Patent search cpc:"H01L2924/01201" Page 2

11.

发明公开
半导体装置以及导线键合布线方法无效

公开(公告)号：CN104798186A

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN201380060575.6

申请日：2013-11-20

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 小屋贤一 , 米仓勇 , 深町大辅 , 原野慎也

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/48 , H01L24/45 , H01L24/49 , H01L24/78 , H01L24/85 , H01L2224/45015 , H01L2224/451 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48137 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/4845 , H01L2224/48455 , H01L2224/48465 , H01L2224/48479 , H01L2224/48482 , H01L2224/48997 , H01L2224/49 , H01L2224/78301 , H01L2224/85051 , H01L2224/85186 , H01L2224/85951 , H01L2224/85986 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/12041 , H01L2924/351 , H01L2224/48471 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/85181 , H01L2924/20752 , H01L2924/01201 , H01L2924/01029 , H01L2924/01078 , H01L2924/01046 , H01L2924/01044 , H01L2924/01076 , H01L2924/01045 , H01L2924/01077 , H01L2924/0102 , H01L2924/01038 , H01L2924/01039 , H01L2924/01057 , H01L2924/01058 , H01L2924/01063 , H01L2924/01004 , H01L2924/01032 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/013 , H01L2224/43848 , H01L2924/01005 , H01L2924/01015 , H01L2224/4554 , H01L2224/85399 , H01L2224/05599

Abstract: 在第一电极形成第一键合部，对于从该第一键合部进行布线的导线(6)，将毛细管(C)的顶端抵压到形成在第二电极的凸点(B)，形成转印了毛细管(C)的顶端的抵压面(S1)的形状的第二键合部(62)。相对于接合面(S2)的长度，导线(6)开始变细的第二键合部(62)的基端(P1)从一端(P21)进入凸点(B)侧10％以上，利用毛细管(C)切断导线(6)。

12.

发明授权
半导体装置有权

公开(公告)号：CN102956610B

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201210291561.2

申请日：2012-08-15

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： 丹尼尔·多梅斯

IPC: H01L23/522 , H01L25/07

CPC classification number: H01L25/072 , H01L23/3735 , H01L23/49833 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L2224/291 , H01L2224/29339 , H01L2224/2939 , H01L2224/32225 , H01L2224/45124 , H01L2224/45147 , H01L2224/48132 , H01L2224/48227 , H01L2224/48228 , H01L2224/4846 , H01L2224/48472 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2224/8384 , H01L2924/00011 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01047 , H01L2924/1301 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13062 , H01L2924/13091 , H01L2924/19107 , H01L2924/3011 , H02M7/003 , H01L2924/014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/01005 , H01L2924/01201 , H01L2924/00014

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置，其包括电路载体、结合配线以及至少N个半桥电路。N是总计至少为1的整数。该电路载体包括第一金属层、第二金属化层、配置在第一金属层和第二金属化层之间的中间金属化层、配置在中间金属层和第二金属化层之间的第一绝缘层以及配置在第一金属层和中间金属化层之间的第二绝缘层。各半桥电路包括第一电路节点、第二电路节点和第三电路节点、可控的第一半导体开关和可控的第二半导体开关。各半桥电路的第一半导体开关和第二半导体开关配置在第一金属化层的背向第二绝缘层的一侧。结合配线在第一结合位置直接结合到中间金属化层。

13.

发明公开
银铕合金键合丝及其制造方法无效

公开(公告)号：CN104022094A

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN201410234934.1

申请日：2014-05-30

Applicant: 江西蓝微电子科技有限公司

Inventor： 徐云管 , 李湘平 , 彭庶瑶 , 梁建华 , 涂海情

IPC: H01L23/49 , H01L21/48 , C22C5/06

CPC classification number: H01L2224/43 , H01L2224/43848 , H01L2224/45 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45139 , H01L2924/00015 , H01L2924/01201 , H01L2924/01079 , H01L2924/01063 , H01L2924/01206 , H01L2924/013 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/20753 , H01L2924/20754 , H01L2924/20755 , H01L2924/00012

Abstract: 一种银铕合金键合丝及其制造方法，该键合丝是以高纯银为主体材料，包括金和铕金属材料。其组成键合丝的材料各成分重量百分比为：银含量为：96%-97.5%、金含量为0.5%-1%、铕含量为2%-3%；其制造方法包括：提取纯度大于99.9999%的高纯银，制备成银合金铸锭，再制成铸态银铕合金母线，将母线拉制成1mm左右的银铕合金键合丝经热处理后，再经精密拉拔、热处理、清洗后制成不同规格的银铕合金键合丝。本发明克服现有合金类键合铜丝、铝丝表面易氧化、高温稳定性差和拉拔断线问题，以及黄金类键合丝生产成本高、电镀层硬度低不耐摩擦的缺陷和不足。

14.

发明公开
用于微电子装置中接合的二次合金1N铜线无效复审申请

公开(公告)号：CN103137235A

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201210510470.3

申请日：2012-12-03

Applicant: 贺利氏材料科技公司

Inventor： 穆拉利·萨兰加帕尼 , 杨平熹 , 欧根·米尔克

IPC: H01B1/02 , H01L23/49

CPC classification number: H01B1/026 , C22C9/00 , C22C9/06 , H01L24/43 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/05624 , H01L2224/43 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48463 , H01L2224/48465 , H01L2224/4847 , H01L2224/48472 , H01L2224/48511 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2224/85439 , H01L2224/85444 , H01L2224/85447 , H01L2224/85464 , H01L2924/00011 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01047 , H01L2924/181 , H05K1/092 , H01L2924/01201 , H01L2924/01028 , H01L2924/01046 , H01L2924/01079 , H01L2924/01078 , H01L2924/01024 , H01L2924/01058 , H01L2924/01012 , H01L2924/01057 , H01L2924/01013 , H01L2924/01026 , H01L2924/01005 , H01L2924/0104 , H01L2924/01022 , H01L2924/00014 , H01L2924/00015 , H01L2924/00 , H01L2924/013 , H01L2924/01016 , H01L2924/01083 , H01L2924/01204 , H01L2924/01033 , H01L2924/0102

Abstract: 一种用于微电子学中接合的二次合金1N铜线，其包含Ag、Ni、Pd、Au、Pt和Cr的群组中的一者或一者以上作为耐腐蚀性合金材料，其中所述耐腐蚀性合金材料的浓度在约0.09wt%与约9.9wt%之间。

15.

发明公开
半导体装置无效

公开(公告)号：CN102725836A

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN201180007101.6

申请日：2011-01-20

Applicant: 住友电木株式会社

Inventor： 伊藤慎吾

IPC: H01L21/60 , H01L23/29 , H01L23/31

CPC classification number: H01L21/56 , H01L23/3107 , H01L23/3114 , H01L23/3128 , H01L23/49503 , H01L24/05 , H01L24/09 , H01L24/43 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/85 , H01L2224/04042 , H01L2224/05144 , H01L2224/05164 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05664 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/43 , H01L2224/45015 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/484 , H01L2224/48624 , H01L2224/48644 , H01L2224/48664 , H01L2224/48844 , H01L2224/48864 , H01L2224/49 , H01L2224/73265 , H01L2224/85 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01025 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01031 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/0104 , H01L2924/01042 , H01L2924/01044 , H01L2924/01045 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01059 , H01L2924/01072 , H01L2924/01074 , H01L2924/01076 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01083 , H01L2924/01105 , H01L2924/01201 , H01L2924/01202 , H01L2924/01204 , H01L2924/0132 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/1301 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/20103 , H01L2924/20104 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106 , H01L2924/01039 , H01L2924/01049 , H01L2924/00 , H01L2224/48824 , H01L2924/00012 , H01L2924/013 , H01L2924/0002 , H01L2924/20752 , H01L2924/20753 , H01L2224/43848 , H01L2924/20751

Abstract: 本发明的半导体装置，其特征在于，具备：具有电极焊盘的半导体元件，搭载半导体元件、形成有电接合部件的基材，对电极焊盘和电接合部件进行电连接的焊线，半导体元件和焊线电极焊盘的主成分金属为与焊线的主成分金属相同的金属，或者与焊线的主成分金属不同，电极焊盘的主成分金属和焊线的主成分金属不同时，在封装树脂的后固化温度下，上述焊线的主成分金属与电极焊盘的主成分金属在上述焊线和上述电极焊盘的接合部相互扩散的速度小于在后固化温度下金（Au）与铝（Al）在铝（Al）和金（Au）的接合部相互扩散的速度。

16.

发明授权
金合金焊线有权

公开(公告)号：CN100487883C

公开(公告)日：2009-05-13

申请号：CN200580035318.2

申请日：2005-09-28

Applicant: 田中电子工业株式会社

Inventor： 村井博 , 千叶淳 , 手岛聪

IPC: H01L21/60 , C22C5/02

CPC classification number: C22C5/02 , B23K35/3013 , H01L24/43 , H01L24/45 , H01L2224/05624 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/48624 , H01L2224/48639 , H01L2224/85439 , H01L2924/00011 , H01L2924/01105 , H01L2924/01202 , H01L2924/01203 , H01L2924/01205 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/1576 , H01L2924/181 , H01L2924/19043 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/01046 , H01L2924/01014 , H01L2924/01063 , H01L2924/01004 , H01L2924/01058 , H01L2924/01064 , H01L2924/01012 , H01L2924/01039 , H01L2924/01057 , H01L2924/01078 , H01L2924/01201 , H01L2924/00014 , H01L2924/0102 , H01L2924/01066 , H01L2924/0103 , H01L2924/0105 , H01L2924/013 , H01L2924/00013 , H01L2924/00 , H01L2924/01028 , H01L2924/01404 , H01L2924/01006

Abstract: 提供一种金合金焊接细线，其具有所需的强度、良好的焊接性、长期稳定性以及改善了的压接球圆形度和熔融球球形度。该金合金焊线含有：在金合金基质中作为痕量元素的10-100质量ppm的Mg、5-100质量ppm的Ce和每种元素含量为5-100质量ppm的选自Be、Y、Gd、La、Eu和Si中的至少一种，其中Be、Y、Gd、La、Eu和Si的总含量为5-100质量ppm，或者作为痕量元素的Mg、Be和选自Y、La、Eu和Si中的至少一种，或者作为痕量元素的10-100质量ppm的Mg、5-30质量ppm的Si、5-30质量ppm的Be和5-30质量ppm的选自Ca、Ce和Sn中的至少一种，所述金合金基质含有在高纯金中总量为0.05-2质量%的选自Pd和Pt中的至少一种的高纯元素。