPC: H01L21/687

CPC classification number: H01L21/02071 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/68728 ,  H01L21/68785 ,  Y10T428/24008 ,  Y10T428/24628

Abstract: 本发明提供一种用于从基板移除挥发性残余物的设备。在实施例中，一种用于从基板移除含卤素的残余物的设备包括适于操作以维持腔室内的真空的腔室及经定位以加热安置于该腔室中的基板的热模块。用于从基板移除含卤素的残余物的该设备亦包括以下至少者：A)温度控制底座，所述温度控制底座具有从所述温度控制底座径向延伸的适于将该温度控制底座支撑于该腔室主体的凸部上的突出物，该突出物将该基底与该腔室主体热隔离；B)一对基板支架，所述一对基板支架包括从弧形主体的内部边缘向内径向延伸的两个支撑凸缘，每支撑凸缘具有包括倾斜平台的基板支撑台阶；或C)圆顶形窗。

公开(公告)号：CN104916524A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201410507437.4

申请日：2014-09-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 詹尊仁 ,  胡正鸿 ,  陈奕翰 ,  张康华 ,  陈明德

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/677

CPC classification number: C23C14/54 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/31701 ,  H01L21/265 ,  H01L21/26593 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/67213 ,  H01L21/67745

Abstract: 本发明提供了一种在进行低温注入工艺之后，用于将晶圆加热至期望温度的高产量系统，包括：注入室，配置为均匀地加热单个晶圆的晶圆加热室，以及通过系统转移晶圆的多个机械臂。在制造工艺的各个阶段，机械臂同时工作于多个晶圆，并且因此，该系统提供了高产量工艺。此外，加热室可以是真空环境，以便消除导致晶圆沾污的雾凝结问题。本发明涉及用于注入后单个晶圆加热的高产量系统和方法。

公开(公告)号：CN102810499B

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201210175153.0

申请日：2012-05-30

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 金炯俊

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/677

CPC classification number: H01L21/67201 ,  Y10T156/11

Abstract: 本发明提供一种处理基材的设备和方法，更具体而言，提供一种具有簇结构的基材处理设备和使用它的基材处理方法。所述的处理基材的设备包括其上放置用于收容所述基材的容器的装载口、用于处理所述基材的处理模块和转移模块，所述转移模块包括用于在所述容器和所述处理模块之间转移所述基材的机械手。所述处理模块包括转移室、设置在所述转移室和所述转移模块之间的装载锁闭室、用于进行第一处理工艺的第一处理室和用于进行第二处理工艺的第二处理室，所述转移室包括用于转移所述基材的机械手，第一处理室与所述转移模块间隔开并且设置在所述转移室周围，第二处理室设置在所述转移室周围。

公开(公告)号：CN1778986B

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN200510103894.8

申请日：2005-06-02

Applicant: 应用材料公司

Inventor： J·M·怀特 ,  S·库利塔 ,  W·N·斯特林 ,  Y·塔纳斯

IPC: C23C14/56 ,  C23C16/54 ,  C03C17/00 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67126 ,  H01L21/67201

Abstract: 在特定的方面，提供了一种真空隔绝室，真空隔绝室包括具有至少一个封接面壁的主体，该封接面壁包括封接面。封接面壁具有与封接面相邻的、适于放入和取出基板的开口。主体进一步包括多个侧壁。真空隔绝室还包括与主体相连接的顶部。顶部包括一个或多个将顶部划分为第一部分和第二部分的开口。真空隔绝室进一步包括一个或多个适于覆盖顶部的每个开口的密封件。每个顶部密封件吸收顶部第一部分相对于顶部第二部分的运动。本发明还提供了许多其它方面。

公开(公告)号：CN104137248A

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN201380010918.8

申请日：2013-01-18

Applicant: 应用材料公司

Inventor： M·J·萨里纳斯 ,  P·B·路透 ,  A·恩盖耶 ,  J·A·里

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/677 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/306 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67201

Abstract: 本发明的实施例提供了包括两个或更多隔离腔室容积的一种负载锁定腔室，其中一腔室容积被配置来用于处理基板，且另一腔室容积被配置来提供冷却给基板。本发明的一实施例提供了一种负载锁定腔室，该负载锁定腔室具有形成在腔室主体组件中的至少两个隔离腔室容积。该至少两个隔离腔室容积可垂直堆迭。第一腔室容积可用于使用反应物种来处理设置于第一腔室容积中的基板。第二腔室容积可包括冷却基板支撑。

公开(公告)号：CN104051310A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201310342266.X

申请日：2013-08-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈世宏

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/673

CPC classification number: H01L21/67126 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/68735

Abstract: 本发明公开了将晶圆保持在恒定压力下的晶圆载体，其中该恒定压力的预设值低于或者高于大气压力，以防止传统晶圆载体中因暴露在大气中而导致的晶圆污染，并且还公开了使用该晶圆载体的晶圆传输系统以及方法。以预设承载压力来填充的晶圆载体被传输并与包括气锁室、真空传送模块及工艺室的晶圆处理设备的气锁室相对接。气锁室通过气泵调整内部压力以相继地先与开启承载门之前的承载压力相等，然后与开启真空传送模块的门之前的真空传送模块压力。然后，晶圆被传送到工艺室中。在处理之后，晶圆被传送回晶圆载体中并在被卸载以及传输到下一晶圆处理设备之前以预设承载压力来填充。本发明还公开了压控晶圆载体以及晶圆传输系统。

公开(公告)号：CN103996801A

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201410261124.5

申请日：2014-06-12

Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司

Inventor： 邹清华 ,  吴聪原

IPC: H01L51/56 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67745 ,  H01L21/67034 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67201 ,  H01L51/0029 ,  H01L51/0096 ,  H01L51/56 ,  H01L21/02046

Abstract: 本发明提供一种基板前处理方法及装置，所述方法包括如下步骤：步骤1、提供待前处理的基板、UV室及装载室；步骤2、在UV室与装载室之间设置一传递室连接该UV室与装载室，在UV室与传递室之间连接处设置第一封闭门，在传递室与装载室之间连接处设置第二封闭门；所述传递室在关闭第一与第二封闭门后形成密闭室。步骤3、将待前处理的基板送入UV室；步骤4、关闭UV室，在UV室内通入干燥的氧气后进行UV处理；步骤5、UV处理结束后，打开第一封闭门，将基板送入传递室；步骤6、在基板完全进入传递室后，关闭第一封闭门，打开第二封闭门，将基板送入装载室；步骤7、在基板完全进入装载室后，关闭第二封闭门，对装载室抽真空。

公开(公告)号：CN103700605A

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：CN201310014632.9

申请日：2013-01-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 高茂林 ,  刘旭水 ,  胡天镇 ,  柯力仁 ,  沈香吟 ,  白峻荣

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/677

CPC classification number: H01L21/67184 ,  H01L21/67161 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/68707

Abstract: 本发明提供了一种半导体加工站。该半导体加工站包括第一平台、第二平台和真空通道，其中，第一平台具有第一加载锁和多个第一室，第二平台具有第二加载锁和多个第二室，真空通道连接第一和第二加载锁。本发明还提供了加工半导体晶圆的方法。